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HSQ用于电子束曝光的性能分析 被引量:2
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作者 赵珉 陈宝钦 +2 位作者 刘明 谢常青 朱效立 《微细加工技术》 EI 2008年第4期10-13,共4页
作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏... 作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。 展开更多
关键词 hsq(hydrogen silsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应
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双电源自动转换开关电器——HSQ系列双电源自动切换装置
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作者 朱希余 赵文闯 《华通技术》 2001年第4期25-29,共5页
一、引言 随着社会经济迅速发展,城市用电急剧增加,在诸如电信、银行、医院、化工、消防、交通、商场、高层建筑等重要场所不允许停电,若因停电可能会带来重大经济损失的场合应采用两路电源(常用电源、备用电源)供电.
关键词 开关电器 双电源自动转换 hsq系列 双电源自动切换装置 电网
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电子束光刻HSQ显影对比度中的图形密度效应
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作者 梁惠康 段辉高 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期137-144,共8页
氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算... 氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算,得到的结果与实际曝光的分辨率极限存在较大差异。针对这一问题,提出了与图形相关的显影对比度,提高了传统显影对比度在密集图形分辨率极限预测中的适用性。对HSQ的微观显影机理进行了阐述,分析了大块薄膜、亚10 nm周期密集高分辨结构显影过程和显影对比度曲线差异,预测和实验验证了超稀疏结构的超高显影对比度(线剂量对比度约为114)。该研究为改善HSQ工艺及提升计算光刻模型的精度提供了新的思路。 展开更多
关键词 电子束光刻(EBL) 氢倍半氧硅烷(hsq) 显影对比度 分辨率极限 显影机理 图形密度效应
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“HSQ”手印显现法通过鉴定
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作者 付军 陈向刚 《刑事技术》 1992年第6期26-,共1页
HSQ手印显现法具有物理、化学连续显现指印的功能,可将常规应用中的发现、提取、固定指印等手段合而为一,并可根据实际需要,使手印显现出不同的颜色。与国内、外常用的手印显现方法相同,具有适用客体广泛,显现效果理想,操作简便。
关键词 显现效果 hsq
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HSQ1型双电源自动切换装置
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作者 连理枝 《电世界》 2000年第1期22-22,共1页
《民用建筑电气设计规范》(JGJ/T16-92)规定,下列负荷属于一级负荷:(1)中断供电将造成人身伤亡者;(2)中断供电将造成重大政治影响者;(3)中断供电将造成重大经济损失者;(4)中断供电将造成公共秩序严重混乱者。一级负荷是不允许中断电源的... 《民用建筑电气设计规范》(JGJ/T16-92)规定,下列负荷属于一级负荷:(1)中断供电将造成人身伤亡者;(2)中断供电将造成重大政治影响者;(3)中断供电将造成重大经济损失者;(4)中断供电将造成公共秩序严重混乱者。一级负荷是不允许中断电源的,它们必须有备用电源(独立于正常电源的专门馈电的备用电源或是快速自起动的柴油发电机组)。 展开更多
关键词 备用电源 自动切换装置 hsq1型 民用建筑
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HSQ双电源自动转换开关电路
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作者 朱希余 赵文闯 《电世界》 2002年第5期3-3,共1页
关键词 开关电器 hsq系列 执行机构 双电源自动转换开关电器
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Triethoxysilane-derived silicon quantum dots:A novel pathway to small size and high crystallinity
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作者 Yizhou He Qianxi Hao +7 位作者 Xue Yang Jiamin Yu Chi Zhang Ruoyu Li Qi Wang Shaorong Li Xiaowei Guo Serguei KLazarouk 《Journal of Materials Science & Technology》 2025年第16期59-74,共16页
The crystalline fraction is a critical parameter for assessing the quality of silicon quantum dots(SiQDs),and its enhancement is anticipated to improve the optoelectronic performance of these materials.How-ever,achiev... The crystalline fraction is a critical parameter for assessing the quality of silicon quantum dots(SiQDs),and its enhancement is anticipated to improve the optoelectronic performance of these materials.How-ever,achieving a high crystalline fraction in small-sized SiQDs produced through the pyrolysis of hydro-gen silsesquioxane(HSQ)polymers remains a significant challenge.In this study,we successfully synthe-sized SiQDs with a diameter of 3.24 nm and a crystalline fraction of 98.4%by optimizing the triethoxysi-lane(TES)/aqueous hydrochloric acid(HCl)volume ratio during the hydrolysis-condensation process.The SiQDs exhibited a