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混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB_2超导薄膜技术 被引量:2
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作者 周章渝 杨发顺 +2 位作者 王松 杨健 傅兴华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期893-896,共4页
介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生... 介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响。结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高。 展开更多
关键词 MGB2超导薄膜 沉积温度 混合物理化学气相法(hpcvd)
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基于FIB/HPCVD的MgB;超导微桥制备
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作者 张新月 李艳丽 +1 位作者 孔祥东 韩立 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第12期1100-1107,共8页
超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)Si... 超导微桥是决定超导热电子混频器性能的关键结构,为提高超导热电子混频器的工作温度并拓宽其中频带宽,用超导转变温度约40 K的MgB;超导薄膜制备超导微桥。研究了一种MgB;超导微桥的制备方法。首先利用聚焦离子束(FIB)直写技术在(0001)SiC衬底上制备出尺寸约1μm×1μm的微桥结构,然后采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法,在带有微桥结构的SiC衬底上生长厚度约20 nm的MgB;薄膜,从而得到MgB;超导微桥。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,微桥处的薄膜致密,晶粒沿垂直于衬底表面的c轴方向生长;原子力显微镜(AFM)分析薄膜的粗糙度约为0.8 nm;电阻-温度(R-T)测试结果表明,MgB;微桥的上超导转变温度约为40.43 K;由电流-电压(I-V)测试结果计算得到MgB;超导微桥的临界电流密度约为1.2×10^(7)A/cm^(2)。该工作对基于超导微桥结构的超导热电子混频器等超导电子学器件的制备具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB) 混合物理化学气相沉积(hpcvd) MGB 薄膜 超导微桥 超导热电子混频器
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基于HPCVD的二硼化镁超薄膜制备技术研究
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作者 赵敏燕 徐红艳 +2 位作者 张焱 孔祥东 韩立 《微纳电子技术》 2025年第12期49-56,共8页
随着超导纳米线单光子探测器(SNSPD)和超导热电子(HEB)混频器等超导薄膜器件的广泛应用,减小薄膜厚度以提升器件灵敏度成为关键研究方向。为此,采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法成功制备了不同厚度的纳米级MgB2超薄膜,并详细分析了9 n... 随着超导纳米线单光子探测器(SNSPD)和超导热电子(HEB)混频器等超导薄膜器件的广泛应用,减小薄膜厚度以提升器件灵敏度成为关键研究方向。为此,采用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法成功制备了不同厚度的纳米级MgB2超薄膜,并详细分析了9 nm超薄膜的性能。利用原子力显微镜(AFM)表征的薄膜表面粗糙度(Rq)约为0.77 nm,扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果显示,该超薄膜表面晶粒取向一致,晶粒大小均匀。采用四探针法测量薄膜在不同磁场强度下的电阻-温度(R-T)曲线,表明零磁场下的零电阻转变温度(Tzcero)达到28.05 K,超导转变宽度(ΔTc)为1.39 K,剩余电阻比(RRR)为1.42。在该薄膜上制备了20μm×70μm的微桥,测量了该微桥在5~28 K温度区间的电流-电压(IV)特性曲线,零磁场下20 K时的临界电流密度(Jc)为1.39×10^(7)A/cm^(2)。该研究为基于MgB2超薄膜的高性能超导器件的制备提供了研究基础。 展开更多
关键词 二硼化镁(MgB2) 超导薄膜 混合物理化学气相沉积(hpcvd) 超导转变温度 临界电流密度
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Fabrication and characterization of MgB_(2)spherical shells with reduced thickness on 1 mm diameter Si_(3)N_(4)spheres
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作者 Ruining Sun Tiequan Xu +2 位作者 Yue Wang Furen Wang Zizhao Gan 《Chinese Physics B》 2025年第7期558-564,共7页
Magnetic levitation of the fusion target by coating a thin MgB_(2)superconducting shell on its outer surface has recently been proposed in inertial confinement fusion(ICF)to realize a noncontact support of the target ... Magnetic levitation of the fusion target by coating a thin MgB_(2)superconducting shell on its outer surface has recently been proposed in inertial confinement fusion(ICF)to realize a noncontact support of the target at~20 K to boost the implosion performance and fusion yield.To avoid possible effects on target ablation,the coated MgB_(2)shell is anticipated to be as thin as possible while fulfilling the target levitation requirements.Under this circumstance,the fabrication of an MgB_(2)shell with reduced thickness has been explored using a hybrid physical-chemical vapour deposition method.By gradually decreasing the deposition time,a set of MgB_(2)shells were grown on 1 mm diameter Si_(3)N_(4)spheres with the thickness reducing from 720 nm to 200 nm.The spherical shells all have a polycrystalline structure characterized by closely packed hexagonal grains,with both the grain size and thickness diminishing as the shell thickness decreases.The superconducting transition temperature Tcof the shells,as determined by both resistance and magnetization measurements,is in the range of 38-40 K and all shells exhibit ideal diamagnetism at low temperatures.For the thinnest shell of 200 nm,the superconducting critical current density Jcat 20 K reaches 8.0×10^(6)A/cm^(2)and 2.1×10^(5)A/cm^(2)under zero and 2 T applied field,respectively.The results indicate that it is experimentally feasible to fabricate MgB_(2)spherical shells with a thickness as low as 200 nm while maintaining the high Tcand Jc,thereby taking a further step towards the application of the shell in superconducting magnetic levitation for ICF. 展开更多
关键词 superconducting spherical shells MgB_(2) hpcvd critical current density
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MgB2/Mo多层膜的制备与超导性质
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作者 周章渝 肖寒 +4 位作者 王松 张青竹 王代强 陈雨青 傅兴华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期2711-2715,共5页
采用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2O3基底上制备MgB2/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。结果表明,随着后续MgB2沉积... 采用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al2O3基底上制备MgB2/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。结果表明,随着后续MgB2沉积温度的提高,各膜层结晶程度进一步提高,晶粒尺寸不断增大,各自保持着良好的物质稳定性。在730℃下生长的MgB2薄膜的超导转变温度Tconset和零电阻温度Tc0分别为39.73和39.53 K,剩余电阻率ρ40K为0.77μΩ·cm,表明样品处于干净极限。 展开更多
关键词 混合物理化学气相沉积法 磁控溅射技术 MgB2/Mo多层膜
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Cu衬底MgB_2超导晶须的制备及性质
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作者 王亚洲 庄承钢 冯庆荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A04期146-149,共4页
通过混合物理化学气相沉积法,在Cu衬底上制备出长有MgB2超导晶须的厚膜。MgB2晶须顶端直径在1μm左右,根部直径约200nm,长约4μm,整体呈现出六角锥状。通过实验条件的分析,知道衬底表面上方MgB2饱和度不一致,中间较周边低,可能导致了MgB... 通过混合物理化学气相沉积法,在Cu衬底上制备出长有MgB2超导晶须的厚膜。MgB2晶须顶端直径在1μm左右,根部直径约200nm,长约4μm,整体呈现出六角锥状。通过实验条件的分析,知道衬底表面上方MgB2饱和度不一致,中间较周边低,可能导致了MgB2晶须生长在衬底周边区域。 展开更多
关键词 MgB2晶须 Cu衬底 混合物理化学气相沉积
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