为制备适用于68Ge-68Ga发生器的吸附剂,用热HNO3氧化金属锡制备SnO2,对SnO2吸附剂的制备工艺及其性能进行了研究。制备得到以SnO2作为吸附剂的68Ge-68Ga发生器,并对其吸附行为与淋洗效率进行了研究。结果表明,600℃高温焙烧获得的SnO2...为制备适用于68Ge-68Ga发生器的吸附剂,用热HNO3氧化金属锡制备SnO2,对SnO2吸附剂的制备工艺及其性能进行了研究。制备得到以SnO2作为吸附剂的68Ge-68Ga发生器,并对其吸附行为与淋洗效率进行了研究。结果表明,600℃高温焙烧获得的SnO2适于用作68Ge-68Ga发生器的吸附剂,其对68Ge有较好的选择性吸附,用8 mL 1 mol/L HCl淋洗,68Ga的淋洗效率为60%~80%,68Ge的漏穿率大部分为10-3%量级。展开更多
为解决锗(Ge)基硫系玻璃光纤损耗相对较高等问题,采用物理和化学除杂相结合的工艺,制备出了高纯Ge28Sb12Se60硫系玻璃,显著降低了红外波段C、H、O杂质吸收。应用真空高速旋转法,制备出了壁厚均匀、光学质量优异的Ge28Sb12Se58S2硫系玻...为解决锗(Ge)基硫系玻璃光纤损耗相对较高等问题,采用物理和化学除杂相结合的工艺,制备出了高纯Ge28Sb12Se60硫系玻璃,显著降低了红外波段C、H、O杂质吸收。应用真空高速旋转法,制备出了壁厚均匀、光学质量优异的Ge28Sb12Se58S2硫系玻璃皮管。采用棒管法拉制出外径50±1.5μm、具有芯包结构的Ge-Sb-Se硫系玻璃光纤,光纤弯曲半径为5 mm,红外波段吸收基线为2.2 d B/m(2.87μm和4.5μm处除外)。展开更多
文摘为制备适用于68Ge-68Ga发生器的吸附剂,用热HNO3氧化金属锡制备SnO2,对SnO2吸附剂的制备工艺及其性能进行了研究。制备得到以SnO2作为吸附剂的68Ge-68Ga发生器,并对其吸附行为与淋洗效率进行了研究。结果表明,600℃高温焙烧获得的SnO2适于用作68Ge-68Ga发生器的吸附剂,其对68Ge有较好的选择性吸附,用8 mL 1 mol/L HCl淋洗,68Ga的淋洗效率为60%~80%,68Ge的漏穿率大部分为10-3%量级。
文摘为解决锗(Ge)基硫系玻璃光纤损耗相对较高等问题,采用物理和化学除杂相结合的工艺,制备出了高纯Ge28Sb12Se60硫系玻璃,显著降低了红外波段C、H、O杂质吸收。应用真空高速旋转法,制备出了壁厚均匀、光学质量优异的Ge28Sb12Se58S2硫系玻璃皮管。采用棒管法拉制出外径50±1.5μm、具有芯包结构的Ge-Sb-Se硫系玻璃光纤,光纤弯曲半径为5 mm,红外波段吸收基线为2.2 d B/m(2.87μm和4.5μm处除外)。
