期刊文献+
共找到208篇文章
< 1 2 11 >
每页显示 20 50 100
Effects of NH_3 annealing on interface and electrical properties of Gd-doped HfO_2/Si stack 被引量:1
1
作者 杨萌萌 屠海令 +3 位作者 杜军 魏峰 熊玉华 赵鸿斌 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第4期395-399,共5页
Effects of NH3 rapid thermal annealing (RTA) on the interface and electrical properties of Gd-doped HfO2 (GDH)/Si stack were investigated. The process of NH3 annealing could significantly affect the crystallizatio... Effects of NH3 rapid thermal annealing (RTA) on the interface and electrical properties of Gd-doped HfO2 (GDH)/Si stack were investigated. The process of NH3 annealing could significantly affect the crystallization, stoichiometric properties of GDH film and the interface characteristic of GDH/Si system. NH3 annealing also led to the decrease of interface layer thickness. The leakage current density of Pt/GDH/p-Si MOS capacitor without RTA was 2× 10-3 A/cm2. After NH3 annealing, the leakage current density was about one order of magnitude lower (3.9× 104 A/cm2). The effective permittivity extracted from the C-V curves was -14.1 and 13.1 for samples without and with RTA, respectively. 展开更多
关键词 gd-doped hfo2 HIGH-K NH3 annealing INTERFACE electrical properties rare earths
原文传递
Preparation and photocatalytic activity of Gd-doped TiO_2 nanofibre 被引量:2
2
作者 周艺 张世英 +1 位作者 朱志平 李永坤 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2005年第6期657-661,共5页
In order to realize the photocatalysis of TiO2 in the sunlight and directly apply it to waste water treatment, the Gd-doped TiO2 nanofibre was synthesized using two-step synthesis method as follows: Firstly, potassium... In order to realize the photocatalysis of TiO2 in the sunlight and directly apply it to waste water treatment, the Gd-doped TiO2 nanofibre was synthesized using two-step synthesis method as follows: Firstly, potassium carbonate, titanium dioxide and proper gadolinium oxide (dopant) were calcined in the muffle at high temperature and the doped gadolinium K2Ti4O9 fibres were obtained; secondly, the fibre was heated using glycerol as solvent until Gd-doped TiO2 nanofibres were obtained. The synthesized samples were characterized using scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and X-ray diffraction. The results show that Gd-doped TiO2 nanofibre heat-treated by glycerol solvent can inhibit the agglomeration, so the grain diameter of the fibre is smaller than that without heat-treated with glycerol. Meanwhile, the diameter of the fibre decreases with the increase of the heating temperature and time. 97% 98% of Gd-doped TiO2 nanofibre is anatase. The photocatalysis results showed that the photocatalysis activity of Gd-doped TiO2 nanofibre is just a little lower than that of TiO2 powder. 展开更多
关键词 photocatalytic activity two-step synthesis method gd-doped TiO2 nanofibre K2Ti4O9 photocatalytic degradation
在线阅读 下载PDF
Enhanced ionic conductivity in a novel composite electrolyte based on Gd-doped SnO_(2) nanotubes for ultra-long-life all-solid-state lithium metal batteries
3
作者 Lugang Zhang Nanping Deng +7 位作者 Junbao Kang Xiaoxiao Wang Hongjing Gao Yarong Liu Hao Wang Gang Wang Bowen Cheng Weimin Kang 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第2期326-337,I0009,共13页
