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HCMOS器件的γ辐射效应
1
作者 楼滨乔 薛志华 刘美丽 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期378-384,共7页
本文介绍HCMOS器件的γ辐射损伤和退火效应的结果。HCMOS器件的静态功耗电流和动态特性对剂量十分灵敏,它们的退火效应也很明显。
关键词 hcmos器件 γ辐射效应 退火效应
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HCMOS器件γ辐射损伤电路分析
2
作者 楼滨乔 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期243-246,共4页
本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。
关键词 辐射损伤 阈电压移动 hcmos器件
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28系列E^2PROM在HCMOS型单片机中的特殊应用
3
作者 孙晖 黄林芳 《机电工程》 CAS 1998年第4期24-25,共2页
通过对电擦除可编程只读存储器E2PROMAT28C64运行方式的讨论,提出了在HCMOS型单片机中,用单片28系列E2PROM兼作程序存储器和数据存储器的一种实用方法。
关键词 E^2PROM 单片机 只读存储器 hcmos 28系列
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F100 HCMOS系列:振荡器
4
《世界电子元器件》 2011年第8期27-27,共1页
Fox Electronics Asia Ltd.推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1.8V(F110系列)、2.5V(F140系列)和3.3V(F130系列)三种选择,频率范围在1.0MHz-80.0MHz之间,全部均... Fox Electronics Asia Ltd.推出F100 HCMOS系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,适用于小型便携设备。该系列振荡器备有1.8V(F110系列)、2.5V(F140系列)和3.3V(F130系列)三种选择,频率范围在1.0MHz-80.0MHz之间,全部均采用侧高低至0.8mm、占位面积为2.0mm×1.6mm的紧凑型封装。 展开更多
关键词 hcmos F100 振荡器 Electronics F110系列 便携设备 频率范围 LTD
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CMOS/HCMOS ICs振荡器
5
作者 丛江滋 《电子技术参考》 1989年第4期35-47,共13页
关键词 振荡器 CMOS/hcmos IC
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HCMOS集成电路的特性
6
作者 曾庆贵 《现代通信》 1994年第10期17-18,共2页
HCMOS集成电路的特性曾庆贵本文介绍HCMOS集成电路的直流特性$if交流特性,并且和CMOS、LSTTL等电路进行比较。一、功耗CMOS集成随路的最大优点是低功耗。HCMOS保留了这个特点.它的功耗包括协态功耗和... HCMOS集成电路的特性曾庆贵本文介绍HCMOS集成电路的直流特性$if交流特性,并且和CMOS、LSTTL等电路进行比较。一、功耗CMOS集成随路的最大优点是低功耗。HCMOS保留了这个特点.它的功耗包括协态功耗和动态功耗。HCMOS电路的静态功耗... 展开更多
关键词 hcmos 集成电路 特性 场效应管
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从CMOS到HCMOS
7
作者 曾庆贵 《现代通信》 1994年第8期25-26,共2页
从CMOS到HCMOS曾庆贵半导体成电路的发明是20世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作,因此有人称之为硅集成电路。现在也有少量以砷化锦为衬底材料的隼成电路。集成电路(兀)可以按不同的标准分类。如... 从CMOS到HCMOS曾庆贵半导体成电路的发明是20世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作,因此有人称之为硅集成电路。现在也有少量以砷化锦为衬底材料的隼成电路。集成电路(兀)可以按不同的标准分类。如果根据功都,有数字IC和模拟IC之... 展开更多
关键词 CMOS hcmos 半导体 集成电路
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HCMOS施密特触发器
8
作者 曾庆贵 《现代通信》 1995年第2期24-26,共3页
HCMOS施密特触发器曾庆贵数字系统经常会接收到上升时何和下降时伺比较长的输入信号,例如从滤波器输出的信号、数据传输装置信号、转换器输出信号以及由变压器或振荡器取得的信号。从理论上讲,虽然HCMOS集成电路输入端和输... HCMOS施密特触发器曾庆贵数字系统经常会接收到上升时何和下降时伺比较长的输入信号,例如从滤波器输出的信号、数据传输装置信号、转换器输出信号以及由变压器或振荡器取得的信号。从理论上讲,虽然HCMOS集成电路输入端和输出端之间有很高的增益,能产生矩形输... 展开更多
关键词 施密特触发器 触发器 hcmos 集成电路
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HCMOS触发器的应用
9
作者 曾庆贵 《现代通信》 1995年第8期23-25,共3页
触发器是HCMOS74系列中很重要的一类,具有较多的品种.HCMOS触发器包括D触发器和JK触发器,如表1和表2所示.