photoluminescence(PL)center at 764.1 nm and an average PL quantum yield(PLQY)of 24.4%.Our findings demonstrate that the TES/aqueous HCl volume ratio significantly influences the pro-portion of cage structure and the cross-linking density of the network structure in HSQ polymers,which in turn governs SiQD size and crystalline fraction.A high proportion of cage structures in HSQ polymers contributes to high crystallinity.Notably,an increased cross-linking density within the network structure results in higher and more uniform diffusion barriers.This phenomenon not only hinders the diffusion of silicon atoms,which leads to smaller SiQD size,but also facilitates the achievement of high crystalline fraction due to uniform diffusion.This work presents a novel approach to achieving high crystallinity in small SiQDs,with implications for advanced applications in lighting,display technologies,medical imag-ing,and photovoltaics. 展开更多
关键词 Silicon quantum dots Network structure Cross-linking density Crystalline fraction PHOTOLUMINESCENCE hsq polymers
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Evaluation of Human Settlement Quality of Nyingchi City,Southeastern Qinghai-Tibet Plateau,China
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作者 LIN Feng XIN Zhongbao +1 位作者 RAN Lishan QIAN Junxi 《Chinese Geographical Science》 2025年第6期1456-1472,共17页
The construction of human settlements plays a vital role in achieving sustainable development goals.With the growing population,both urban and rural planning—as well as the development of human settlements—on the Qi... The construction of human settlements plays a vital role in achieving sustainable development goals.With the growing population,both urban and rural planning—as well as the development of human settlements—on the Qinghai-Tibet Plateau in China have received increasing attention.This study proposed a comprehensive framework to assess the quality of human settlements and identify their limiting factors of Nyingchi City,southeastern Qinghai-Tibet Plateau of China.The framework integrated a region-specific evaluation system tailored to the plateau’s unique characteristics and utilized multi-source data collected through field-based questionnaires and remote sensing.Analytical methods employed include the Criteria Importance Through Intercriteria Correlation(CRITIC)weighting method,difference analysis for evaluating spatial and categorical variations,and a novel approach introduced in this study for identifying limiting factors.In August 2021,a questionnaire-based survey was conducted in the southeastern Qinghai-Tibet Plateau,yielding 823 valid responses.The average evaluation score for human settlement quality(HSQ)was(6.96±0.94),indicating that settlement conditions were approaching the satisfaction threshold.Notably,the score for the health dimension was(6.28±1.41),reflecting relatively underdeveloped health services in the region.From the perspective of spatial patterns,despite its favorable natural conditions,the HSQ in Medog County was relatively backward,reflecting uncoordinated development that warrants attention.Significant differences were observed in the perceptions of human settlements among different groups in terms of ethnicity,income,and educational background.Low ratings for income and employment conditions represented a major limitation to the local HSQ.The development of human settlements in the southeastern Qinghai-Tibet Plateau still needs further promotion due to population disparities and the challenges of creating a healthy environment in high-altitude regions.The results are valuable for improving human settlements in plateau regions,which can help make targeted policy recommendations. 展开更多