All-solid-state electrolytes are exceedingly attractive because of the outstanding inherent safety and energy density compared to liquid electrolytes.Whereas,it is still formidable to simultaneously design solid elect... All-solid-state electrolytes are exceedingly attractive because of the outstanding inherent safety and energy density compared to liquid electrolytes.Whereas,it is still formidable to simultaneously design solid electrolytes with favorable electrode/electrolyte interface compatibility and high ionic conductivity in a simple and scalable manner.Hence,the oxygen-vacancy-rich Gd-doped SnO_(2) nanotubes(GDS NTs)are innovatively prepared and applied to the electrolyte of all-solid-state lithium metal batteries for the first time.The addition of GDS NTs can validly construct long-range co ntinuous ion transport networks in the poly(ethylene oxide)(PEO)-based system and greatly improve the mechanical properties of the electrolyte.Compared to the PEO-based electrolyte,the composite electrolyte displays a higher lithium ion conductivity of 2.41×10^(-4) S cm^(-1) at 30℃,a higher lithium ion transference number up to 0.62 and a wider electrochemical window of 5 V at 50℃.In addition,the composite electrolyte manifests outstanding compatibility with high-voltage LiNi_(0.8)Mn_(0.1)Co_(0.1)O_(2)(NMC811)cathode,LiFePO4 cathode and lithium metal anode.The assembled Li/Li symmetric battery exhibits stable Li plating/stripping cycling performance,which can cycle steadily for 1500 h at a capacity of 0.3 mA h cm^(-2).And Li/LiFePO4 battery still maintains a high capacity of 131.54 mA h g^(-1) at 0.5C after 800 cycles,which has a superior capacity retention rate of 93.2%.The obtained novel composite electrolyte has promising application prospects in the field of all-solid-state lithium metal cells. 展开更多
关键词 All-solid-state lithium metal batteries gd-doped SnO2 nanotubes Interfacial stability Oxygen vacancies Solid-state composite electrolytes
在线阅读 下载PDF
薄膜厚度对HfO_2薄膜残余应力的影响 被引量:9
4
作者 申雁鸣 贺洪波 +2 位作者 邵淑英 范正修 邵建达 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期412-415,共4页
HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加... HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的,利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化,计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试,讨论了膜厚对薄膜残余应力的影响。结果发现不同厚度HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随薄膜厚度的增加而减小,当薄膜厚度达到一定值后,应力值趋于稳定。从微观结构变化对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的本征应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素。 展开更多
关键词 hfo2薄膜 残余应力 膜厚 电子束蒸发
在线阅读 下载PDF
CeO_2掺杂对HfO_2栅介质电学特性的影响 被引量:6
5
作者 杨萌萌 屠海令 +3 位作者 张心强 熊玉华 王小娜 杜军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期292-296,共5页
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位... 采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位生成能增大,氧空位数目减少,漏电流较纯HfO2下降了一个数量级,满足作为高k材料的要求。 展开更多
关键词 CEO2 hfo2 掺杂 氧空位 高k
原文传递
不同氧氩比例对氧化铪(HfO_2)薄膜的结构及性能的影响 被引量:12
6
作者 何智兵 吴卫东 +2 位作者 许华 张继成 唐永建 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期159-162,共4页
在不同氧氩比例气氛下,采用直流磁控反应溅射方法制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同,对HfO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形... 在不同氧氩比例气氛下,采用直流磁控反应溅射方法制备了HfO2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见光谱(UV-Visible spectrum)等研究了氧氩比例的不同,对HfO2薄膜的晶体结构、化学配比、表面形貌和光学性能的影响。结果显示:室温下,不同氧氩比例的HfO2薄膜都为非晶结构;随着氧分量的减少,Hf4f与O1s的XPS峰向小的结合能方向移动;在氧分量较大的气氛下,HfO2薄膜的化学失配度较小,薄膜均匀,致密,在400 nm^1 100 nm有良好的光透过性。 展开更多
