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磁性Fe_3O_4/石墨烯Photo-Fenton催化剂的制备及其催化活性 被引量:19
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作者 何光裕 张艳 +2 位作者 钱茂公 陈海群 汪信 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2306-2312,共7页
采用共沉淀法制备磁性Fe3O4/GE(石墨烯)催化剂,实现Fe3O4纳米颗粒生长和氧化石墨烯还原同步进行,采用FTIR、XRD、TEM及低温氮吸附-脱附等对Fe3O4/GE纳米催化剂的物相、颗粒粒径及比表面积进行了表征。在H2O2存在条件下,以亚甲基蓝为目... 采用共沉淀法制备磁性Fe3O4/GE(石墨烯)催化剂,实现Fe3O4纳米颗粒生长和氧化石墨烯还原同步进行,采用FTIR、XRD、TEM及低温氮吸附-脱附等对Fe3O4/GE纳米催化剂的物相、颗粒粒径及比表面积进行了表征。在H2O2存在条件下,以亚甲基蓝为目标降解物,考察了在模拟太阳光下Fe3O4/GE的催化活性,当氧化石墨烯与Fe3O4的质量比为1∶10时,经过2 h催化反应,在pH=6条件下,对亚甲基蓝的降解率达到98.7%,经过10次循环使用后对染料溶液的降解率仍保持在95.7%以上,明显优于纯的Fe3O4。 展开更多
关键词 纳米Fe3O4/GE 磁分离 Photo-Fenton反应
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用于光纤电流传感器的BGO晶体磁光特性研究 被引量:5
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作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 张鹏 赵建林 张浩 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期100-104,共5页
在理论分析Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果·同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁... 在理论分析Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体磁光特性的基础上,利用倍频法测量了不同工作波长下BGO晶体的费尔德常量,获得了与理论相符的实验结果·同时根据BGO晶体费尔德常量随波长的变化关系曲线,通过对该晶体吸收系数的测量,得出了其磁光优值曲线·进而将BGO晶体的磁光特性与光纤电流传感器常用的几种磁光材料作了对比,结果表明BGO晶体适合用于光纤电流传感器· 展开更多
关键词 Bi4Ge3O12晶体 费尔德常量 磁光优值 光纤电流传感器
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水热法合成[(C_3H_7)_2NH_2]_4(H_2O)_4Ge_4S_(10)及晶体结构分析(英文)
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作者 周书喜 柯燕雄 +4 位作者 李健民 吴新涛 陆舍铭 陈久桐 杜文新 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期421-425,465,共6页
在二丙胺存在的条件下,Ge,S,Cd2+或Mn2+于150℃水热反应生成[(C3H7)2NH2]4(H2O)4Ge4S10单晶.单晶X射线衍射分析结果显示:该单晶为四方晶系,空间群I4(1)/amd;晶胞参数a=20.9275(4) ,c=11.3351(2) .此晶体由分隔的[Ge4S10]4-团簇构成,每个... 在二丙胺存在的条件下,Ge,S,Cd2+或Mn2+于150℃水热反应生成[(C3H7)2NH2]4(H2O)4Ge4S10单晶.单晶X射线衍射分析结果显示:该单晶为四方晶系,空间群I4(1)/amd;晶胞参数a=20.9275(4) ,c=11.3351(2) .此晶体由分隔的[Ge4S10]4-团簇构成,每个[Ge4S10]4-团簇周围被四个丙二胺分子所包围. 展开更多
关键词 [Ge4S10]^4- 团族 ges4 变形四面体 水热合成 晶体结构
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BGO∶TR(TR=Nd,Er),Cr,Fe晶体的吸收光谱和发光光谱 被引量:2
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作者 刘建成 胡关钦 +4 位作者 冯锡淇 赵元龙 王效仙 薛志麟 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期297-306,共10页
