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CMOS Gilbert混频器的设计及研究进展 被引量:2
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作者 王姹妹 赵为粮 《通信技术》 2005年第S1期37-39,共3页
介绍了CMOS射频IC的发展趋势以及混频器的基本概念。针对Gilbert单元这种目前应用最为广泛的混频器电路结构,分析其工作原理并提出设计时要考虑的因素。针对基本Gilbert单元的不足之处,综述了近几年研究工作的进展情况。
关键词 CMOS gilbert单元 混频器
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Mixers of Ultra-High Gain from 5.0 to 18.0 GHz
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作者 Hsin-Chia Yang Jui-Ming Tsai +3 位作者 Cheng-Huang Tsao Mu-Chun Wang Sungching Chi Tsin-Yuan Chang 《Wireless Engineering and Technology》 2013年第1期1-4,共4页
Mixers in the communication system provide the possibility of encoding and decoding radio-frequency EM waves with signals through the help of local oscillators. A mixer with capability of high conversion gain, good is... Mixers in the communication system provide the possibility of encoding and decoding radio-frequency EM waves with signals through the help of local oscillators. A mixer with capability of high conversion gain, good isolation, and good linearity is comparably appreciated. Extensively wide ranges of frequencies, from 5.0 to 18.0 GHz, are to be examined addressing the promising functions of mixers in this study. A TSMC 0.18 μm CMOS model implanted in Agilent ADS is used for the circuit designs. Generated from Gilbert Cell Mixer, the modified circuits take advantage of extra active and passive devices to optimize the conversion gains. Characteristics of high conversion gain over 20 dB or even higher (as high as 29.842 dB at -40 mW RF power at working frequency 6 GHz) and low noise figures (NF) are shown. 展开更多
关键词 gilbert Cell mixer P1dB LINEARITY Noise FIGURE (NF) Conversion Gain Isolation
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A Current Bleeding CMOS Mixer Featuring <i>LO</i>Amplification Based on Current-Reused Topology
3
作者 Wah Ching Lee Kim Fung Tsang +1 位作者 Yi Shen Kwok Tai Chui 《Circuits and Systems》 2013年第1期58-66,共9页
A double balanced Gilbert-cell class-A amplifier bleeding mixer (DBGC CAAB mixer) is proposed and implemented. The injection current is utilized to amplify the local oscillator (LO) signal to improve the performance o... A double balanced Gilbert-cell class-A amplifier bleeding mixer (DBGC CAAB mixer) is proposed and implemented. The injection current is utilized to amplify the local oscillator (LO) signal to improve the performance of the transconductor stage. The DBGC CAAB mixer achieves a conversion gain of 17.5 dB at -14 dBm LO power, and the noise figure is suppressed from 45 dB to 10.7 dB. It is important to stress that the new configuration will