关键词 hfo2薄膜 直流磁控反应溅射 XPS
在线阅读 下载PDF
沉积温度对HfO_2薄膜残余应力的影响 被引量:10
7
作者 申雁鸣 贺洪波 +2 位作者 邵淑英 范正修 邵建达 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1812-1816,共5页
用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大... 用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响.结果发现,HfO2薄膜的残余应力均为张应力,应力值随沉积温度的升高先增大后减小,在280℃左右出现极大值.对样品进行了XRD测试,从微观结构上对实验结果进行了分析,发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素,HfO2薄膜在所选沉积温度60~350℃内出现了晶态转变,堆积密度随温度升高而增大. 展开更多
关键词 hfo2薄膜 残余应力 沉积温度 微结构 X射线衍射
在线阅读 下载PDF
化学法制备的HfO_2薄膜的激光损伤阈值研究 被引量:4
8
作者 沈军 罗爱云 +4 位作者 吴广明 林雪晶 谢志勇 吴晓娴 刘春泽 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期403-407,共5页
采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响。采用红外光谱(FTIR)和X射线衍射仪对薄膜进行了表征,并用输出波长为1.064μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统测试薄膜的激光损伤阈值... 采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响。采用红外光谱(FTIR)和X射线衍射仪对薄膜进行了表征,并用输出波长为1.064μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统测试薄膜的激光损伤阈值。实验结果表明:采用150℃左右的温度对薄膜进行热处理可以提高薄膜的激光损伤阈值,所获得的薄膜的激光损伤阈值高达42.32 J/cm2,比热处理前的激光损伤阈值提高了82%;无机材料Al2O3的适量添加能够提高薄膜的激光损伤阈值,其中HfO2与Al2O3的最佳质量配比约为95∶5;另外,对薄膜进行适当的紫外辐照也可改善HfO2薄膜以及HfO2-Al2O3复合薄膜的抗激光损伤性能。紫外辐照对提高HfO2-Al2O3复合薄膜的激光损伤阈值效果尤为显著,辐照40 min后的激光损伤阈值达到44.33 J/cm2,比紫外辐照前的激光损伤阈值提高了90%。 展开更多
关键词 hfo2薄膜 热处理 紫外辐照 hfo2-Al2O3复合薄膜 激光损伤阈值
在线阅读 下载PDF
HfO_2/SiO_2高反射膜的缺陷及其激光损伤 被引量:21
9
作者 胡建平 陈梅 +1 位作者 付雄鹰 柴林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期529-532,共4页
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力... 用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力大不相同 ,节瘤缺陷最低 ,约为 1 5 J/ cm2 ,薄膜的损伤阈值主要由其决定 ,孔洞的激光损伤能力与节瘤相比较高 ,约为节瘤的 2~ 3倍。节瘤缺陷在低能量密度的激光损伤所形成的孔洞 ,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似 ,激光再损伤能力也相似。 展开更多
关键词 hfo2/SiO2高反射薄膜 表面缺陷 激光损伤 原子电子显微镜 SEM 显微分析
在线阅读 下载PDF
制备工艺对HfO_2薄膜抗激光损伤能力的影响 被引量:6
10
作者 马平 柴林 +1 位作者 邱服民 顾元元 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期31-33,共3页
采用反应蒸镀法镀制了单层HiO2薄膜,观察了薄膜表面主要的微结构缺陷, 研究了基片清洗工艺对薄膜损伤阈值的影响。测量了薄膜沉积前后表面粗糙度变化。结果表 明:沉积工艺可以改变粗糙度,并对薄膜抗激光损伤能力有较大的影响。
关键词 hfo2 薄膜 表面粗糙度 激光损伤
在线阅读 下载PDF
采用HfO_2/SiO_2溶胶-凝胶薄膜制备衍射光栅 被引量:4
11
作者 谢永军 赵福华 +2 位作者 魏伟 赵小侠 赵卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期133-135,共3页
采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采... 采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采用X射线作曝光光源通过掩模进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8μm、周期为1μm的衍射光栅. 展开更多
关键词 信息光学 hfo2/SiO2溶胶-凝胶 光栅 光敏
在线阅读 下载PDF
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展 被引量:9
12
作者 田书凤 彭英才 +1 位作者 范志东 张弘 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期22-26,共5页
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐... 随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等。 展开更多
关键词 高介电常数 hfo2栅介质 等效SiO2介电层厚度 电学特性
在线阅读 下载PDF
HfO_2高K栅介质薄膜的电学特性研究 被引量:2
13
作者 韩德栋 康晋锋 +1 位作者 刘晓彦 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-3,共3页
研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特性 ,较低的漏电流... 研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特性 ,较低的漏电流和较高的击穿电压。因此 ,Hf O2 栅介质可能成为 Si O2 栅介质的替代物。 展开更多
关键词 hfo2薄膜 高介电常数栅介质 电学特性 MOS 集成电路
在线阅读 下载PDF
纳米HfO_2粉体的制备工艺研究 被引量:4
14
作者 甄强 李榕 +2 位作者 石刚 刘建强 潘庆谊 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2004年第6期643-648,共6页
