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基于时间序列和I-V输出特性比较的光伏组串故障特性分析
1
作者 陆挺 郭倩 +1 位作者 卫东 王崇玺 《太阳能学报》 北大核心 2026年第2期40-50,共11页
基于太阳电池等效电路,建立光伏组串I-V输出特性模型,通过数值求解,提出任意环温、太阳辐照度下的模型参数和最大功率点计算方法,进而建立光伏组串时间序列输出特性模型;针对老化、电势诱导衰减(PID)、隐裂、热斑等故障,研究获得不同类... 基于太阳电池等效电路,建立光伏组串I-V输出特性模型,通过数值求解,提出任意环温、太阳辐照度下的模型参数和最大功率点计算方法,进而建立光伏组串时间序列输出特性模型;针对老化、电势诱导衰减(PID)、隐裂、热斑等故障,研究获得不同类型和程度故障下的差异性变化规律;根据时间序列和全局最大功率点曲线的变化特点,确定和提取故障特征量,进行故障类型区分和故障程度描述。仿真和实验结果表明:所建立的模型和提出的方法能较高精度地拟合实测数据;计算获得的任意太阳辐照度和环温下的模型参数和全局最大功率点,其变化规律具有明确的差异性;所提出的故障特征量,能够很好地区分故障类型和描述故障程度变化。 展开更多
关键词 时间序列 最大功率点 i-v特性 光伏组串
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基于I-V曲线距离特征的光伏阵列故障诊断 被引量：1
2
作者 王一鸣 许颇 +3 位作者 杨珂 张凌翔 夏鲲 王景霞 《电子设计工程》 2025年第16期51-54,59,共5页
针对光伏组件故障检测问题,该文提出了一种基于核密度估计样条插值距离特征法的光伏组件故障检测方法。对光伏组件的I-V特性曲线数据进行平滑处理,对于平滑后的曲线数据,计算中间点与两端点连线之间的距离,该方法能够分析不同故障类型在... 针对光伏组件故障检测问题,该文提出了一种基于核密度估计样条插值距离特征法的光伏组件故障检测方法。对光伏组件的I-V特性曲线数据进行平滑处理,对于平滑后的曲线数据,计算中间点与两端点连线之间的距离,该方法能够分析不同故障类型在d-V曲线上的特征,实现故障的准确检测。通过实验验证和结果分析,证明了所提方法在光伏组件故障检测方面的有效性和可行性,最终检测准确率可达到100%。该方法具有较高的检测准确性和鲁棒性,为光伏组件的故障诊断和维护提供了一种可靠的方法。 展开更多
关键词 光伏阵列 故障诊断 i-v曲线 距离特征法 曲线平滑处理
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平面结太阳能电池I-V曲线的漂移扩散方程计算
3
作者 蔡金华 《应用技术学报》 2025年第4期432-438,共7页
电流电压(I-V)特性曲线是研究太阳能电池性能的关键表征手段,可用于提取电池的基本性能参数,如转换效率、短路电流、开路电压、填充因子。基于材料参数计算I-V曲线对器件设计与物理机制研究具有重要意义。本文基于漂移-扩散方程,提出了... 电流电压(I-V)特性曲线是研究太阳能电池性能的关键表征手段,可用于提取电池的基本性能参数,如转换效率、短路电流、开路电压、填充因子。基于材料参数计算I-V曲线对器件设计与物理机制研究具有重要意义。本文基于漂移-扩散方程,提出了一维平面结太阳能电池的I-V曲线计算方法。在完整阐述计算方案的基础上,重点解决了异质结中光吸收、界面能级跃变的处理以及两点边界值问题的构建与求解。基于麦克斯韦方程严格计算异质结中的光强分布,从而精确获取光生载流子密度;引入等效电场模型处理界面处导带和价带的能级跃变对载流子传输的影响;采用优化的松弛算法求解对应的两点边界值问题。以有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池为例,计算得到I-V曲线、器件性能参数、电场与能带参数的空间分布,以及最大许可电流密度随活性层厚度的变化关系等,为该类器件的性能优化提供理论依据。 展开更多
关键词 漂移扩散方程 电流电压(i-v)曲线 平面结太阳能电池
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半群的I-V Fuzzy子半群 被引量：17
4
作者 陈露 《西南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期93-96,共4页
在半群上引入i-vFuzzy子半群等概念.研究了半群的i-vFuzzy子半群的若干性质.特别是给出半群的i-vFuzzy子集成为i-vFuzzy子半群的充要条件.即定理4半群X的i-vFuzzy子集μ=[μL,μV]是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是μL与μV均是X的Fu... 在半群上引入i-vFuzzy子半群等概念.研究了半群的i-vFuzzy子半群的若干性质.特别是给出半群的i-vFuzzy子集成为i-vFuzzy子半群的充要条件.即定理4半群X的i-vFuzzy子集μ=[μL,μV]是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是μL与μV均是X的Fuzzy子半群.定理5设μ是半群X的一个i-vFuzzy子集,则μ是X的一个i-vFuzzy子半群的充要条件是对任意D1∈D[0,1],μD1={x|x∈X,μ(x)≥D1}≠Φ是X的一个子半群. 展开更多
