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含硼聚乙烯复合材料构型对中子屏蔽性能的影响
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作者 焦力敏 王智鹏 +5 位作者 高旭东 张沛东 孙谦 陈磊 王长武 庄大杰 《工程塑料应用》 北大核心 2025年第7期69-74,共6页
针对传统屏蔽材料体积和质量较大导致放射性物质运输成本高、运输效率低的问题,基于中子与物质相互作用的机理和梯度材料的设计理念,构建了以聚乙烯为基体,碳化硼为填料的梯度复合材料,提高了复合材料的屏蔽性能。通过TopMC软件计算了... 针对传统屏蔽材料体积和质量较大导致放射性物质运输成本高、运输效率低的问题,基于中子与物质相互作用的机理和梯度材料的设计理念,构建了以聚乙烯为基体,碳化硼为填料的梯度复合材料,提高了复合材料的屏蔽性能。通过TopMC软件计算了穿透不同构型、不同厚度以及不同填料含量的材料的中子注量,并从中子能量分布的角度探讨了梯度构型对屏蔽性能的增强机制。计算结果表明,相比均匀构型和多层构型的复合材料,采用梯度构型的屏蔽材料具有更好的屏蔽能力,梯度构型复合材料的屏蔽增强率达9.39%,并且穿透中子的能量分布结果显示梯度材料显著降低了能量在0.5~<300eV的中子的穿透性,更大程度地发挥了填料的作用。随着材料厚度的增加,屏蔽性能逐渐增强,穿透12cm厚材料的中子注量是穿透6cm厚材料的15%,并且在一定厚度范围内,厚度和材料构型具有协同作用。此外,硼含量对屏蔽性能的增强存在阈值,10.5%质量分数的硼可兼顾材料的成本与性能。该研究为放射性物质运输领域轻量化、高效能中子屏蔽材料的设计与优化提供了参考。 展开更多
关键词 运输容器 乏燃料 中子屏蔽 含硼聚乙烯 复合材料 梯度材料 模拟计算
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仿生碳化硼陶瓷在单兵防弹领域的应用与研究进展
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作者 王晓东 罗加祺 +1 位作者 李莎 桑国龙 《兵器装备工程学报》 北大核心 2025年第4期328-338,共11页
碳化硼(B_(4)C)陶瓷材料因其硬度大、质量轻的优点在单兵防弹领域有着重要的实际应用,提高其力学性能和防弹性能可有效应对单兵武器杀伤力的迭代升级。许多自然生物材料的组分简单、结构精细、成型条件温和,且有着优异的抗冲击性能,通... 碳化硼(B_(4)C)陶瓷材料因其硬度大、质量轻的优点在单兵防弹领域有着重要的实际应用,提高其力学性能和防弹性能可有效应对单兵武器杀伤力的迭代升级。许多自然生物材料的组分简单、结构精细、成型条件温和,且有着优异的抗冲击性能,通过模仿它们跨尺度、多级次的复合结构来制备仿生结构碳化硼陶瓷有望大幅提升单兵防护系统的防护性能。总结了8种仿生结构材料的力学性能特点,根据力学性能特点选取了梯度结构陶瓷、层状结构陶瓷的制造方式和在防弹防护领域中的破坏机制等进行了详细综述,并提出通过细化粉体粒径尺寸、优化制造工艺、采用多尺度数值仿真方法研究冲击载荷下陶瓷板的断裂行为,以提升制造的仿生陶瓷微观结构精细度,为B4C陶瓷的仿生结构设计、制备及单兵防弹领域提供参考。 展开更多
关键词 仿生结构 仿生碳化硼陶瓷 梯度结构 层状结构 力学性能
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Synthesis and characterization of p-type boron-doped IIb diamond large single crystals 被引量:3
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作者 李尚升 马红安 +4 位作者 李小雷 宿太超 黄国锋 李勇 贾晓鹏 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期521-526,共6页
High-quality p-type boron-doped IIb diamond large single crystals are successfully synthesized by the temperature gradient method in a china-type cubic anvil high-pressure apparatus at about 5.5 GPa and 1600 K. The mo... High-quality p-type boron-doped IIb diamond large single crystals are successfully synthesized by the temperature gradient method in a china-type cubic anvil high-pressure apparatus at about 5.5 GPa and 1600 K. The morphologies and surface textures of the synthetic diamond crystals with different boron additive quantities are characterized by using an optical microscope and a scanning electron microscope respectively. The impurities of nitrogen and boron in diamonds are detected by micro Fourier transform infrared technique. The electrical properties including resistivities, Hall coefficients, Hall mobilities and carrier densities of the synthesized samples are measured by a four-point probe and the Hall effect method. The results show that large p-type boron-doped diamond single crystals with few nitrogen impurities have been synthesized. With the increase of quantity of additive boron, some high-index crystal faces such as {113} gradually disappear, and some stripes and triangle pits occur on the crystal surface. This work is helpful for the further research and application of boron-doped semiconductor diamond. 展开更多
