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双级HPPMS靶电流对TiN镀层微观结构及耐蚀性的影响 被引量：5
1
作者 郝娟 蒋百灵 +2 位作者 杨超 杜玉洲 王戎 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期2991-2996,共6页
为了解决传统高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)平均沉积速率低的问题,研究提出一种新型的双级HPPMS技术,即在一个脉冲周期内具有两个连续的、独立可调的脉冲阶段。通过对双级HPPMS电场的合理调配,可制备得到结构致密的TiN镀层,研究了双级HPPM... 为了解决传统高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)平均沉积速率低的问题,研究提出一种新型的双级HPPMS技术,即在一个脉冲周期内具有两个连续的、独立可调的脉冲阶段。通过对双级HPPMS电场的合理调配,可制备得到结构致密的TiN镀层,研究了双级HPPMS靶电流对TiN镀层微观结构及耐蚀性的影响。结果表明,当靶电流增大至20 A时,靶面形貌由小凹坑转变为大面积凹坑,说明镀料粒子的脱靶方式由碰撞溅射转变为升华或蒸发。同时,当靶电流为10 A时,镀层颗粒呈现三棱锥状结构,平均晶粒尺寸为11 nm;当靶电流增大至25 A时,镀层颗粒呈现光滑致密的圆胞状结构,平均晶粒尺寸为18 nm,光滑致密的组织结构使镀层具有较好的耐蚀性。 展开更多
关键词 双级hppms 靶电流 沉积速率
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溅射气压对铝合金表面HPPMS沉积钒薄膜摩擦学性能的影响 被引量：1
2
作者 李春伟 田修波 +3 位作者 刘天伟 秦建伟 巩春志 杨士勤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1017-1022,共6页
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜。研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响。结果表明:不同气压下制备的V薄膜中的V相仅沿(111)晶面生长,其衍射峰强度先增强后减弱,当气压为0.5Pa时,衍射峰... 采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜。研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响。结果表明:不同气压下制备的V薄膜中的V相仅沿(111)晶面生长,其衍射峰强度先增强后减弱,当气压为0.5Pa时,衍射峰最强且择优取向最明显;同时,V薄膜表面质量最好,其表面粗糙度最小仅为0.267nm。室温下V薄膜样品的耐磨性能与基体相比有大幅提高,当气压为0.5Pa时,摩擦系数可由基体的0.57下降到0.28,磨痕表面无明显的剥落迹象,表现出最佳的摩擦磨损性能。经过200和300℃加热处理后的V薄膜样品的摩擦系数与基体相比具有稳定的低值,这是由于表面氧化造成的。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射(hppms) V薄膜 溅射气压 摩擦系数 退火
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1kA高功率脉冲磁控溅射电源研制及试验研究 被引量：11
3
作者 桂刚 田修波 +3 位作者 朱宗涛 吴忠振 巩春志 杨士勤 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期46-50,共5页
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)以其在真空镀膜上更大的优势而越来越受到重视,高压大电流电源是实现HPPMS的关键因素。本文研制了1000 A高功率脉冲磁控溅射电源,给出了电源框架图和主电路拓扑结构图。对脉冲部分采用仿真分析探索大模块IGBT... 高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)以其在真空镀膜上更大的优势而越来越受到重视,高压大电流电源是实现HPPMS的关键因素。本文研制了1000 A高功率脉冲磁控溅射电源,给出了电源框架图和主电路拓扑结构图。对脉冲部分采用仿真分析探索大模块IGBT的不均流因素,结果表明驱动一致性是影响均流的关键原因之一;分析了大电流时IGBT两端电压过冲问题,采用RCD吸收和续流回路能有效抑制电压过冲,使电压过冲在正常安全范围内。用所研制的电源进行等离子体负载实验,运行良好,为性能优异薄膜的制备奠定硬件基础。 展开更多
关键词 hppms 1000A电源研制 逆变 并联均流 电压过冲
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高功率脉冲磁控溅射等离子体特性与动力学研究进展（英文） 被引量：5
4
作者 夏原 高方圆 李光 《中国科学院大学学报（中英文）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期145-154,共10页