not drain additional power in contrast to the former current bleeding mixers. This topology dramatically relieves the requirement of the LO power. The DBGC CAAB mixer is implemented by using 0.18-μm RFCMOS technology and operates at the 2.4 GHz ISM application with 10 MHz intermediate frequency. The power consumption is 12 mA at 1.5 V supply voltage. The DBGC CAAB mixer features the highest FOM figure within a wide range of LO power. 展开更多
关键词 mixer gilbert-Cell CURRENT BLEEDING Noise Conversion Gain Current-Reuse Class-A Amplifier
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基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器 被引量:1
4
作者 程知群 李进 +3 位作者 傅开红 周云芳 徐胜军 张胜 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期811-814,共4页
设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺... 设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。 展开更多
关键词 吉尔伯特混频器 电流注入 闪烁噪声 增益
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一种0.5~5GHz改进型折叠混频器 被引量:1
5
作者 岳宏卫 王豪 韦保林 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第3期372-374,378,共4页
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于双平衡Gilbert单元的宽带低噪声亚阈值混频器。采用折叠型结构,在跨导级添加LC并联谐振电路,控制开关管工作在亚阈值区,以提高增益、降低噪声,同时降低本振功率。与传统的折叠混频器相比,该电... 采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于双平衡Gilbert单元的宽带低噪声亚阈值混频器。采用折叠型结构,在跨导级添加LC并联谐振电路,控制开关管工作在亚阈值区,以提高增益、降低噪声,同时降低本振功率。与传统的折叠混频器相比,该电路的增益达到9.5~18.4dB,噪声仅为6.1~7.2dB,在1.8V电压下功耗为18.18mW。 展开更多
关键词 gilbert混频器 亚阈值 双平衡
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基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计 被引量:2
6
作者 周少华 《吉首大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第3期51-54,共4页
采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明:在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在... 采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明:在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在1 MHz中频处的单边带噪声系数为7.47 dB,在100 kHz中频处为9.35 dB,在10 kHz中频处为16.39 dB;变频增益降为8.46 dB.提高了线性度,且其三阶交调点为8.42 dBm. 展开更多
关键词 吉尔伯特型混频器 正交混频器 CMOS工艺
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一种低噪声、高增益的直接下变频混频器 被引量:1
7
作者 高海军 郭桂良 +2 位作者 阴亚东 杜占坤 阎跃鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期488-493,共6页
针对零中频接收机的应用,提出了一种低噪声、高增益的直接下变频混频器,并用0.25μmCMOS工艺实现。这种混频器结构采用电流复用注入技术,并且在开关管的共源端并联了一个谐振电感。电流复用注入提高了转换增益;谐振电感消除了共源端的... 针对零中频接收机的应用,提出了一种低噪声、高增益的直接下变频混频器,并用0.25μmCMOS工艺实现。这种混频器结构采用电流复用注入技术,并且在开关管的共源端并联了一个谐振电感。电流复用注入提高了转换增益;谐振电感消除了共源端的寄生电容,抑制了射频信号的泄漏,减小了由间接开关机理产生的闪烁噪声。仿真得到这个混频器输出1/f噪声的拐点频率小于100kHz。在2.645GHz的射频输入下,测试得到的转换增益为15.5dB,输入三阶交调点为-3.8dBm,在中频1M处的单边带噪声系数为9.2dB。 展开更多
关键词 混频器 闪烁噪声 直接下变频 电流注入 吉尔伯特单元
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高线性度的CMOS下变频混频器的设计 被引量:3