在化学计量的Bi_2O_3(5N)和 GeO_2(6N)的配料里,加入0.01wt%Nd_2O_3,0.01wt%Er_2O_3,0.02wt%Cr_2O_3或0.02wt%Fe_2O_3,用 Bridgman 方法生长 Bi_4Ge_3O_(12)掺杂晶体。给出 eulytite 的结构投影和 BGO 晶体的点阵常数。掺杂稀土 BGO 晶... 在化学计量的Bi_2O_3(5N)和 GeO_2(6N)的配料里,加入0.01wt%Nd_2O_3,0.01wt%Er_2O_3,0.02wt%Cr_2O_3或0.02wt%Fe_2O_3,用 Bridgman 方法生长 Bi_4Ge_3O_(12)掺杂晶体。给出 eulytite 的结构投影和 BGO 晶体的点阵常数。掺杂稀土 BGO 晶体的室温吸收光谱由稀土离子所特有的几个吸收带所组成。采用3d^3电子的能量久期方程计算 O_h 场下掺 Cr^(3+)BGO 的库仑相互作用参数和内晶体场参数,其吸收光谱是由基态~4A_2到~2E,~4T_2和~4T_1跃迁的三个带组成。以300nm 激发观察到纯锗酸铋强的宽带发光,其峰值位置在498和550nm。这种发射被认为是 Bi^(3+)的~3P_1→~1S_0跃迁。由于存在大的 Stokes 迁移,Bi^(3+)系统猝灭心受到阻止。另外,由于~3P-~1S 能级差别大,使多声子过程中的非辐射衰减亦受到限制。通过接收498nm 发射波长,测量纯 BGO 室温激发光谱,其峰值位置在250、272和285nm,这和 M.J.Weber 测定的吸收收和反射光谱的结果基本一致。按不同波长范围分别采用光电倍增管和 PbS 接收,测量了 BGO 掺 Nd^(3+)的~4F_(3/2)→~4I_(11/2),~4I_(13/2)跃迁;掺 Er^(3+)的~4I_(13/2)→~4I_(15/2)跃迁的荧光光谱。强的荧光发射以及发射带宽界于 YAG和玻璃之间,表明掺杂稀土的 BGO 晶体是一类有希望的激光材料。 展开更多
关键词 Bi4Ge3O2 BGO 晶体 稀土元素 光谱
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声表面波用压电晶体的新进展(英文) 被引量:1
5
作者 徐家跃 武安华 +3 位作者 陆宝亮 张爱琼 范世■ 夏宗仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期553-558,共6页
报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga... 报道了我们在Li2 B4O7、Sr3 Ga2 Ge4O14 、LiNbO3 、LiTaO3 等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展。采用改进型坩埚下降法成功生长了直径 3~ 4英寸的Li2 B4O7晶体 ,并实现了批量生产。作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一 ,Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体具有最大的压电系数。报道了直径 2英寸Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的生长结果 ,测试了该晶体的压电性能。在CO2 (90 % )、H2 (10 % )混合气氛中 ,分别在 70 0℃和 4 5 0℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理 ,成功制备了 3英寸LN和LT低静电黑片 ,不仅减少了器件制作工序 ,而且使成品率提高了 5~ 8百分点。此外 ,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3 晶体 ,观察到一些新的现象。 展开更多
关键词 声表面波 压电晶体 改进型坩埚下降法 晶体生长 LiB4O7 硼酸锂 低静电黑片 Sr3Ga2Ge4O14晶体
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基于BGO晶体的反射型法拉第光纤电流传感器 被引量:10
6
作者 王美蓉 周王民 +2 位作者 赵建林 卫沛锋 张鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1186-1190,共5页
采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验... 采用Bi4Ge3O12(BGO)晶体作为传感元件,设计了一种闭合磁环型光纤电流传感器,并对其传感特性进行了理论分析和实验研究.将BGO晶体加工成一带斜面的长方体,并在端面镀金属膜,通过光在晶体中多次临界反射来增大光程以提高测量灵敏度.实验测量得到的法拉第转角与采用倍频法测量的结果符合较好,但与实际结果存在一较大比例系数.对产生该系统误差的主要因素——传感头端面金属膜反射引起的相移及入射角偏离临界角时产生的相移进行了详细地理论分析和数值模拟.结果表明,金属膜反射和偏离临界角引起的相移对测量结果均有较大影响,但输出与作用在传感头上的磁感应强度呈很好的线性关系,可以通过将传感器的测量值乘上一个补偿系数来消除反射相移所产生的误差. 展开更多
关键词 光纤电流传感器 Bi4Ge3O12(BGO)晶体 法拉第效应 反射相移
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Ge_(10)O_(28)单元构建的两个三维锗酸盐结构:(H_3O)_4Ge_7O_(16)·3H_2O和K_4Ge_9O_(20) 被引量:1
7
作者 周亚明 刘志城 +2 位作者 陈珍霞 翁林红 赵东元 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期382-387,共6页
