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Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究被引量：1: 1; 作者顾四朋侯立松《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1258-1262,共5页; 用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料... 展开更多; 关键词 ge-sb-te-O 相变薄膜结晶动力学 ge-sb-te 氧掺杂 XRD DSC 锗铅碲基合金磁控溅射相变光储存介质; 在线阅读下载PDF 职称材料

相变光盘记录介质Sb-Se系和Ge-Sb-Te系合金组织及结构: 2; 作者陈志武张喜燕《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第10期77-78,共2页; 按照配方熔炼制成Sb Se系和Ge Sb Te系合金 ,对其组织结构进行了观察测试。研究结果表明 ,制备的合金组织比较均匀 ,X射线衍射结果表明 ,Sb Se系合金 1#样品有Sb析出 ,2 #样品有Se析出 ,符合化学计量比的 3#样品全部形成Sb2 Se3共晶体。... 展开更多; 关键词 SB-SE系 ge-sb-te系相变光盘记录介质合金组织结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究: 3; 作者顾四朋侯立松 +1 位作者曾贤成赵启涛《光学仪器》 2001年第5期23-26,共4页; 研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm～ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb-; 关键词 ge-sb-te-O 相变薄膜氧掺杂反射率对比度光存储; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺杂氧的Ge-Sb-Te相变薄膜的光学性质被引量：4: 4; 作者顾四朋侯立松 +1 位作者刘波陈静《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1137-1140,共4页; 研究了氧掺入Ge Sb Te射频溅射相变薄膜在 40 0nm～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,κ)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺入能大大增加退火前后反射率对比度 ,因此可通过氧掺入改良Ge Sb; 关键词相变薄膜 ge-sb-te薄膜氧掺杂光学性质光存储; 原文传递

氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响: 5; 作者顾四朋侯立松 +1 位作者刘波陈静《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1111-1115,共5页; 研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄... 展开更多; 关键词薄膜物理学 ge-sb-te薄膜氧杂质光学常数 X射线衍射; 原文传递

可擦写光盘用相变记录材料: 6; 作者许克强傅肃嘉《浙江冶金》 2002年第2期19-22,共4页; 简要介绍了具有较大发展前景的可擦写光盘用相变记录材料,包括研究方法和制备工艺,重点介绍了 Ge-Sb-Te 系非晶态《=》晶态相变记录材料的国内研究现状。; 关键词可擦写光盘相变记录材料 ge-sb-te合金; 在线阅读下载PDF 职称材料

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