关键词 boron-DOPED type-IIb diamond temperature gradient method semiconductor
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Characterisation of the high-pressure structural transition and elastic properties in boron arsenic
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作者 吕兵 令狐荣锋 +1 位作者 易勇 杨向东 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第7期430-436,共7页
This paper carries out the First principles calculation of the crystal structures (zinc blende (B3) and rocksalt (B1)) and phase transition of boron arsenic (BAs) based on the density-functional theory. Using ... This paper carries out the First principles calculation of the crystal structures (zinc blende (B3) and rocksalt (B1)) and phase transition of boron arsenic (BAs) based on the density-functional theory. Using the relation between enthalpy and pressure, it finds that the transition phase from the B3 structural to the B] structural occurs at the pressure of l13.42GPa. Then the elastic constants Cll, C12, C44, bulk modulus, shear modulus, Young modulus, anisotropy factor, Kleinman parameter and Poisson ratio are discussed in detail for two polymorphs of BAs. The results of the structural parameters and elastic properties in B3 structure are in good agreement with the available theoretical and experimental values. 展开更多
关键词 phase transition elastic properties generalised gradient approximation boron arsenic
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高效背结异质结太阳电池硼掺杂非晶硅发射极研究 被引量:1
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作者 宿世超 赵晓霞 +2 位作者 田宏波 王伟 宗军 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期132-137,共6页
晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影... 晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影响电池转换效率。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备HJT太阳电池,通过改变B_(2)H_(6)的掺杂浓度,对电池中p-a-Si∶H层进行优化,使HJT电池获得0.75%的相对效率提升。进一步地,将发射极设置为梯度掺杂的双层结构,经过优化,少子寿命(@Δn=5×10^(15)cm^(-3))和隐开路电压(@1-Sun)分别提升400μs和3 mV,最终具有梯度掺杂发射极的电池其平均效率相对提升2.03%,主要表现为FF和Voc的明显增加,实现了高效HJT电池p型发射极的工艺优化。 展开更多
关键词 HJT太阳电池 硼掺杂非晶硅发射极 暗电导率 掺杂浓度 梯度掺杂
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优质Ⅱb型宝石级金刚石大单晶的高温高压合成 被引量:4
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作者 李尚升 臧传义 +9 位作者 马红安 田宇 张亚飞 肖宏宇 黄国锋 马利秋 李勇 陈孝洲 李小雷 贾晓鹏 《超硬材料工程》 CAS 2008年第4期1-3,17,共4页
实验在国产六面顶压机上利用温度梯度法合成优质Ⅱb型宝石级金刚石。研究发现在约5.5GPa和约1300℃的条件下,添加剂硼的加入使合成Ⅱb型金刚石的形貌较Ⅱa型宝石级金刚石有较大不同,文章分析了产生该现象的原因;实验还发现随着硼添加量... 实验在国产六面顶压机上利用温度梯度法合成优质Ⅱb型宝石级金刚石。研究发现在约5.5GPa和约1300℃的条件下,添加剂硼的加入使合成Ⅱb型金刚石的形貌较Ⅱa型宝石级金刚石有较大不同,文章分析了产生该现象的原因;实验还发现随着硼添加量的增加,所合成Ⅱb型宝石级金刚石的颜色由浅变深。结果实验获得了尺寸达4mm的优质Ⅱb型宝石级金刚石大单晶。 展开更多
关键词 Ⅱb型宝石级金刚石 温度梯度法 高温高压合成
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沉积温度对温度梯度法制备氮化硼薄膜结构和硬度的影响(英文) 被引量:1
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作者 王明娥 巩水利 +5 位作者 马国佳 刘星 张林 王达望 陆文琪 董闯 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1108-1111,共4页
采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜。研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能。结果显示,对于氮化硼立方相的出现存在温度阈值,薄膜的硬度随沉积温度提高而提高。相对于传统薄膜制备... 采用温度梯度法,通过MW-ECR射频磁控溅射在硅片基底上制备了六方和立方混合的氮化硼薄膜。研究了薄膜的键结构,化学成分和力学性能。结果显示,对于氮化硼立方相的出现存在温度阈值,薄膜的硬度随沉积温度提高而提高。相对于传统薄膜制备方法,温度梯度方法具有更高的效率。 展开更多