在半水溶剂热条件下 ,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛 :(H3O) 4Ge7O16 ·3H2 O和K4 Ge9O2 0 .X射线单晶结构解析表明 ,两个晶体结构具有相同的“火箭状”二级结构单元 (SBU) ,SBU的不同的连接方式导致了完全不同的... 在半水溶剂热条件下 ,采用不同的合成条件合成了两个锗酸盐微孔分子筛 :(H3O) 4Ge7O16 ·3H2 O和K4 Ge9O2 0 .X射线单晶结构解析表明 ,两个晶体结构具有相同的“火箭状”二级结构单元 (SBU) ,SBU的不同的连接方式导致了完全不同的空间结构 .H4 Ge7O16 ·7H2 O的结晶学数据为Mr=894 2 7,P 43m ,a =0 7730 9( 18)nm ,V =0 462 0 5 ( 19)nm3,Z =1,MoKα ,λ =0 0 710 73nm ,R(F) =3 48% ,wR(F2 ) =8 39% .K4 Ge9O2 0 的结晶学数据为 :Mr=112 9 71,I4( 1) /a ,a =1 5 0 0 2 ( 3)nm ,c =0 7383( 2 )nm ,V =1 6618( 7)nm3,Z =4,MoKα ,R(F) =3 92 % ,wR(F2 ) =11 97% . 展开更多
关键词 Ge10O28 (H3O)4Ge7O16·3H2O K4Ge9O20 微孔材料 锗酸盐 晶体结构 溶剂热合成 分子筛
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红色Bi_4Ge_3O_(12)晶体在低温下的发光性能 被引量:1
8
作者 俞平胜 苏良碧 +1 位作者 王庆国 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期828-832,共5页
用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度... 用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体,发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰,强度随温度降低而增强,衰减时间为几百μs。 展开更多
关键词 红色Bi4Ge3O12 低温 发光
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掺杂的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的近红外发光性能 被引量:1
9
作者 俞平胜 苏良碧 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期283-287,共5页
生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯... 生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。 展开更多
关键词 Bi4Ge3O12 光致发光 近红外
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富有机物流体中一些重要Ge同位素的平衡分馏参数 被引量:2
10
作者 李雪芳 唐茂 刘耘 《地球化学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期299-306,共8页
锗(Ge)同位素在地球化学领域有着潜在的应用意义,但是Ge同位素平衡分馏参数的缺乏,严重制约了其在相关研究中的应用。本研究提供了富有机物流体中物种Ge(OH)4、GeO(OH)3-以及Ge的一些亲有机质络合物(Ge与邻苯二酚、柠檬酸以及草酸配合... 锗(Ge)同位素在地球化学领域有着潜在的应用意义,但是Ge同位素平衡分馏参数的缺乏,严重制约了其在相关研究中的应用。本研究提供了富有机物流体中物种Ge(OH)4、GeO(OH)3-以及Ge的一些亲有机质络合物(Ge与邻苯二酚、柠檬酸以及草酸配合形成的络合物)之间的Ge同位素平衡分馏参数。用基于Urey模型(或称Bigeleisen-Mayer公式)理论,结合量子化学计算的方法,在B3LYP/6-311+G(d,p)理论水平下计算了这些Ge同位素平衡分馏系数,其中,溶液效应用精确的"水滴法"来处理。预测这些基本分馏参数的误差约为±0.2‰。纯水溶液中,ΔGe(OH)4-GeO(OH)3-约为0.6‰,海水中稍小,约为0.3‰;而ΔGe(OH)4-Ge-邻苯二酚、ΔGe(OH)4-Ge-草酸、ΔGe(OH)4-Ge-柠檬酸(c)和ΔGe(OH)4-Ge-柠檬酸(d)非常大,分别约为4.4‰、3.5‰、3.8‰和3.9‰。这些大的分馏或许可以用来示踪生物作用参与过程。结果表明,轻的Ge同位素将富集在富有机质的环境,如煤系、黑色页岩及一些缺氧的条件下,因此这些环境可能存在一个轻Ge同位素的"汇"。 展开更多
关键词 Ge同位素 Ge(OH)4 GeO(OH)3- 有机物 UREY模型 量子化学计算
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Li_(1.5)Al_(0.5)Ge_(1.5)(PO_4)_3基固体复合电解质的制备及锂离子导电行为 被引量:5
11
