期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到783篇文章
< 1 2 … 40 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
重离子导致的SOI SiGe HBT的SET效应数值模拟研究
1
作者 李府唐 郭刚 +4 位作者 张峥 孙浩瀚 刘翠翠 史慧琳 欧阳晓平 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期714-722,共9页
锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转... 锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)具有优异的低温性能以及抗总剂量效应和位移损伤的能力,但是其对单粒子效应(SEE)较敏感。利用计算机辅助设计技术(TCAD)构建了SiGe HBT模型,研究了衬底类型、重离子入射位置、器件温度和重离子线性能量转移(LET)值对SiGe HBT单粒子瞬态(SET)效应的影响。研究结果表明,集电极/衬底结及其附近是器件的SET效应敏感区域,绝缘体上硅(SOI)工艺的引入有助于提高SiGe HBT的抗SEE能力。此外,载流子迁移率与自由载流子浓度是影响器件SET温度依赖性的最主要因素,随着温度进一步降低至极端低温,杂质不完全电离的影响也愈发凸显。随着LET值升高,SOI SiGe HBT的SET效应显著增强。尤其在低温与高LET耦合作用下,器件的SET电流峰值和电荷收集量远超在其他辐照条件下的。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管(SiGe hbt) 绝缘体上硅(SOI)工艺 单粒子瞬态(SET) 单粒子效应(SEE) 计算机辅助设计技术(TCAD)
原文传递
220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器 被引量：2
2
作者 孙岩 程伟 +4 位作者 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。 展开更多
关键词 集成功率放大器 GHZ INP Dhbt 南京电子器件研究所 单片 hbt工艺 饱和输出功率
原文传递
漆酶/HBT介质系统对靛蓝染料及废水脱色的初步研究 被引量：20
3
作者 刘晓波 闫世梁 +2 位作者 李宗伟 李培睿 李宗义 《环境污染与防治》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期27-30,共4页
以云芝(Trametes versicolor)1126发酵所得漆酶粗酶液与1-羟基苯并三唑(HBT)组成的漆酶/HBT介质系统对靛蓝染料进行脱色实验,分别考察了温度、转速、pH和HBT与漆酶的加入量等条件对靛蓝染料脱色的影响。最终确定的优化脱色条件为:温度60... 以云芝(Trametes versicolor)1126发酵所得漆酶粗酶液与1-羟基苯并三唑(HBT)组成的漆酶/HBT介质系统对靛蓝染料进行脱色实验,分别考察了温度、转速、pH和HBT与漆酶的加入量等条件对靛蓝染料脱色的影响。最终确定的优化脱色条件为:温度60℃,转速200r/min,pH4.5,100mL靛蓝染料"溶液"中粗酶液和HBT溶液分别加入2mL。以上述脱色条件对靛蓝印染废水进行脱色实验,反应80min,脱色率可达90.1%。 展开更多
关键词 漆酶/hbt介质系统 靛蓝 脱色
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 被引量：9
4
作者 张鹤鸣 戴显英 +2 位作者 林大松 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期305-308,共4页
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0 展开更多
关键词 hbt 组分剖面 基区渡越时间 锗化硅
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT基区渡越时间模型 被引量：11
5
作者 林大松 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 孙建诚 何林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期456-461,共6页
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起... 建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响 . 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 锗化硅 hbt 基区渡越时间模型
在线阅读 下载PDF
电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析 被引量：7
6
作者 黄文韬 王吉林 +4 位作者 刘志农 陈长春 陈培毅 钱佩信 孟祥提 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期213-216,共4页
研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在... 研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。 展开更多
关键词 电子辐照 SiGe异质结晶体管(hbt) Si双极晶体管(BJT) 电学特性
在线阅读 下载PDF
自对准GaInP/GaAs HBT器件 被引量：8
7
作者 钱永学 刘训春 +1 位作者 王润梅 石瑞英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期513-516,共4页
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 ( HBT) ,其特征频率 ( ft)达到 5 4 GHz,最高振荡频率 ( fmax)达到 71GHz,并且 ,这种方法工艺简单 ,成品率高 .文中还对该结果进行了分析 。
关键词 异质结双极晶体管 镓铟磷/镓砷 T形发射极 铡向内切 hbt
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应 被引量：3
8
作者 刘书焕 林东生 +10 位作者 郭晓强 刘红兵 江新标 朱广宁 李达 王祖军 陈伟 张伟 周辉 邵贝贝 李君利 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期78-83,共6页
测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截... 测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理. 展开更多
关键词 SIGE hbt 辐射效应 反应堆
在线阅读 下载PDF
高性能pin/HBT集成光接收机前端设计 被引量：4
9
作者 崇英哲 黄辉 +3 位作者 王兴妍 王琦 黄永清 任晓敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期248-250,共3页
　分析了pin/HBTOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(... 　分析了pin/HBTOEIC跨阻光接收机前端设计中影响带宽和灵敏度的因素,并根据小信号等效电路推导了器件3dB带宽与反馈电阻、灵敏度及噪声电流的关系式。分析表明,这种集成方式的光接收机前端具有高速、高灵敏度的特性,在高速光通信系统(大于等于10Gbit/s)和波分复用系统中有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 hbt PIN光探测器 OEIC 光接收机前端
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT的发展及其在微波/射频通讯中的应用 被引量：6
10
作者 周卫 刘道广 严利人 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期552-558,共7页
经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场的巨大需求。文章简要回顾了SiGe HBT的发展过程... 经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场的巨大需求。文章简要回顾了SiGe HBT的发展过程,认为SiGe技术今后将成为混合信号通讯系统SOC集成的技术平台。 展开更多
