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GE0.35T磁共振脑功能成像在急性缺血性脑血管病的临床应用思路构建
1
作者 刘永丹 于海娜 +2 位作者 朴钟源 臧召霞 魏亚芬 《中国医药科学》 2014年第9期132-134,共3页
目的探讨GE0.35T磁共振脑功能成像在急性缺血性脑血管病的临床应用。方法对我院2009年5月~2010年5月收治的180例急性缺血性脑血管病患者进行MRI、DWI和PWI扫描。结果在180例患者中,有20例属于短暂性脑缺血发作,有160例属于急性的脑梗死... 目的探讨GE0.35T磁共振脑功能成像在急性缺血性脑血管病的临床应用。方法对我院2009年5月~2010年5月收治的180例急性缺血性脑血管病患者进行MRI、DWI和PWI扫描。结果在180例患者中,有20例属于短暂性脑缺血发作,有160例属于急性的脑梗死。在这160例的急性脑梗死患者中,有120例患者是在6h内发作的,还有40例患者则是在6~12h发病的。在6h以内发病的120例患者中的,PWI扫描结果大于DWI扫描结果的有54例,PWI扫描结果和DWI扫描结果相等的有0例。在6~12h之间发病的40例患者中,有24例PWI扫描结果大于DWI扫描结果,还有8例PWI扫描结果和DWI扫描结果相等。结论 GE0.35T磁共振脑功能成像是一种能明显提高急性缺血性脑血管病变显示率的简便方法,值得进行临床推广。 展开更多
关键词 ge0.35T磁共振脑功能成像 急性缺血性脑血管病 临床应用
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硅基Si/Si0.65Ge0.35多量子阱APD响应特性的研究 被引量：1
2
作者 赵永红 孙芳魁 +1 位作者 丁卫强 刘燕玲 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2019年第3期359-362,共4页
以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si0.65Ge0.35多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用SilvacoTCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,... 以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si0.65Ge0.35多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用SilvacoTCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。 展开更多
关键词 硅基APD Si/Si0.65 ge0.35 量子阱 响应特性 红外吸收
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