作者 余涛 韩喻 +3 位作者 王珲 熊仕昭 谢凯 郭青鹏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期306-315,共10页
将聚氧化乙烯(PEO)和二(三氟甲基磺酰)亚胺锂(Li TFSI)混合(固定EO/Li摩尔比为13)后,采用溶液浇注法制备了一系列不同Li_(1.5)Al_(0.5)Ge_(1.5)(PO_4)_3(LAGP)与PEO质量比的LAGP-PEO(Li TFSI)固体复合电解质体系.结合电化学阻抗法、表... 将聚氧化乙烯(PEO)和二(三氟甲基磺酰)亚胺锂(Li TFSI)混合(固定EO/Li摩尔比为13)后,采用溶液浇注法制备了一系列不同Li_(1.5)Al_(0.5)Ge_(1.5)(PO_4)_3(LAGP)与PEO质量比的LAGP-PEO(Li TFSI)固体复合电解质体系.结合电化学阻抗法、表面形貌表征以及与惰性陶瓷填料(SiO_2,Al_2O_3)性能的对比分析,探讨了LAGP在固体复合电解质中的作用机理以及锂离子的导电行为.结果表明,在以LAGP为主相的固体复合电解质中,PEO主要处于无定形态,整个体系主要为PEO与Li TFSI的络合相、LAGP与PEO(Li TFSI)相互作用形成的过渡相和LAGP晶相.其中LAGP作为主要的导电基体不仅起到降低PEO结晶度、改善两相导电界面的作用;同时自身也可以作为离子传输的通道,降低锂离子迁移的活化能,从而使离子电导率得到提高.当LAGP与PEO的质量比为6∶4时,固体复合电解质的成膜性能最好,离子电导率最高,在30℃时为2.57×10^(-5)S/cm,接近LAGP的水平,电化学稳定窗口超过5 V. 展开更多
关键词 固体复合电解质 Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3 聚氧化乙烯 离子电导率
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CA4GE发动机塑料进气歧管的开发 被引量:6
12
作者 严昶 李丰军 刘东航 《汽车工艺与材料》 2005年第6期30-35,共6页
为了提高发动机的效率和扭矩、改善发动机的性能,针对CA4GE发动机研究、设计、开发了发动机塑料进气歧管。采用先进的计算机技术进行分析、计算及设计;采用摩擦振动焊接技术,完成了发动机塑料进气歧管的制造,同时完成了塑料进气歧管的... 为了提高发动机的效率和扭矩、改善发动机的性能,针对CA4GE发动机研究、设计、开发了发动机塑料进气歧管。采用先进的计算机技术进行分析、计算及设计;采用摩擦振动焊接技术,完成了发动机塑料进气歧管的制造,同时完成了塑料进气歧管的产品性能、台架、道路等一系列试验及在发动机生产流水线上的批量试装。 展开更多
关键词 CA4GE发动机 塑料进气歧管 摩擦振动焊接技术 产品性能 材料选择 焊接面结构设计 固定支架
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相分离Gd_5Ge_4合金的低温磁化行为及温度依赖性研究
13
作者 陈镇平 薛运才 +3 位作者 苏玉玲 张晓勇 曹世勋 张金仓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1798-1801,共4页
系统研究了Gd5Ge4合金的晶体结构和低温磁化行为。结果表明,Gd5Ge4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象。由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变。在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶... 系统研究了Gd5Ge4合金的晶体结构和低温磁化行为。结果表明,Gd5Ge4具有相分离特征,低温下出现反铁磁(AFM)和铁磁(FM)共存现象。由于相分离的存在导致127K时发生奈尔反铁磁转变。在外磁场诱导下,在4.2K以下发生AFM-FM磁转变,并导致台阶式磁化现象发生,但仅发生在第一次外加磁场增加过程中,表现出磁不可逆性。随磁场升高,在10K以下体系存在类台阶式响应和不可逆的磁滞行为,并在5572kA/m下均达到饱和磁化。在温度50~60K温区,磁循环所出现的台阶式磁化转变则是完全可逆的,更高温区域则表现为部分铁磁直至室温下的顺磁特性。 展开更多
关键词 Gd5Ge4合金 低温磁性 相分离 台阶式磁化跳跃
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新型压电晶体Sr_3Ga_2Ge_4O_(14)的性能表征
14
作者 武安华 周娟 徐家跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期224-228,共5页
采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,... 采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,有利于该晶体用作声表面波用基片材料.在250~2500nm波段范围内,其透过率均大于80%,优于相同结构的La3Ga5SiO14晶体,是一种潜在的激光基质晶体材料. 展开更多
关键词 Sr3Ga2Ge4O14 压电晶体 热膨胀系数 晶体材料 晶体生长 密度 硬度
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Bi_4Ge_3O_(12):TR(TR=Pr,Eu,Ce)晶体的吸收和发光光谱
