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HfReSi_2的合成、晶体结构及成键特性 被引量：1
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作者 毛少瑜 赵景泰 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期384-389,共6页
电弧熔炼方法合成了ＨｆＲｅＳｉ２，单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式，ＨｆＲｅＳｉ２，Ｍｒ＝４２０．８７，正交晶系，ＴｉＭｎＳｉ２类型，（５５）Ｐｂａｍ，ａ＝０．９１４０（１）ｎｍ，ｂ＝１... 电弧熔炼方法合成了ＨｆＲｅＳｉ２，单晶Ｘ射线衍射方法测定了晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式，ＨｆＲｅＳｉ２，Ｍｒ＝４２０．８７，正交晶系，ＴｉＭｎＳｉ２类型，（５５）Ｐｂａｍ，ａ＝０．９１４０（１）ｎｍ，ｂ＝１．００５１（２）ｎｍ，ｃ＝０．８０８１（１）ｎｍ，Ｖ＝０．７４２４（３）ｎｍ３，Ｚ＝１２，Ｄｘ＝１１．２９７ｇ／ｃｍ３，μ＝９９．２５ｍｍ－１（λＭｏＫα＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝２１００，Ｔ＝２９６Ｋ，对于３１个修正参数和２５５个独立可观察衍射点ｗＲ＝０．０６９．此结构中，Ｒｅ原子处于Ｓｉ原子所形成的配位畸变八面体中心，这些ＲｅＳｉ６通过共面和共棱形成之字形无限柱，柱之间通过共顶和Ｓｉ原子的共价成键桥联形成三维网络结构．从此结构和其它相同１∶１∶２配比硅化合物结构的比较可以得出结论，低族过渡金属Ｍｎ、Ｒｅ等倾向于硅的八面体配位，而高族过渡金属Ｆｅ、Ｃｏ。 展开更多
关键词 晶体结构 金属间化合物 过渡金属 成键 hfresi2
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