关键词 i-v Fuzzy子集 半群的Fuzzy子半群 半群的i-v FUZZY子半群
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亚BCI-代数的I-V模糊子代数 被引量：2
5
作者 陈露 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期48-51,共4页
在亚BCI-代数中引入了I-V模糊子代数的概念,讨论了亚BCI-代数的I-V模糊子集成为I-V模糊子代数的充分必要条件.证明了亚BCI-代数的所有子代数都可以看成是I-V模糊子代数的水平集子代数.最后,给出了由亚BCI-代数的I-V模糊子代数构造新的I-... 在亚BCI-代数中引入了I-V模糊子代数的概念,讨论了亚BCI-代数的I-V模糊子集成为I-V模糊子代数的充分必要条件.证明了亚BCI-代数的所有子代数都可以看成是I-V模糊子代数的水平集子代数.最后,给出了由亚BCI-代数的I-V模糊子代数构造新的I-V模糊子代数的方法. 展开更多
关键词 i-v模糊集 i-v模糊子代数 亚BCI-代数
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4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型 被引量：11
6
作者 杨林安 张义门 +2 位作者 吕红亮 张玉明 于春利 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1160-1164,共5页
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H ... 根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 . 展开更多
关键词 碳化硅 4H-SIC 射频功率 MESFET 非线性大信号模型 直流i-v特性 场效应晶体管
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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11
7
作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多
关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 i-v特性 阻变机制 工作原理
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基于动态电容充电的光伏阵列I-V测试仪 被引量：12
8
作者 张国荣 瞿晓丽 +2 位作者 苏建徽 刘宁 董康 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2009年第S1期85-89,共5页
光伏阵列Ⅰ-Ⅴ测试仪是一种对光伏阵列进行现场测试,从而为有效评价光伏电站的控制和设计水平提供参考实验数据的仪器。为获取光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线,系统测试时采用动态电容充电的方式,将电容作为可变负载接于光伏阵列的输出端,当光伏阵... 光伏阵列Ⅰ-Ⅴ测试仪是一种对光伏阵列进行现场测试,从而为有效评价光伏电站的控制和设计水平提供参考实验数据的仪器。为获取光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ曲线,系统测试时采用动态电容充电的方式,将电容作为可变负载接于光伏阵列的输出端,当光伏阵列给电容充电时,连续采样该时段内的电压电流就可得到当前环境条件下光伏阵列的Ⅰ-Ⅴ特性曲线。通过对光伏阵列进行实际测量的结果表明:该测试系统运行稳定、携带方便、测量精度较高,并且测量得到的伏安特性可以在液晶上直接以曲线的形式显示,从而使测得的阵列特性更为直观,能满足工程应用的需要。 展开更多
关键词 光伏阵列 光伏特性 动态电容充电 i-v曲线
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InGaAs线列探测器的I-V特性研究 被引量：6
9
作者 唐恒敬 吴小利 +4 位作者 张可锋 汪洋 贺香荣 李雪 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期598-601,共4页
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量... 采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,并分析了它们对器件响应率和噪声的影响。结果表明:InGaAs吸收层外延质量与器件的理想因子相关联,影响器件的噪声,但对器件的响应率影响不大。计算了无光照和有光照情况下串联电阻Rs取不同值时器件的I-V曲线,得到串联电阻较小时其作用可忽略,但串联电阻会表观上增大零偏电阻,且串联电阻越大,损失的光电流越多。实验结果证明该方法对改进器件性能有一定的参考意义。 展开更多