15
作者 刘建成 殷之文 +1 位作者 胡关钦 冯锡淇 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期331-337,共7页
测量了Bi_4Ge_3O_(12)(BGO):Pr、Eu和Ce的吸收、激发和发光光谱。掺杂BGO吸收和激发带相应于pr^(3+)、Eu^(3+)和Ce^(3+)离子特征跃迁。Xe灯中不同波长激发所得到掺杂BGO的发光光谱可通过Bi^(3+)心和掺杂材料之间能量传输过程加以解释。B... 测量了Bi_4Ge_3O_(12)(BGO):Pr、Eu和Ce的吸收、激发和发光光谱。掺杂BGO吸收和激发带相应于pr^(3+)、Eu^(3+)和Ce^(3+)离子特征跃迁。Xe灯中不同波长激发所得到掺杂BGO的发光光谱可通过Bi^(3+)心和掺杂材料之间能量传输过程加以解释。Bi^(3+)心400—600mm发射强度因受到Ce杂质影响变弱,这现象在高Ce浓度晶体里更为显著。 展开更多
关键词 Bi4Ge3O12:TR 晶体 发光光谱
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4GE型汽油机三元催化转化试验研究
16
作者 邱全进 鲍远通 吕云飞 《小型内燃机与摩托车》 CAS 北大核心 2007年第4期37-39,共3页
通过对采用闭环多点电控喷射系统并装用三元催化转化器的4GE型汽油机的试验证明,其排放值完全符合排放法规要求,对噪声影响不大,功率损失很小且对有害物的转化率很高,取得了满意的排放效果。
关键词 4GE型汽油机 三元催化转化器 排放试验
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退火处理对W:Bi_4Ge_3O_(12)和Bi_(12)GeO_(20)晶体发光性能的影响
17
作者 俞平胜 苏良碧 +4 位作者 唐慧丽 郭鑫 赵衡煜 杨秋红 徐军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期825-829,共5页
通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火... 通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。 展开更多
关键词 W∶Bi4Ge3O12 Bi12GeO20 光致发光 退火
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Si_3P_4和Ge_3P_4电子结构及光学性质的第一性原理研究
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作者 刘芳 桑田 +2 位作者 赵华 周武雷 杨宇 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2014年第2期163-167,171,共6页
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静... 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似(GGA),计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3P4的基态稳定结构,以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明:Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体,Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键;Si3P4和Ge3P4均具有较大的静态介电常数;两者相比较而言,Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和Ge3P4的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 Si3P4 Ge3P4 光学性质 第一性原理
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LiMn2O4与Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3/Li7La3Zr2O12的复合正极材料制备及性能研究 被引量:1
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作者 蓝凌霄 吴秋满 +2 位作者 王云婷 吴希 梁兴华 《装备制造技术》 2019年第5期57-60,共4页