高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)作为一项极具发展前途的物理气相沉积新技术,近年来引起学术界和工业界的广泛关注.HIPIMS技术(也被称为HPPMS)可以提供足够的放电功率来获得极高的电流密度,数值达到几个A·cm-2;同时,可以得到1019m-3量... 高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)作为一项极具发展前途的物理气相沉积新技术,近年来引起学术界和工业界的广泛关注.HIPIMS技术(也被称为HPPMS)可以提供足够的放电功率来获得极高的电流密度,数值达到几个A·cm-2;同时,可以得到1019m-3量级的高密度等离子体.溅射过程中独特的等离子体特性表明了该技术的突出优势,因此可实现沉积过程的控制和薄膜性能的优化.文中对HIPIMS技术的IV放电特征,电源设计,以及溅射原子离化率进行深入分析.同时,回顾讨论等离子体时间空间演变规律,离化基团输运,薄膜沉积速率等问题的研究进展. 展开更多
关键词 HIPIMS hppms 等离子体动力学 放电特性 高离化率
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调制中频高功率脉冲磁控溅射电源的设计
5
作者 张凤晓 王浪平 《无线互联科技》 2015年第18期55-56,共2页
文章指出叠加直流的HPPMS技术有直流部分占空比较高和不可控制2大缺点,在做沉积薄膜实验时无法提供溅射所需的高功率,导致空比较低,溅射效率稍低的高功率脉冲产生。为了解决问题,需要研制一台电源,并且该电源可以用中频调制脉冲高功率... 文章指出叠加直流的HPPMS技术有直流部分占空比较高和不可控制2大缺点,在做沉积薄膜实验时无法提供溅射所需的高功率,导致空比较低,溅射效率稍低的高功率脉冲产生。为了解决问题,需要研制一台电源,并且该电源可以用中频调制脉冲高功率磁控溅射MPP(Modulated pulsed power),普通高功率磁控溅射系统中的直流部分可以用低频脉冲来代替,尽可能减少低频脉冲占空比并且可以确保充分预处理,使高功率脉冲占空比尽可能最大,提高系统的溅射效率。 展开更多
关键词 调制脉冲 磁控溅射 hppms MPP
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磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术
6
作者 陈宇 李民英 《电力电子》 2012年第3期14-18,共5页
电源在磁控溅射法制备透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术中起着重要的作用。本文重点介绍了磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展现状及进展,首先简要说明了目前应用最广泛的直流电源技术及具备灭弧能力的脉冲电源技术的原理和主要优缺点。进一步... 电源在磁控溅射法制备透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术中起着重要的作用。本文重点介绍了磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展现状及进展,首先简要说明了目前应用最广泛的直流电源技术及具备灭弧能力的脉冲电源技术的原理和主要优缺点。进一步的,介绍了具备快速灭弧补偿功能的新型直流电源技术和模块化电源技术。最后进一步分析了代表新一代技术的高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)电源的基本原理和优良特性,并指出其发展所面临的挑战。 展开更多
关键词 TCO薄膜 磁控溅射 电源 hppms
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磁控溅射法沉积TCO薄膜的电源技术 被引量：1
7
作者 陈宇 李民英 《电源世界》 2012年第7期21-25,共5页
电源在磁控溅射法制备透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术中起着重要的作用。本文重点介绍了磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展现状及进展,首先简要说明了目前应用最广泛的直流电源技术及具备灭弧能力的脉冲电源技术的原理和主要优缺点。进一步... 电源在磁控溅射法制备透明导电氧化物(TCO)薄膜的技术中起着重要的作用。本文重点介绍了磁控溅射TCO薄膜的电源技术发展现状及进展,首先简要说明了目前应用最广泛的直流电源技术及具备灭弧能力的脉冲电源技术的原理和主要优缺点。进一步的,介绍了具备快速灭弧补偿功能的新型直流电源技术和模块化电源技术。最后进一步分析了代表新一代技术的高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)电源的基本原理和优良特性,并指出其发展所面临的挑战。 展开更多
关键词 TCO薄膜 磁控溅射 电源 hppms
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