关键词 触发器 hcmos 应用
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HCMOS振荡器
10
作者 曾庆贵 《现代通信》 1995年第1期27-28,共2页
HCMOS振荡器曾庆贵与CMOS的信况相同,用HCMOS集成电路组成的振荡器,一般也分为两类:RC振荡器和晶体(或者陶瓷谐振器)振荡器。晶体振荡器的频率稳定是性好,精度高,但是比较昂贵。在稳定性和精度的要求不太高时使... HCMOS振荡器曾庆贵与CMOS的信况相同,用HCMOS集成电路组成的振荡器,一般也分为两类:RC振荡器和晶体(或者陶瓷谐振器)振荡器。晶体振荡器的频率稳定是性好,精度高,但是比较昂贵。在稳定性和精度的要求不太高时使用RC振荡器比较合适,在低频、高性... 展开更多
关键词 振荡器 hcmos 集成电路
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HCMOS集成电路的接口和使用
11
作者 沈毅 《现代通信》 1994年第11期22-23,共2页
HCMOS集成电路的接口和使用沈毅使用HCMOS集成电路的目的,是要充分利用它功耗低和速度高等优点.如果有可能的话,整个系统都应该全部选用HCMOS器件。如果为了使系统达到最佳性能不得不刀D人一些其他器件时,即HCM... HCMOS集成电路的接口和使用沈毅使用HCMOS集成电路的目的,是要充分利用它功耗低和速度高等优点.如果有可能的话,整个系统都应该全部选用HCMOS器件。如果为了使系统达到最佳性能不得不刀D人一些其他器件时,即HCMOS和其他系列器件的混合使用,就会... 展开更多
关键词 集成电路 hcmos电路 接口
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HCMOS计数器及其应用
12
作者 曾庆贵 《现代通信》 1996年第1期21-24,共4页
HCMOS计数器及其应用曾庆贵每一种数字系统,几乎都要用计数器。计数器是可以记录输入脉冲并加以计算的电路,它由记忆电路和组合电路两部分组成。记忆电路多采用触发器,而组合电路则是各种逻辑门电路。如果按数制对讲数器分类,... HCMOS计数器及其应用曾庆贵每一种数字系统,几乎都要用计数器。计数器是可以记录输入脉冲并加以计算的电路,它由记忆电路和组合电路两部分组成。记忆电路多采用触发器,而组合电路则是各种逻辑门电路。如果按数制对讲数器分类,有二进制和二一十进制之分;按功能分... 展开更多
关键词 hcmos计数器 计数器 数字系统
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彩电遥控微控制器
13
作者 潘桂忠 丁逸 纪兰花 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期412-416,共5页
采用2μmN阱硅栅HCMOS技术,研制并批量生产了彩电遥控微控制器,其性能符合设计和用户提出的要求,达到了国外同类产品性能指标。
关键词 微控制器 hcmos 彩电
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MyFrequency公司TCXO
14
《电子产品世界》 2006年第09X期49-49,共1页
MyFrequency推出MS系列TCXO,整体稳定性±4.6ppm,包括初始容限、工作温度、负载和电压变化以及15年寿命。HCMOS/TTL输出MSTCXO的工作电压可以是5.0V和3.3V,有多种不同的通孔和SMD封装。
关键词 TCXO 整体稳定性 TTL输出 hcmos SMD封装 工作温度 电压变化
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Fox Electronics提供适用于宽温度范围的±25ppm XpressO振荡器
15
《电子世界》 2011年第12期4-4,共1页
频率控制解决方案供应商Fox Electronics公司现在推出采用微型3.2mm×2.5mm封装的XpressO XO振荡器产品,在-20℃到+70℃的工作温度范围内具有±25ppm的超级频率稳定性。新型HCMOS 3.3VFXO-HC33是Fox Electronics全系列高... 频率控制解决方案供应商Fox Electronics公司现在推出采用微型3.2mm×2.5mm封装的XpressO XO振荡器产品,在-20℃到+70℃的工作温度范围内具有±25ppm的超级频率稳定性。新型HCMOS 3.3VFXO-HC33是Fox Electronics全系列高性能低成本XpressO振荡器的型号。这一系列的振荡器均具有非常小的抖动。 展开更多
关键词 Electronics公司 振荡器 宽温度范围 工作温度范围 频率稳定性 hcmos 频率控制 供应商
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针对光纤通道配置而优化的专用XpressO振荡器
16
《今日电子》 2011年第8期60-60,共1页