8
作者 张云珠 翁强 +2 位作者 吴建辉 张萌 闫道中 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期220-223,270,共5页
采用正交反馈的跨导级设计了一种基于数字电视调谐芯片中的高线性度的下变频混频器,该混频器在3.3V的工作电压下,采用改进的Gilbert单元,使用基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺进行流片测试,结果表明该混频器IIP3可达到15dBm,增益达到9dB。
关键词 下变频混频器 gilbert 线性度
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一款工作于2.4GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器(英文) 被引量:1
9
作者 姜梅 张兴 +5 位作者 王新安 刘珊 徐锋 汪波 宗洪强 沈劲鹏 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期538-544,共7页
对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声,利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关,同时在PMOSFETs处并联... 对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声,利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关,同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器,不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压,以避免下级电路的饱和,并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时,在输入跨导(Gm)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度,采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18μm 1-Poly6-Metal RF CMOS工艺,在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。 展开更多
关键词 直接下转换接收机 RF前端 有源双平衡gilbert混频器 低噪声分流电路 1/f噪声 共栅放大器 电容交叉耦合
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120 GHz GaAs MMIC双平衡式基尔伯特混频器 被引量:1
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作者 张亮 陈凤军 +4 位作者 罗显虎 韩江安 程序 成彬彬 邓贤进 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第2期179-183,共5页
作为低频段混频电路中的典型拓扑结构,基尔伯特单元在毫米波、太赫兹领域的应用较少,在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单片微波集成电路(MMIC)设计中,超过100 GHz的基尔伯特混频器很少有文献报导。基于70 nmGaAsmHEMT工艺,设计了一款120 GHz的双... 作为低频段混频电路中的典型拓扑结构,基尔伯特单元在毫米波、太赫兹领域的应用较少,在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单片微波集成电路(MMIC)设计中,超过100 GHz的基尔伯特混频器很少有文献报导。基于70 nmGaAsmHEMT工艺,设计了一款120 GHz的双平衡式基尔伯特混频器,同时对该混频器版图结构进行优化改进,提升了混频器中频差分输出端口间的平衡度。仿真结果显示该混频器在本振输入0 dBm功率时,在100~135 GHz频率范围内有(-7.6±1.5) dB的变频损耗,射频输入1 dB压缩点为0 dBm@120 GHz,中频输出带宽大于10 GHz,差分输出信号间的功率失配<1 dB,相位失配<4°。该芯片直流功耗为90 mW,面积为1.5 mm×1.5 mm。 展开更多
关键词 双平衡式基尔伯特混频器 GAAS mHEMT工艺 单片微波集成电路
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GPS接收机中的下变频混频器的设计与实现 被引量:2
11
作者 江炜 周健军 《电子测量技术》 2008年第12期159-161,176,共4页
本文设计了一个应用于GPS接收机的下变频混频器。该混频器的RF,LO,IF信号的频率分别是1.576GHz,1.572GHz和4MHz。混频器的供电电压为3V。基于SMIC 0.18μm CMOS RF工艺模型,采用Cadence SpectreRF仿真器进行仿真,取得的转换增益(convers... 本文设计了一个应用于GPS接收机的下变频混频器。该混频器的RF,LO,IF信号的频率分别是1.576GHz,1.572GHz和4MHz。混频器的供电电压为3V。基于SMIC 0.18μm CMOS RF工艺模型,采用Cadence SpectreRF仿真器进行仿真,取得的转换增益(conversion gain)为15.19dB,噪声系数(NF)为16.5dB,三阶输入交调点(ⅡP3)为-0.535dBm,消耗的DC电流为5.4mA。混频器的版图总面积为420μm×220μm。提取寄生参数,后仿真的结果为:转换增益为15.66dB,NF为17.53dB,ⅡP3为-3.2dBm,消耗的DC电流为5.3mA。 展开更多