关键词 INGAAS探测器 i-v曲线 串联电阻 理想因子 响应率 噪声
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共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题 被引量：8
10
作者 张世林 郭维廉 +4 位作者 梁惠来 侯志娟 牛萍娟 赵振波 郭辉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-333,共5页
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
关键词 共振隧穿二极管 RTD i-v特性 负阻伏安特性 开关时间
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基于电容阵列I-V测试仪的光伏STC曲线拟合研究 被引量：12
11
作者 颜奕 黄宇 +1 位作者 陈鸣 王自鑫 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2017年第2期272-279,共8页
现有的光伏组件在标准条件(STC)下I-V曲线的拟合算法存在计算过于复杂或准确度不足的问题。为提高曲线在偏离STC环境下的拟合准度,提出了一种依据太阳电池四参数结构,通过选取曲线最大功率点(MPP)附近6个点作为拟合点,计算组件I-V数学... 现有的光伏组件在标准条件(STC)下I-V曲线的拟合算法存在计算过于复杂或准确度不足的问题。为提高曲线在偏离STC环境下的拟合准度,提出了一种依据太阳电池四参数结构,通过选取曲线最大功率点(MPP)附近6个点作为拟合点,计算组件I-V数学模型从而实现曲线拟合的拟合算法。不同光伏组件的最优拟合点间隔不同,为提高拟合精度,进一步提出了自适应拟合点选取方法,同时设计了以电容阵列为负载的I-V测试仪结构并研制了一套完整仪器。该测试仪可通过增加MPP附近数据点的密度,提升拟合点的选取精度。经过MATLAB仿真与实际验证表明,模型拟合算法的拟合结果在各种测试环境下的准确度均高于多项式拟合算法;所设计的I-V测试仪性能优越,适用于工程测量之中。 展开更多
关键词 光伏组件 STC曲线 曲线拟合 i-v测试仪 电容阵列
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钙钛矿太阳能电池:器件设计和I-V滞回现象 被引量：5
12
作者 张烨 姚志博 +2 位作者 林仕伟 李建保 林红 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第3期219-224,共6页
基于染料敏化太阳能电池发展起来的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池经过不到5年的快速发展,光电转换效率从最初的3.8%提高到了经过认证的17.9%.但是常用结构的钙钛矿太阳能电池在性能测试过程中的电流-电压(I-V)曲线会随着测试器件扫描... 基于染料敏化太阳能电池发展起来的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池经过不到5年的快速发展,光电转换效率从最初的3.8%提高到了经过认证的17.9%.但是常用结构的钙钛矿太阳能电池在性能测试过程中的电流-电压(I-V)曲线会随着测试器件扫描方向的不同而明显不同.该现象被称为I-V滞回现象.进一步研究发现I-V曲线还与扫描速度、起始测试的偏压值和光照历史明显相关.本工作结合不同的器件构造,就可能造成这种I-V滞回现象的不同原因进行了总结和分析,并对如何获得可靠的光电转换效率的测试方法进行了评述. 展开更多
关键词 钙钛矿 太阳能电池 反转结构 i-v测试 滞回现象
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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算 被引量：5
13
作者 李凡 史衍丽 +1 位作者 赵鲁生 徐文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1205-1208,共4页
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的... Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。 展开更多
关键词 金属半导体场效应管 太赫兹探测 i-v特性 器件模拟 Synopsys器件模拟软件
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单电子晶体管I-V特性数值分析 被引量：11
14
作者 杜磊 庄奕琪 江文平 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期153-156,168,共5页
在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .
