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Ge-SiO_2薄膜的结构及其发光特性的研究 被引量:1
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作者 叶春暖 汤乃云 +3 位作者 吴雪梅 诸葛兰剑 俞跃辉 姚伟国 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第2期103-107,共5页
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性。为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征。XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由Ge... 采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性。为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征。XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光中心相联系。 展开更多
关键词 ge-sio2薄膜 磁控溅射 光致发光 结构
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Ge-SiO_2薄膜的XPS研究 被引量:1
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作者 叶春暖 汤乃云 +3 位作者 吴雪梅 诸葛兰剑 余跃辉 姚伟国 《微细加工技术》 2002年第1期36-39,共4页
采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分... 采用射频磁控溅射技术制备了Ge SiO2 薄膜 ,在N2 气氛下进行 30 0℃到 1 0 0 0℃的退火处理 30分钟 ,对样品进行XPS分析 ,研究了在不同退火温度下薄膜样品的成分与化学状态 ,为进一步探讨薄膜的光致发光机理提供了依据。结合XRD谱图分析结果可发现 ,退火处理对纳米晶粒的形成与长大起着关键作用。随着退火温度的升高 ,样品中的Si向高价态转化 ,Ge则向低价态转化 ;GeO含量在 80 0℃退火样品中为最大 ,高于 80 展开更多
关键词 ge-sio2薄膜 溅射 XPS谱 退火
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Ge-SiO_2与Si-SiO_2薄膜中颗粒形成的对比研究
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作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期245-248,共4页
以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光... 以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光电子能谱 (XPS)分析等测试手段 ,将两种薄膜进行了比较。在Ge SiO2 样品中 ,随退火温度的升高 ,会发生GeOx 的热分解或者与Si发生化学反应 ,引起部分氧原子逸出和Ge原子的扩散和聚集 ,从而形成纳米Ge的晶粒。在Si SiO2 薄膜样品中 ,由于Si的成核长大速率较低 ,因而颗粒长大的速率较慢 ,薄膜内不易形成Si颗粒。只有经 10 0 0℃高温退火后样品中才有少量单质Si颗粒形成。 展开更多
关键词 sio2薄膜 射频磁控溅射技术 光电子能谱 氧原子 双离子束溅射 颗粒 溅射靶 速率 高温退火 退火温度
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Microstructures and magnetic properties of [SiO_2/FePt]_5/Ag thin films 被引量:2
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作者 范九萍 许小红 +2 位作者 江凤仙 田宝强 武海顺 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2008年第1期11-14,共4页
[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied... [SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and (111) mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 (0.6 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films and highly (001)-oriented films can be obtained in the [SiO2 (2 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films. 展开更多
关键词 [sio2/FePt]5 multilayer films sio2-doping Ag underlayer (001) orientation
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SiO_2溶胶及其静电自组装薄膜的制备 被引量:6
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作者 许丕池 姜德生 +2 位作者 余海湖 李小甫 李鸿辉 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第2期165-170,共6页
采用HCl催化、NH3 ·H2 O催化、HCl与NH3 ·H2 O分步催化三种途径制备了SiO2 胶体 ,用透射电镜观察了胶体粒子的形貌 .用静电自组装 (ESAM)法制备了聚电解质PDDA与SiO2 胶体粒子的有机 /无机复合光学薄膜 .实验结果表明 ,用HCl... 采用HCl催化、NH3 ·H2 O催化、HCl与NH3 ·H2 O分步催化三种途径制备了SiO2 胶体 ,用透射电镜观察了胶体粒子的形貌 .用静电自组装 (ESAM)法制备了聚电解质PDDA与SiO2 胶体粒子的有机 /无机复合光学薄膜 .实验结果表明 ,用HCl催化制备的SiO2 透明溶胶不适合于用ESAM法制备薄膜 ,用HCl与NH3 ·H2 O分步催化以及用NH3 ·H2 O单独催化制备的SiO2 胶体适合于用ESAM法制备光学薄膜 .薄膜的透射电镜微观察结果表明 ,以HCl与NH3 ·H2 O分步催化的SiO2 胶体制备的PDDA/SiO2 薄膜为连续结构 ,NH3 ·H2 O单独催化的为颗粒堆积 .研究了薄膜透光率与薄膜层数的关系 ,考察了薄膜的机械强度 .结果显示 ,以NH3 ·H2 O单独催化的SiO2 胶体制备的光学薄膜的增透效果较好 。 展开更多
关键词 sio2 溶胶 静电自组装 复合薄膜
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Multiscale analysis of single- and multiple-pulse laser-induced damages in HfO_2/SiO_2 multilayer dielectric films at 532 nm 被引量:1
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作者 刘文文 魏朝阳 +1 位作者 易葵 邵建达 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期53-57,共5页
Nanosecond single- and multiple-pulse laser damage studies on HfOffSiO2 high-reflection (HR) coatings are performed at 532 nm. For single-pulse irradiation, the damage is attributed to the defects and the electric i... Nanosecond single- and multiple-pulse laser damage studies on HfOffSiO2 high-reflection (HR) coatings are performed at 532 nm. For single-pulse irradiation, the damage is attributed to the defects and the electric intensity distribution in the multilayer thin films. When the defect density in the irradiated area is high, delami- nation is observed. Other than the 1064 nm laser damage, the plasma scalding of the 532 nm laser damage is not pits-centered for normal incidence, and the size of the plasma scalding has no relation to the defect density and position, but increases with the laser fluence. For multiple-pulse irradiations, some damage sites show deeper precursors than those from the single-shot irradiation due to the accumulation effects. The cumulative laser- induced damages behave as pits without the presence of plasma scalding, which is unaffected by the laser fluence and shot numbers. The damage morphologies and depth information both confirm the fatigue effect of a HfO2/SiO2 HR coating under 532 nm laser irradiation. 展开更多
关键词 Multiscale analysis of single and multiple-pulse laser-induced damages in HfO2/sio2 multilayer dielectric films at 532 nm
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纳米锗颗粒镶嵌薄膜的吸收光谱研究 被引量:3
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作者 岳兰平 何怡贞 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期1693-1696,共4页
用离子束溅射技术和热处理方法,制备出颗粒尺寸和镶嵌密度均可控制的高质量Ge-SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜。在室温下测量了不同粒度纳米锗颗粒镶嵌薄膜样品的吸收光谱,观测到在可见光区有较强的光吸收和吸收带边蓝移。研究表明:镶... 用离子束溅射技术和热处理方法,制备出颗粒尺寸和镶嵌密度均可控制的高质量Ge-SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜。在室温下测量了不同粒度纳米锗颗粒镶嵌薄膜样品的吸收光谱,观测到在可见光区有较强的光吸收和吸收带边蓝移。研究表明:镶嵌在绝缘介质薄膜中的纳米锗颗粒的能带是量子化的,随着纳米锗粒子平均尺寸的减小,其吸收带隙增加,吸收带边蓝移的程度相应增大。用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米锗颗粒电子结构的影响。 展开更多
关键词 光吸收谱 纳米锗颗粒 薄膜 量子尺寸效应
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