关键词 混频器 gilbert单元 电荷注入
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一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计 被引量:4
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作者 危长明 陈迪平 陈弈星 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期65-69,共5页
针对无线通讯设备面向高性能、低成本、低电压、低功耗和小体积的应用,对基本的CMOS Gilbert混频器构架加以改进。改进后的混频器在3V下具有高线性度(IIP3=7.4dBm),隔离度较高,提供13dB的变频增益,而噪声也在12.5dB以下。
关键词 混频器 线性度 噪声系数 低电压 吉尔伯特
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一种基于130 nm CMOS工艺的K波段混频器 被引量:1
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作者 彭尧 何进 +3 位作者 陈鹏伟 王豪 常胜 黄启俊 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第4期483-486,共4页
基于130 nm CMOS工艺,设计了工作于K波段的双平衡下变频混频器。在传统吉尔伯特单元基础上采用电流复用注入结构,减小了开关级的偏置电流,提升了开关性能。在开关级源端引入谐振电感,消除了开关共源节点处的寄生电容,抑制了射频信号的泄... 基于130 nm CMOS工艺,设计了工作于K波段的双平衡下变频混频器。在传统吉尔伯特单元基础上采用电流复用注入结构,减小了开关级的偏置电流,提升了开关性能。在开关级源端引入谐振电感,消除了开关共源节点处的寄生电容,抑制了射频信号的泄露,提高了增益,减小了噪声。仿真结果表明,输入射频信号为24 GHz,本振信号为24.5 GHz,本振输入功率为-3 d Bm时,该混频器的转换增益为25.8 d B,单边带噪声系数为6.4 d B,输入3阶互调截点为-8.6 d Bm。 展开更多
关键词 K波段 下变频 混频器 电流复用注入 吉尔伯特单元
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高线性度有源混频器的设计 被引量:1
14
作者 李桂琴 宋树祥 +2 位作者 岑明灿 刘国伦 谢丽娜 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第6期2184-2190,共7页
针对吉尔伯特混频器电路转换增益和线性度低的问题,设计了一个高转换增益、高线性度下变频有源混频器,其电路跨导级采用电流镜结构和第三阶跨导系数消除结构,通过设置晶体管工作在不同的区域,使得晶体管的第三阶跨导系数相互消除,以提... 针对吉尔伯特混频器电路转换增益和线性度低的问题,设计了一个高转换增益、高线性度下变频有源混频器,其电路跨导级采用电流镜结构和第三阶跨导系数消除结构,通过设置晶体管工作在不同的区域,使得晶体管的第三阶跨导系数相互消除,以提高电路的转换增益和线性度。电路采用TSMC 0. 18μm RF CMOS工艺。Cadence Spectre-RF软件仿真结果表明,在工作电压为1. 2 V、射频频率为5. 2 GHz、本振频率为5 GHz、中频频率为200 MHz时,所设计的混频器电路的转换增益为21. 9 d B,噪声系数为16. 5 d B,线性度(输入三阶交调点IIP3)为21. 68 d Bm,功耗为2. 3 m W,转换增益由典型指标10 d B提升至21. 9 d B,线性度由典型指标5 d Bm提升至21. 68 d Bm。可见,所设计的混频器电路的转换增益和线性度得到有效改善。 展开更多
关键词 混频器 吉尔伯特 转换增益 CADENCE 线性度
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K波段pHEMT下变频混频器的设计与研究 被引量:2
15
作者 李罡 余凯 +3 位作者 李思臻 章国豪 周正轩 刘祖华 《信息技术与网络安全》 2018年第5期97-101,共5页
提出了一种应用于K波段的下变频双平衡微波混频器,电路基于吉尔伯特结构并集合了两个片上巴伦转换器,获得了良好的转换增益、较高的线性度和较低的功率。电路实现基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,并采用ADS软件完成... 提出了一种应用于K波段的下变频双平衡微波混频器,电路基于吉尔伯特结构并集合了两个片上巴伦转换器,获得了良好的转换增益、较高的线性度和较低的功率。电路实现基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,并采用ADS软件完成的电路设计及版图EM仿真。仿真结果表明,在电源电压为5 V、本振信号输入功率为0 dBm时,混频器工作在中心频率24 GHz时的转换增益为7.2 dBm,P1dB为6 dBm,混频器的最大输出功率为8 dBm,芯片面积为0.9 mm^2。 展开更多
关键词 吉尔伯特 混频器 双平衡 PHEMT K波段
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一种高线性度低噪声下变频混频器 被引量:3
16
作者 高胜凯 高博 +1 位作者 龚敏 周银强 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期502-506,共5页