关键词 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑台阶 i-v特性 数据分析
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电子束辐照对氧化锌纳米线I-V特性的影响 被引量：3
15
作者 卫斌 吉元 +4 位作者 王丽 张隐奇 张小玲 吕长志 张跃飞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期303-307,共5页
在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V... 在扫描电镜中,采用纳米微操纵仪构成一个2探针电流-电压(I-V)测试装置。测试了单根ZnO纳米线接触钨电极构成的金属-半导体-金属(M-S-M)结的I-V特征曲线。ZnO纳米线的I-V曲线呈现出较弱的肖特基特性。研究了电子束辐照对ZnO纳米线的I-V曲线的影响。30 keV电子束辐照使ZnO纳米线的总电阻减小。计算得到ZnO纳米线的电导率σ=0.24S/cm,载流子浓度n=1.64×1016cm-3。为了对比,还测试了单根碳纤维接触钨电极的I-V特征曲线。在30 keV电子束辐照下,碳纤维的总电阻保持不变,电导率σ=22 S/cm。 展开更多
关键词 电子束辐照 扫描电镜 ZNO纳米线 i-v曲线
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基于I-V特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估 被引量：27
16
作者 丁坤 陈富东 +5 位作者 翁帅 张经炜 冯莉 李元良 陈曦晖 陈翔 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2021年第8期3087-3095,共9页
针对光伏阵列故障和异常状态的性能评估问题,文章运用健康管理理论和数据挖掘技术提出了一种基于电流-电压(I-V)特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估方法。首先对光伏阵列的仿真模型进行研究,通过数值计算的方法提高仿真的速度,然... 针对光伏阵列故障和异常状态的性能评估问题,文章运用健康管理理论和数据挖掘技术提出了一种基于电流-电压(I-V)特性灰色关联分析的光伏阵列健康状态评估方法。首先对光伏阵列的仿真模型进行研究,通过数值计算的方法提高仿真的速度,然后利用粒子群优化算法提取模型参数,并利用灰色关联分析方法对光伏阵列的健康状态进行评估,进而计算其健康指数,定量描述光伏阵列的健康状态。仿真与实验结果表明,文章所提的光伏阵列健康状态评估方法可有效而准确地描述光伏阵列的健康状态,有助于指导光伏电站维护人员进行电站维护,确保光伏电站的安全运行。 展开更多
关键词 i-v曲线 灰色关联分析 健康状态 光伏阵列
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多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究 被引量：2
17
作者 李兴教 黄新堂 +5 位作者 赵建洪 郑远开 董晓敏 李再光 王新兵 李少平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期398-404,共7页
为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特... 为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。 展开更多
关键词 多层铁电薄膜 PLD方法 i-v特性曲线 铁电体
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基于拉格朗日插值多项式的光伏电池I-V特性建模方法 被引量：2
18
作者 郭婷婷 伦淑娴 《电子设计工程》 2015年第21期145-147,共3页
为了得到光伏电池电流-电压(I-V)特性的显式表达,本文提出了一种基于拉格朗日插值多项式的光伏电池IV特性的新的建模方法。该方法利用桑迪亚(Sandia)国家重点实验室I-V特性曲线上的五个点的值作为节点进行拉格朗日插值,最终得到特性显... 为了得到光伏电池电流-电压(I-V)特性的显式表达,本文提出了一种基于拉格朗日插值多项式的光伏电池IV特性的新的建模方法。该方法利用桑迪亚(Sandia)国家重点实验室I-V特性曲线上的五个点的值作为节点进行拉格朗日插值,最终得到特性显式表达。为了验证此模型的准确性,对两种不同的光伏电池组件(SP-75,MSX-64)在不同的光照强度和温度条件下进行I-V特性的仿真实验,并与其他模型进行比较。实验结果表明,该建模方法具有显式表达、操作简便、测试准确的特点。 展开更多
关键词 拉格朗日插值多项式 光伏电池i-v特性 解析模型 显式i-v特性模型
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右对合广群中的i-v Fuzzy子广群与理想 被引量：2
19
作者 周亚兰 高淑萍 蒲义书 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期825-828,共4页
密码学中对称加密,各种公钥密码都归结为群的运算,基于此,对右对合广群的i-v Fuzzy性及Fuzzy理想进行了研究,给出了A为右对合广群X的一个i-v Fuzzy集条件下,A是X的一个i-v Fuzzy子广群(理想)的充要条件.
关键词 右对合广群 i-v FUZZY群 i-v Fuzzy子广群 i-v FUZZY理想
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Josephson结的I-V曲线的理论分析 被引量：5
20
作者 钱敏 潘涛 刘曾荣 《物理学报》 SCIE EI CAS 1987年第2期149-156,共8页
本文从理论上分析了Josephson结的I-V曲线的混沌、台阶和滞后等一系列现象,并给出了描述上述现象的解析关系式,所得结果与实验结果比较符合。
关键词 理论分析 i-v JOSEPHSON
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