全新光纤通道专用XO振荡器具有±50×10^-6的频率稳定性,并可根据需求提供更高的稳定性。该系列产品包括106.25MHZ、159.375MHz和212.50MHz型款,106.25MHz型款备有HCMOS和LVPECL输出,159.375MHz型具有LVPECL输出,而212... 全新光纤通道专用XO振荡器具有±50×10^-6的频率稳定性,并可根据需求提供更高的稳定性。该系列产品包括106.25MHZ、159.375MHz和212.50MHz型款,106.25MHz型款备有HCMOS和LVPECL输出,159.375MHz型具有LVPECL输出,而212.50MHz型款则提供LVPECL和LVDS输出。这些新型XpressO振荡器具有三态启用/禁用特性,可让用户开启和关断输出。 展开更多
关键词 光纤通道 振荡器 通道配置 LVPECL 频率稳定性 优化 hcmos LVDS
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综合信息
17
《微电子技术》 1999年第4期51-52,共2页
关键词 光致抗蚀剂 静压轴承 hcmos 双面研磨 新技术 1998年上半年 高刚性 准确度 全球定位系统 硅圆片
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制作片上系统(SOC)用0.15μm CMOS工艺
18
《微电子技术》 1998年第6期5-5,共1页
关键词 片上系统 hcmos CMOS工艺 功率器件 低功耗 有效面积 研究开发 金属布线 工艺制作 工作电压
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意法半导推出新一代微处理器锁定高性能网络和嵌入式应用
19
《中国集成电路》 2010年第9期2-2,共1页
意法半导体发布业内首款整合双ARM Cortex—A9内核和DDR3(第三代双速率)内存接口的嵌入式处理器。新产品SPEAr1310采用意法半导体的低功耗55nm HCMOS(高速CMOS)制程,为多种嵌入式应用提供高计算和定制功能,同时兼具系统级芯片的... 意法半导体发布业内首款整合双ARM Cortex—A9内核和DDR3(第三代双速率)内存接口的嵌入式处理器。新产品SPEAr1310采用意法半导体的低功耗55nm HCMOS(高速CMOS)制程,为多种嵌入式应用提供高计算和定制功能,同时兼具系统级芯片的成本竞争优势。 展开更多
关键词 意法半导体 嵌入式应用 高性能网络 微处理器 锁定 嵌入式处理器 hcmos 系统级芯片
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Effect of Transition Metals on Selective Hydrogenation of Cinnamaldehyde over Pt/ZrO_2 Catalysts
20
作者 Guo Hua LAI Ren Xian ZHOU +1 位作者 Xiao Xiang HAN Xiao Ming ZHENG Institute of Catalysis, Zhejiang University, Hangzhou 310028 Zhejiang Medical Col1ege, Hangzhou 310053 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2004年第12期1494-1496,共3页
The effect of transition metals (Cr, Mn, Fe, Co and Ni) on the hydrogenation ofcinnamaldehyde over Pt/ZrO_2 catalysts was studied in ethanol at 343K under 2.0MPa H_2 pressure.PtCo/ZrO_2 and PtFe/ZrO_2 catalysts exhibi... The effect of transition metals (Cr, Mn, Fe, Co and Ni) on the hydrogenation ofcinnamaldehyde over Pt/ZrO_2 catalysts was studied in ethanol at 343K under 2.0MPa H_2 pressure.PtCo/ZrO_2 and PtFe/ZrO_2 catalysts exhibit high selectivity and activity of hydrogenation for C=O(93.8% at 87.3% conversion and 83.6% at 88.6% conversion, respectively), and PtNi/ZrO_2 exhibitshigh selectivity of hydrogenation for C=C (64.3% at 70.6% conversion). In the presence of traceH_2O and NaOH, over the PtNi/ZrO_2 (0.4wt%Ni) catalyst the selectivity to hydrocinnamaldehydereaches 90.6% and the conversion of cinnamaldehyde is 90.5%. 展开更多
关键词 HYDROGENATION cinnamaldehyde (CMA) cinnamyl alcohol (CMO) phenylpropanol(HCMO) hydrocinnamaldehyde (HCMA).
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