关键词 SiGe外延 SIGE hbt SIGE BICMOS 微波/射频通讯
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析 被引量：4
11
作者 王祖军 刘书焕 +5 位作者 唐本奇 陈伟 黄绍艳 肖志刚 张勇 刘敏波 《电子器件》 CAS 2009年第3期534-537,共4页
分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β... 分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律。 展开更多
关键词 SIGE hbt 电流增益 截止频率 掺杂浓度 数值模拟
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型 被引量：7
12
作者 戴显英 吕懿 +3 位作者 张鹤鸣 何林 胡永贵 胡辉勇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期86-89,共4页
　在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,... 　在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,载流子浓度分布对基区渡越时间有较大影响。 展开更多
关键词 SiGe-hbt 大电流密度 基区渡越时间模型 载流子浓度分布 迁移率 锗化硅
在线阅读 下载PDF
SiGe HBT及高速电路的发展 被引量：5
13
作者 姚飞 成步文 王启明 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期5-14,共10页
详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。
关键词 SiGe hbt 噪声特性 结构 制作工艺 寄生效应 高速电路 异质结双极晶体管 功率放大器 硅锗
在线阅读 下载PDF
微波低噪声SiGe HBT的研制 被引量：3
14
作者 钱伟 张进书 +2 位作者 贾宏勇 林惠旺 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期445-450,共6页
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益... 利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。 展开更多
关键词 微波 低噪声 锗化硅 hbt 晶体管
在线阅读 下载PDF
多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析 被引量：3
15
作者 王扬 张万荣 +2 位作者 谢红云 金冬月 邱建军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期81-84,119,共5页
提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型,使用有限元方法,对一个十... 提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型,使用有限元方法,对一个十指的分段结构功率SiGe HBT进行了热模拟。考虑到模拟的精确性及软件的功能限制,采用两步模拟法:衬底模拟和有源区模拟。通过模拟,得到了发射极指的三维温度分布。结果表明,分段结构功率HBT的最高结温和热阻都明显低于完整发射极指结构,新结构有效地提高了器件的热稳定性。 展开更多
关键词 SIGE hbt 分段结构 热阻模型 热模拟
在线阅读 下载PDF
基于GaAs HBT功率放大器效率提升技术 被引量：4
16
作者 杨敏 万晶 +3 位作者 李跃华 贲志红 梁晓新 阎跃鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S2期222-224,共3页
针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置... 针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置状态,输出端馈电通路可同时将二次谐波短接到地,有效地提升该器件的功率附加效率。测试结果表明在不影响输出功率的前提下,效率可提升12.7%左右,而且电路形式简单,操作方便,能够广泛地应用到不同频段要求和不同输出功率的GaAs HBT功率放大器测试过程中。 展开更多
关键词 GA As hbt 效率提升 自适应偏置 馈电方式
原文传递
基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计 被引量：3
17
作者 张蔚 张万荣 +4 位作者 谢红云 金冬月 何莉剑 王扬 沙永萍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期271-274,共4页
结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了一款超宽带低噪声放大器。采用安捷伦的ADS，对设计的放大器进行了仿真验证。结果表明，... 结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了一款超宽带低噪声放大器。采用安捷伦的ADS，对设计的放大器进行了仿真验证。结果表明，该放大器在3．1～6GHz带宽内，S21高于11dB，且变化不超过3dB；S11和S22都在-15dB以下；S12低于-20dB；放大器的噪声系数在1．3-1．7dB之间，群延时在整个频带内变化在15ps左右，且在整个频带内无条件稳定。放大器良好的性能证明了提出的设计思想的正确性。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 SIGE hbt
在线阅读 下载PDF
微波HBT建模技术研究综述 被引量：9
18
作者 孙玲玲 刘军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期336-340,共5页
本文对微波异质结双极型晶体管 (HBT)发展及其应用现状、用于HBT器件的等效电路模型 ,以及HBT器件大、小信号建模技术、模型参数提取方法及研究进展进行述评 .
关键词 异质结双极型晶体管(hbt) 大信号 小信号 模型 参数提取
在线阅读 下载PDF
含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计 被引量：3
19
作者 程伟 金智 +1 位作者 于进勇 刘新宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期943-946,共4页
为了降低InPDHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理... 为了降低InPDHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果. 展开更多
关键词 INP/INGAAS hbt 复合式集电区 势垒尖峰
在线阅读 下载PDF
InGaP/GaAs HBT器件的制备及其特性 被引量：3
20
作者 周国 何先良 +3 位作者 谭永亮 杜光伟 孙希国 崔玉兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期279-282,320,共5页
采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/Ga As异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响。对制备的两种器件进行了对比测试后得... 采用在发射区台面腐蚀时保留InGaP钝化层和去除InGaP钝化层的方法制备了两种InGaP/Ga As异质结双极晶体管(HBT)器件,研究了InGaP钝化层对HBT器件基区表面电流复合以及器件直流和射频微波特性的影响。对制备的两种器件进行了对比测试后得到:保留InGaP钝化层的HBT器件最大直流增益(β)为130,最高振荡频率(fmax)大于53 GHz,功率附加效率达到61%,线性功率增益为23 dB;而去除InGaP钝化层的器件最大β为50,f_(max)大于43 GHz,功率附加效率为57%,线性功率增益为18 dB。测试结果表明,InGaP钝化层作为一种耗尽型的钝化层能有效抑制基区表面电流的复合,提高器件直流增益,改善器件的射频微波特性。 展开更多
关键词 InGaP/GaAs异质结双极晶体管(hbt) InGaP钝化 直流增益 射频微波特性 表面复合
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 40 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部