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GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
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作者 董志伟 黎晨 +1 位作者 陈培毅 钱佩信 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期139-141,共3页
为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响 ,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上 ,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析 .确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间... 为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响 ,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上 ,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析 .确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系 ,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系 ,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系 .并且在此基础上得出了一些有意义的结果 .为了更细致、精确地进行分析 ,我们分别对GeSiPMOSFET和GeSiNMOSFET在MEDICI上做了模拟 . 展开更多
关键词 gesi mosfet 纵向结构
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