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分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究 被引量:1
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作者 高达 李震 +4 位作者 贺融 王丹 邢伟荣 王丛 折伟林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1384-1387,共4页
报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激... 报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料。 展开更多
关键词 分子束外延 碲镉汞 hgte/cdte超晶格
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Electron tunneling through double-electric barriers on HgTe/CdTe heterostructure interface
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作者 Liang-Zhong Lin Yi-Yun Ling +1 位作者 Dong Zhang Zhen-Hua Wu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第11期487-492,共6页
We investigate theoretically the carrier transport in a two-dimensional topological insulator of(001)HgTe/CdTe quantum-well heterostructure with inverted band,and find distinct switchable features of the transmission ... We investigate theoretically the carrier transport in a two-dimensional topological insulator of(001)HgTe/CdTe quantum-well heterostructure with inverted band,and find distinct switchable features of the transmission spectra in the topological edge states by designing the double-electric modulation potentials.The transmission spectra exhibit the significant Fabry–Pérot resonances for the double-electric transport system.Furthermore,the transmission properties show rich behaviors when the Fermi energy lies in the different locations in the energy spectrum and the double-electric barrier regions.The opacity and transparency of the double-modulated barrier regions can be controlled by tuning the modulated potentials,Fermi energy and the length of modulated regions.This electrical switching behavior can be realized by tuning the voltages applied on the metal gates.The Fabry–Pérot resonances leads to oscillations in the transmission which can be observed in experimentally.This electric modulated-mechanism provides us a realistic way to switch the transmission in edge states which can be constructed in low-power information processing devices. 展开更多
关键词 hgte/cdte quantum well double-electric modulations transmission spectra Fabry-Pérot resonances
原文传递
密度泛函理论研究(CdTe)_n和(HgTe)_n团簇的基态结构和电子性质
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作者 孔德国 张红美 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第4期74-76,80,共4页
采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(CdTe)n和(HgTe)n(n=2~8)团簇的几何结构进行优化,计算了其能量,研究了其电子性质。结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙计算结果表明,n=3、6是团簇的幻数;比较2种团簇的基态结构,发现2种... 采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(CdTe)n和(HgTe)n(n=2~8)团簇的几何结构进行优化,计算了其能量,研究了其电子性质。结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙计算结果表明,n=3、6是团簇的幻数;比较2种团簇的基态结构,发现2种团簇的最低能量结构不同,这可能是导致块体材料CdTe是宽带隙半导体材料,而HgTe是半金属材料的原因。 展开更多
关键词 (cdte)n和(hgte)n团簇 能隙 二阶能量差分
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13nm CdTe-HgTe量子阱的压致超导电性
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作者 罗永发 吴延辉 秦晓梅 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2023年第5期623-629,共7页
研究了13 nm CdTe-HgTe量子阱在高压下的结构和电输运性能,原位高压拉曼测试结果表明:低压时拉曼位移在118 cm^(-1)和138 cm^(-1)处有两个拉曼模式,分别与横向光学声子和纵向光学声子有关.原位高压电输运研究结果表明:13 nm CdTe-HgTe... 研究了13 nm CdTe-HgTe量子阱在高压下的结构和电输运性能,原位高压拉曼测试结果表明:低压时拉曼位移在118 cm^(-1)和138 cm^(-1)处有两个拉曼模式,分别与横向光学声子和纵向光学声子有关.原位高压电输运研究结果表明:13 nm CdTe-HgTe量子阱在4.0 GPa压力下出现了超导现象,超导转变温度(TC)为5.0 K,在9.3 GPa时超导电性消失,继续加压至14.1 GPa时又重新出现超导现象,并且超导电性一直持续到56.2 GPa. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 cdte-hgte量子阱 高压 超导电性
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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构 被引量:1
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作者 刘义族 于福聚 《天津师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第3期39-42,共4页
用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T... 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 展开更多
关键词 分子束外延法 Hg1-xCdxTe-hgte超晶格 cdte/ZnTe/GaAs异质结 双缓冲层生长 晶格结构 晶格生长
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8~12μm量子阱超晶格红外探测器材料与器件 被引量:1
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作者 陈世达 《红外技术》 CSCD 1991年第5期10-16,共7页
介绍了近年来迅速发展的8~12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态。预计在90年代它们将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关... 介绍了近年来迅速发展的8~12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态。预计在90年代它们将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关注与重视。 展开更多
关键词 红外探测器 量子阱 材料 红外器件
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