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Ge/Si SACM-APD器件分析 被引量：2
1
作者 王巍 颜琳淑 +5 位作者 王川 杜超雨 王婷 王冠宇 袁军 王振 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期1349-1353,共5页
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：... Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。 展开更多
关键词 ge/Si雪崩二极管 吸收区-电荷区-倍增区分离 器件仿真
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Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析 被引量：1
2
作者 王振 王婷 +5 位作者 王巍 杜超雨 陈丽 鲍孝圆 王冠宇 王明耀 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期23-26,35,共5页
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管（APD）。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明：... 设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管（APD）。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明：器件的雪崩击穿电压为-28V,最大内量子效率达到89%,在1.15~1.60μm范围内具有较高响应度,峰值波长位于1.31μm,单位响应度最高达0.74A/W,3dB带宽为10GHz。 展开更多
关键词 ge/SI 雪崩光电二极管 波导集成型 光吸收率 器件仿真
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高性能波导集成型锗/硅水平APD
3
作者 高巍 刘道群 +6 位作者 唐波 张鹏 李彬 杨妍 申人升 常玉春 李志华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第10期765-770,786,共7页
相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅(SOI)晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导... 相较于传统的吸收层-电荷层-倍增层分离(SACM)的锗/硅雪崩光电二极管(APD),水平APD器件结构及工艺流程简单,且从设计上避免了电荷层的杂质浓度控制的难题。选用绝缘体上硅(SOI)晶圆片,基于0.18μm CMOS兼容工艺制备了一种高性能的波导集成水平锗/硅APD。对APD的器件参数进行了晶圆级测试,包括暗电流、光响应度以及带宽。测试结果表明,吸收区宽度为0.5μm、两侧间隔区宽度为0.8μm的器件在反偏电压-27.5 V下光响应度高达75.89 A/W,间隔区宽度为0.3μm时雪崩击穿电压低至-6.5 V,且可在0.9倍雪崩击穿电压附近测得3 dB带宽达20.06 GHz。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管(APD) 波导集成 选择性外延 锗/硅 光电探测器
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锗硅APD探测器进展 被引量：1
4
作者 潘栋 蔡鹏飞 +2 位作者 侯广辉 栗粟 陈旺 《微纳电子与智能制造》 2019年第3期68-74,共7页
通过在8英寸硅衬底上直接生长锗硅单晶材料的方法,可以制作高性能的光电探测器,该类探测器已经成功实现了商业化。报道了基于CMOS制造工艺,并成功应用于光通信领域中的10 G/25 G锗硅APD探测器,探测器的带宽、灵敏度等性能在850 nm和1310... 通过在8英寸硅衬底上直接生长锗硅单晶材料的方法,可以制作高性能的光电探测器,该类探测器已经成功实现了商业化。报道了基于CMOS制造工艺,并成功应用于光通信领域中的10 G/25 G锗硅APD探测器,探测器的带宽、灵敏度等性能在850 nm和1310 nm等波段完全超越了传统的Ⅲ-Ⅴ族材料系探测器,器件的可靠性也完全符合光通信行业标准GR-468等对有源器件的要求。该系列PD/APD探测器已经逐步实现了量产,并累计实现出货超过两百万颗。 展开更多
关键词 锗硅APD探测器 锗硅PD探测器 量产
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