正极材料在锂离子电池服役过程中的电化学稳定性是目前研究的热点之一,研究锰酸锂复合正极材料,探索改善正极材料电化学稳定性的工艺与方法。采用高温固相法制备LiMn2O4和NISICON结构的Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3、石榴石结构的Li7La3Zr2O12... 正极材料在锂离子电池服役过程中的电化学稳定性是目前研究的热点之一,研究锰酸锂复合正极材料,探索改善正极材料电化学稳定性的工艺与方法。采用高温固相法制备LiMn2O4和NISICON结构的Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3、石榴石结构的Li7La3Zr2O12,将LiMn2O4和Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3/Li7La3Zr2O12以9∶1的比例混合制备复合正极材料。利用X射线衍射仪分析其物理性能,组装成扣式电池,通过恒流充放电测试、循环伏安测试、阻抗测试等进行电化学性能分析。结果表明,LiMn2O4/Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3复合正极材料和LiMn2O4/Li7La3Zr2O12复合正极材料依然为尖晶石结构,材料结晶度良好。其中,LiMn2O4/Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3复合正极材料衍射峰相对尖锐,峰强较大。充放电测试表明,LiMn2O4/Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3复合正极材料的放电比容量比LiMn2O4/Li7La3Zr2O12复合正极材料的放电比容量高,化学反应的可逆性更佳。所以,LiMn2O4/Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3复合正极材料的性能优于LiMn2O4/Li7La3Zr2O12复合正极材料。 展开更多
关键词 LIMN2O4 Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3 Li7La3Zr2O12 复合正极材料 电化学性能
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Photo-induced Phenomena in GeS_4 Glasses
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作者 顾少轩 SHEN Changjun +1 位作者 ZANG Haochun 陶海征 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2014年第3期473-477,共5页
GeS4 bulk glasses were prepared by the melt-quench technique and the samples were irradiated by 532-nm linearly polarized light. After the laser treatment, the photo-induced changes of the samples were investigated by... GeS4 bulk glasses were prepared by the melt-quench technique and the samples were irradiated by 532-nm linearly polarized light. After the laser treatment, the photo-induced changes of the samples were investigated by UV-1601 speetrophotometer and optical second-order nonlinear tester. The results show that the transmittance of the samples around 532 nm obviously decreases and Bragg reflector forms, which is due to the production of photon-generated carriers. With the increase of laser pulse energy or the extension of irradiation duration, the Bragg reflector increases and gradually tends to be stable. These can be ascribed to the excitation- capture process of the carriers. After irradiation, the relaxation phenomenon results from the release of part of the absorbed energy in the glass matrix. And the fitting equation of the relaxation process is consistent with a conventional Kohlrausch stretched exponential function. The origin of the second harmonic generation (SHG) is because of the dipole reorientation caused by the photo-induced anisotropy in the glass. 展开更多
关键词 ges4 chalcogenide glasses photo-induced phenomena structural relaxation SHG
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