采用SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种高线性度、低噪声下变频混频器。通过分析跨导级电流3阶展开项系数,优化跨导级偏置电压,在跨导级与开关级之间增加谐振频率为射频信号频率的LC并联谐振电路,在提高电路线性度的同时优化了信噪... 采用SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种高线性度、低噪声下变频混频器。通过分析跨导级电流3阶展开项系数,优化跨导级偏置电压,在跨导级与开关级之间增加谐振频率为射频信号频率的LC并联谐振电路,在提高电路线性度的同时优化了信噪比。后仿真结果表明,在射频频率为1.575GHz,本振频率为1.571GHz,中频频率为4 MHz时,本振功率为0dBm,电压转换增益为19.22dB,输入3阶交调点为21.93dBm,单边带噪声系数为11.74dB。混频器工作电压为1.8V,功耗为3.66mW,核心电路版图面积为0.207 5mm^2。 展开更多
关键词 混频器 吉尔伯特 高线性度 闪烁噪声
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吉尔伯特型CMOS零中频混频器的设计
17
作者 张武龙 周少华 《吉首大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第4期76-78,86,共4页
利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术,应用CMOS工艺,利用Candence设计了一款1.8V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示,混频器在1MHz,100kHz,10kHz处的单边带噪声系数为6.109,6.71,10.631dB,... 利用动态电流注入、共源节点谐振、改善2阶线性度性能技术,应用CMOS工艺,利用Candence设计了一款1.8V电源电压折叠式Gilbert型有源零中频混频器.电路仿真结果显示,混频器在1MHz,100kHz,10kHz处的单边带噪声系数为6.109,6.71,10.631dB,频率转换的增益为11.389dB,输入的3阶交调点为4.539dBm. 展开更多
关键词 吉尔伯特型混频器 零中频 CMOS工艺 设计
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一种20〜30GHz高增益混频器设计
18
作者 孟益超 文进才 孙玲玲 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2021年第1期19-24,共6页
设计了一种利用吉尔伯特结构、基于0.18μm的CMOS工艺的20~30GHz范围变频混频器。首先,设计变压器巴伦以实现电路信号的差分输入,并在中频输出端增加电阻反馈的缓冲放大级,实现了提高混频器转换增益的目的;随后利用吉尔伯特高平衡结构,... 设计了一种利用吉尔伯特结构、基于0.18μm的CMOS工艺的20~30GHz范围变频混频器。首先,设计变压器巴伦以实现电路信号的差分输入,并在中频输出端增加电阻反馈的缓冲放大级,实现了提高混频器转换增益的目的;随后利用吉尔伯特高平衡结构,实现了电路拥有更优端口隔离度的目的。仿真结果表明,在20~30 GHz频段范围内,当本振功率等于-6 dBm时,设计的混频器实现了7.8~9.8 dB范围的高转换增益,其中电路各端口隔离度均优于27 dB。此外,当工作电压为1.8 V时,混频器的静态工作电流为10.5 mA,芯片面积为1.41 mm×0.88 mm。 展开更多
关键词 吉尔伯特混频器 变压器巴伦 CMOS工艺 高增益
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用于802.11a的5.5GHz低噪声正交混频器的设计
19
作者 薛茹燕 《信息技术》 2007年第6期64-66,共3页
设计了一种新的工作在5.5GHz的低噪声正交混频器。为了减少传统Gilbert正交混频器中的噪声,使用了一个电感来抵消寄生电容对于噪声系数的影响。经过仿真在1.8V电压下,当本振(LO)、射频(RF)和中频(IF)的频率分别为5.51GHz,5.5GHz和10MHz... 设计了一种新的工作在5.5GHz的低噪声正交混频器。为了减少传统Gilbert正交混频器中的噪声,使用了一个电感来抵消寄生电容对于噪声系数的影响。经过仿真在1.8V电压下,当本振(LO)、射频(RF)和中频(IF)的频率分别为5.51GHz,5.5GHz和10MHz的情况下,单边带噪声系数(SSB NF)可以低至8.33dB,三阶输入截至点(IIP3)为2.88dBm,功耗为14.4mW。 展开更多
关键词 gilbert混频器 正交混频器 噪声系数
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射频前端CMOS有源混频器的设计
20
作者 李桂琴 宋树祥 +2 位作者 岑明灿 刘国伦 张泽伟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期57-62,共6页
混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一... 混频器是射频前端电路中的一个重要模块。设计了一个低电压高增益的下变频混频器,对混频器经典的吉尔伯特电路结构进行了改进,采用跨导系数修正技术、电流注入结构提高混频器的增益、噪声和线性度性能,并且在跨导级的漏极端口并联了一个电感,消除寄生电容,减小间接开关机理闪烁噪声。本电路采用TSMC 180 nm RF CMOS工艺,在1. 2 V的工作电压下,Cadence软件仿真验证表明,射频频率为2. 4 GHz,本振频率为2. 39 GHz,中频频率为10 MHz时,所设计的混频器的转换增益为28. 4 d B,噪声系数为8 d B,线性度(输入三阶交调点IIP3)为10 d Bm,功耗为6. 86 mW,混频器的整体性能指标均得到了提高,满足射频前端的应用需求。 展开更多
关键词 混频器 跨导系数修正技术 吉尔伯特 电流注入 转换增益 线性度
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