关键词 氮化硼薄膜 溅射 温度梯度法 硬度
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TC4在不同温度下固态渗碳化硼研究 被引量:5
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作者 申超英 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2009年第16期149-151,共3页
为改善钛及钛合金的表面性能,研究了TC4在不同温度下固态渗碳化硼后的渗层显微组织及硬度。结果表明:渗层表面为致密分布的化合物层,而在基体内部则形成沿晶界分布的板条状或等轴状的颗粒扩散层;表面碳化硼处理可显著提高TC4的表面硬度... 为改善钛及钛合金的表面性能,研究了TC4在不同温度下固态渗碳化硼后的渗层显微组织及硬度。结果表明:渗层表面为致密分布的化合物层,而在基体内部则形成沿晶界分布的板条状或等轴状的颗粒扩散层;表面碳化硼处理可显著提高TC4的表面硬度,而且由表及里具有良好的硬度梯度;断口形貌分析发现材料由韧性断裂转变成脆性断裂。该工艺设备简单,操作方便,效率高,成本低。 展开更多
关键词 TC4 碳化硼 显微组织 表面硬度 梯度
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Ⅱb型宝石级金刚石的表征及半导体特性研究 被引量:3
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作者 李尚升 刘书强 +6 位作者 李小雷 宿太超 肖宏宇 马红安 罗宁 王利英 贾晓鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期165-167,共3页
利用温度梯度法在高温高压国产六面顶压机上成功合成出尺寸达4mm的优质Ⅱb型宝石级金刚石。利用显微红外吸收光谱对所合成的黄色、无色及蓝色宝石级金刚石的氮、硼杂质进行了测试。通过对比分析认为所合成的除氮、掺硼蓝色宝石级金刚石... 利用温度梯度法在高温高压国产六面顶压机上成功合成出尺寸达4mm的优质Ⅱb型宝石级金刚石。利用显微红外吸收光谱对所合成的黄色、无色及蓝色宝石级金刚石的氮、硼杂质进行了测试。通过对比分析认为所合成的除氮、掺硼蓝色宝石级金刚石为Ⅱb型。利用四探针法和霍尔效应法对不同掺硼量所合成的Ⅱb型宝石级金刚石半导体性质进行了测试;总结了掺硼量与金刚石半导体性质之间的变化关系;分析认为硼的添加对Ⅱb型宝石级金刚石的半导体特性的变化起到了决定性作用。 展开更多
关键词 高温高压 Ⅱb型宝石级金刚石 温度梯度法 半导体特性
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钢件渗硼机理探讨
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作者 王超 谢光中 《中国矿业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期98-104,共7页
鉴于钢件渗硼机理诸多观点说法不一,且存在一些矛盾,本文从热力学和扩散理论分析了钢件渗硼机制,提出了一些新的观点,并被试验所证实。
关键词 渗硼 浓度梯度 钢件
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硼掺杂梯度对硬质合金金刚石涂层的影响 被引量:2
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作者 夏鑫 余寒 +9 位作者 花腾宇 马莉 陈玉柏 汤昌仁 梁瑜 王一佳 邓泽军 周科朝 余志明 魏秋平 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第6期676-684,共9页
为提高硬质合金刀具上金刚石涂层的结合性能,采用热丝化学气相沉积法在YG 8硬质合金基体上沉积高、低梯度硼掺杂微米金刚石(high gradient boron-doped micron crystal diamond,HGBMCD;low gradient boron-doped micron crystal diamond... 为提高硬质合金刀具上金刚石涂层的结合性能,采用热丝化学气相沉积法在YG 8硬质合金基体上沉积高、低梯度硼掺杂微米金刚石(high gradient boron-doped micron crystal diamond,HGBMCD;low gradient boron-doped micron crystal diamond,LGBMCD)涂层和无硼掺杂的微米金刚石(micrometer crystal diamond,MCD)涂层,探究沉积过程中硼掺杂浓度的梯度大小对金刚石涂层的形核和生长性能的影响。结果表明:随着硼的掺入,金刚石的形核密度增大,生长6 h后的金刚石晶粒更均匀细小,其中LGBMCD的晶粒尺寸大部分在2~3μm;而石墨相在梯度硼掺杂金刚石涂层中的生长会被抑制,HGBMCD中IDia/IG高达14.65,残余应力仅为–0.255 GPa,且Co2B、CoB等硼钴化合物含量随硼掺杂梯度的减小而增大;金刚石涂层的残余应力因硼的掺入逐渐从压应力转变成拉应力,残余应力大小先减小后增大;洛氏压痕显示,随着硼的掺入,金刚石涂层的结合性能提高,LGBMCD的结合性能最好,在1470 N下可达到HF2级。因此,适当的硼掺杂梯度有利于提高金刚石涂层的质量和结合性能。 展开更多
关键词 结合性能 梯度硼掺杂 残余应力 硼掺杂金刚石涂层
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热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散 被引量:1
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作者 文娇 刘畅 +4 位作者 俞文杰 张波 薛忠营 狄增峰 闵嘉华 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期205-208,共4页
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/Si Ge异质界面的硼(B)浓度梯度抑制... 利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/Si Ge异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散。总之,Si/Si Ge互扩散作用越强诱发Si/Si Ge异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化。 展开更多
关键词 Si/SiGe互扩散 热载荷 硼浓度梯度
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