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SiH＿4和GeH＿4生长SiGe合金的CVD反应研究
1
作者 顾书林 王荣华 +2 位作者 张荣 韩平 郑有 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期528-532,共5页
本文使用快速热处理超低压ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层．俄歇电子能谱被用来检测ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分和ＳｉＧｅ合金层的厚度．实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的结合率... 本文使用快速热处理超低压ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层．俄歇电子能谱被用来检测ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分和ＳｉＧｅ合金层的厚度．实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的结合率增加到最大值，然后减小；ＳｉＧｅ合金的生长速率在随生长温度增加过程中存在一个最大值；同时Ｇｅ原子的结合还会导致ＳｉＧｅ合金中Ｓｉ原子淀积速率的上升．根据低温及低Ｇｅ组分下氢解吸几率的增加与高温高Ｇｅ组分下反应基团吸附几率的下降，本文对以上实验结果进行了解释． 展开更多
关键词 半导体材料 硅锗合金 SIH4 geh4 CVD
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半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
2
作者 孙福楠 吴江红 +3 位作者 柳蔚 李英辉 于大秋 冯庆祥 《低温与特气》 CAS 2009年第1期1-3,共3页
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统... 在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。 展开更多
关键词 半导体 剧毒有害气体 SIH4 B2H6 geh4 PH3 AsH3 干法解毒
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GeH_4与HX(X=F,Cl,Br)间二氢键复合物的理论研究
3
作者 刘红 陈燕芹 《分子科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期348-353,共6页
对GeH4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311++G(3d,3p)水平优化、频率验证得到复合物的分子结构,通过分子的几何参数及电子密度拓扑分析,确认GeH4与卤化氢已形成了二氢键复合物.MP2/6-311++G(3d,3p)水平下进... 对GeH4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨.在MP2/6-311++G(3d,3p)水平优化、频率验证得到复合物的分子结构,通过分子的几何参数及电子密度拓扑分析,确认GeH4与卤化氢已形成了二氢键复合物.MP2/6-311++G(3d,3p)水平下进行BSSE校正后的结合能为3.281到4.502 kJ.mol-1.自然键轨道分析表明,静电作用在二氢键中起一定作用.对H(5)—X键,分子间超共轭作用与静电吸引作用产生的红移效应超过重极化和重杂化产生的蓝移效应导致H(5)—X键红移;对Ge—H键,负重极化及负重杂化与H(4)(Ge)和H(5)(X)的静电吸引作用一致,导致Ge—H(4)键拉长与振动频率红移. 展开更多
关键词 二氢键 分子中原子理论(AIM) 自然键轨道理论(NBO) geh4 卤化氢
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基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
4
作者 刘伯飞 白立沙 +4 位作者 张德坤 魏长春 孙建 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2181-2185,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。 展开更多
关键词 非晶硅锗薄膜太阳电池 长波响应 锗流量梯度 双叠电池
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锗烷(GeH_4)的高压超导相
5
作者 高国英 崔田 +1 位作者 马琰铭 邹广田 《物理》 CAS 北大核心 2009年第2期105-107,共3页
通过从头算演化理论的结构预测方法,文章作者提出了GeH4的一个高压金属相结构(单斜C2/c).这一结构包含奇特的"H2"单元.焓的计算结果表明,GeH4在压力低于196GPa时分解为单质Ge和H2,而在高于这一压力时C2/c结构稳定存在.在220GP... 通过从头算演化理论的结构预测方法,文章作者提出了GeH4的一个高压金属相结构(单斜C2/c).这一结构包含奇特的"H2"单元.焓的计算结果表明,GeH4在压力低于196GPa时分解为单质Ge和H2,而在高于这一压力时C2/c结构稳定存在.在220GPa压力下,线性响应微扰理论的计算结果表明,C2/c结构的电子-声子相互作用参数为1.12,其超导转变温度达到64K. 展开更多
关键词 锗烷 高压 超导电性 电子-声子相互作用
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