关键词 human settlement quality(hsq) questionnaire survey criteria importance through intercriteria correlation(CRITIC)weight method multisource data evaluation Nyingchi City Qinghai-Tibet Plateau China
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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化 被引量:4
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作者 李欣 刘建朋 +5 位作者 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期73-77,共5页
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 展开更多
关键词 hsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线
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双电源自动转换开关电器
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作者 朱希余 赵文闯 《上海电器技术》 2002年第1期46-48,52,共4页
关键词 hsq系列 工作原理 双电源自动转换开关电器
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大高宽比微纳结构制备关键技术 被引量:1
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作者 赵健 董连和 +3 位作者 朱效立 谢常青 陈宝钦 史佩雄 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第10期685-690,共6页
利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子... 利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子产生的电子束曝光邻近效应的影响;通过显影液掺适量氯化钠的溶液配比的显影技术有效提高了图形对比度并且分析了氯化钠与HSQ的作用机理;利用二氧化碳超临界干燥法来抑制气液界面毛细管表面张力作用导致的抗蚀剂结构的坍塌和粘连。实验得到了高宽比为12∶1、侧壁陡直性良好的大面积密集纳米结构。 展开更多
关键词 hsq 电子束光刻 抗蚀剂工艺 CO2超临界干燥 大高宽比结构
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Box-Behnken设计-效应面法优化离子液体提取废次茶叶中咖啡因工艺 被引量:7
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作者 黄飞 徐慧敏 +3 位作者 王杰 黄涛 黄成相 吴孔林 《天然产物研究与开发》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期489-496,共8页
以咖啡因的提取率为评价指标,在单因素实验基础上,通过Box-Behnken设计-效应面法考察料液比、浸提时间、浸提温度、离子液体[HSO_3-pmim]^+[HSO_4]^-浓度4个因素对咖啡因提取率的影响。实验结果表明,离子液体[HSO_3-pmim]^+[HSO_4]^-提... 以咖啡因的提取率为评价指标,在单因素实验基础上,通过Box-Behnken设计-效应面法考察料液比、浸提时间、浸提温度、离子液体[HSO_3-pmim]^+[HSO_4]^-浓度4个因素对咖啡因提取率的影响。实验结果表明,离子液体[HSO_3-pmim]^+[HSO_4]^-提取咖啡因的最优提取工艺为:料液比为0.05 g/mL,浸提时间为160 min,浸提温度为90℃,离子液体浓度为70%,咖啡因的提取率为95.1 mg/5 g茶样。Box-Behnken设计-效应面法优化离子液体[HSO_3-pmim]^+[HSO_4]^-提取废次茶叶中咖啡因,提取工艺合理,方法简便,精确度高,可预测性好。 展开更多
关键词 Box-Behnken设计-效应面法 离子液体[HSO3-pmim]+[HSO4]- 废次茶叶 咖啡因
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高亮度硅纳米晶发光峰位的调制
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作者 陈家荣 王东辰 +2 位作者 陆明 张弛 张玉琼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期479-484,共6页
镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),... 镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),通过控制腐蚀时间改变Si-nc的粒径和发光峰位。采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光和拉曼光谱等表征Si-nc∶SiO_(2)的结构和性能。将HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品与蒸镀方法制备的Si-nc∶SiO_(2)进行比较,得出采用HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品的性能远高于采用蒸镀方法制备的样品的性能,最终获得了发光波长为570 nm(黄光)、610 nm(橙光)和730 nm(红光)的Si-nc∶SiO_(2)。 展开更多
关键词 Si-nc∶SiO_(2) 氢硅倍半环氧乙烷(hsq) 光致发光 蒸镀 腐蚀
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Nonlinear Solubility Behavior of Polymer and Oligomer Resists at Electron Beam Modification
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作者 Katia Vutova Georgy Mladenov +4 位作者 Elena Koleva Ivan Kostic Anna Bencurova Pavol Nemec TakeshiTanaka 《材料科学与工程(中英文B版)》 2011年第4期523-529,共7页
关键词 线性聚合物 电子束改性 行为机制 溶解度 齐聚物 电子束光刻 倍半硅氧烷 曝光剂量
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