该文以HfOCl2为原料,分别选用分子量为400、1000和6000的3种聚乙二醇(PEG)作分散剂,在70℃和25℃的反应温度条件下,采用反向滴定化学沉淀法制备出HfO2纳米粉体.X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)的分析结果表明:在70℃的反应温度条件下,加... 该文以HfOCl2为原料,分别选用分子量为400、1000和6000的3种聚乙二醇(PEG)作分散剂,在70℃和25℃的反应温度条件下,采用反向滴定化学沉淀法制备出HfO2纳米粉体.X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)的分析结果表明:在70℃的反应温度条件下,加入3种分散剂制备的HfO2粉体的平均晶粒度均小于50nm;用高分子量的分散剂PEG6000所制得的粉体晶粒度更加细小;PEG6000的加入量在0.5%~2.5%质量分数范围内变化对最终的粉体晶粒度影响不大;在25℃的反应温度条件下,加入同样分散剂制备的HfO2粉体的平均晶粒度更加细小,平均晶粒度在30nm左右.用TG/DSC结合XRD对纳米HfO2粉体的研究结果表明:HfO2纳米粉体的晶型转变温度比微米HfO2材料降低了251℃左右(由891℃降低至640℃),并且在焙烧温度大于660℃时,生成了只有在高温高压条件下才能存在的斜方相HfO2. 展开更多
关键词 纳米hfo2 反向滴定沉淀法 晶型转变
在线阅读 下载PDF
氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响 被引量:4
15
作者 刘文婷 刘正堂 +2 位作者 闫锋 田浩 刘其军 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期997-1001,1006,共6页
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界... 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 hfo2薄膜 界面层 电学性能
在线阅读 下载PDF
用1064nm激光增强HfO_2/SiO_2薄膜的抗激光损伤能力的实验研究 被引量:12
16
作者 胡建平 马平 许乔 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1053-1056,共4页
 用1064nm激光实验研究了HfO2/SiO2薄膜的激光损伤增强效应,实验以薄膜激光损伤阈值70%的激光能量开始,采用N ON 1方式处理薄膜,激光脉冲的能量增量为5J/cm2。实验结果表明,激光处理薄膜表面能使激光损伤阈值平均提高到3倍左右,并且薄...  用1064nm激光实验研究了HfO2/SiO2薄膜的激光损伤增强效应,实验以薄膜激光损伤阈值70%的激光能量开始,采用N ON 1方式处理薄膜,激光脉冲的能量增量为5J/cm2。实验结果表明,激光处理薄膜表面能使激光损伤阈值平均提高到3倍左右,并且薄膜的损伤尺度也明显减小。对有缺陷的薄膜,其缺陷经低能量激光后熔和消除,其抗激光损伤能力得到增强,但增强得并不显著,而薄膜本身的激光预处理,可以使其激光损伤阈值大大提高。 展开更多
关键词 激光损伤 激光预处理 hfo2/Si02高反膜
在线阅读 下载PDF
无团聚HfO_2纳米粉体的湿化学法制备及性能表征 被引量:4
17
作者 吴智华 蒋丹宇 +3 位作者 刘健敏 吉亚明 史伟民 张骋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期970-976,共7页
以化学沉淀法制备HfO2纳米粉体,借助XRD、SEM、TEM、BET、激光粒度测试仪等测试方法研究了不同制备工艺对HfO2纳米粉料团聚状态的影响.采用初始浓度0.5mol/L的溶液,稳定溶液pH为9、添加表面活性剂PEG、用无水乙醇处理水洗后的湿凝胶、在... 以化学沉淀法制备HfO2纳米粉体,借助XRD、SEM、TEM、BET、激光粒度测试仪等测试方法研究了不同制备工艺对HfO2纳米粉料团聚状态的影响.采用初始浓度0.5mol/L的溶液,稳定溶液pH为9、添加表面活性剂PEG、用无水乙醇处理水洗后的湿凝胶、在700℃下煅烧,能制备无团聚,平均粒径为25nm,呈正交晶型的HfO2纳米粉体.200MPa冷等静压成型的素坯在氢气中1800℃C保温2h得到96%理论密度的主相为正交相,有少量单斜相存在的HfO2陶瓷烧结体. 展开更多
关键词 化学沉淀法 hfo2纳米粉体 团聚体 烧结
在线阅读 下载PDF
反应磁控溅射法制备HfO_2金刚石红外增透膜 被引量:5
18
作者 郭会斌 王凤英 +3 位作者 贺琦 魏俊俊 王耀华 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1355-1360,共6页
采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能... 采用纯铪(Hf)金属靶,在氧+氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜,研究工艺参数改变对薄膜的影响,然后选择较优的工艺在金刚石表面沉积符合光学厚度的薄膜,达到增透减反射效果。利用X射线光电子能谱(XPS)研究了O2/Ar比例对薄膜组成的影响。利用X射线衍射仪(GIXRD)和椭偏仪(Ellipsometer)研究了不同衬底温度对氧化铪薄膜组织结构和光学性能的影响。采用傅立叶红外光谱仪(FTIR)检测了镀膜前后金刚石红外透过性能,发现双面镀制HfO2薄膜能够有效提高金刚石在8~12μm的红外透过性能,在8μm处最大增透可达21.6%,使金刚石红外透过率达到88%;在3~5μm范围,双面镀制了HfO2薄膜的金刚石平均透过率达66.8%,比没有镀膜的金刚石在该处的平均透过率54%高出12.8%。 展开更多
关键词 hfo2薄膜 反应磁控溅射法 红外透过率 增透
在线阅读 下载PDF
射频磁控反应溅射制备HfO_2薄膜的工艺及电性能 被引量:4
19
作者 鹿芹芹 刘正堂 +1 位作者 刘文婷 张淼 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期249-253,共5页
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究。结果表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气... 采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究。结果表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气压增加呈先增大后减小的趋势。制备的薄膜中Hf和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比。研究了薄膜的C-V特性;获得了O2流量、射频功率及退火温度对薄膜电学性能的影响规律。 展开更多
关键词 磁控反应溅射 hfo2薄膜 沉积速率 C-V特性
在线阅读 下载PDF
离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响 被引量:3
20
作者 申林 田俊林 +1 位作者 刘志国 熊胜明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期118-122,共5页
基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50~140V范围内,在[-100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda900分光光度计、X射线光电子能谱... 基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50~140V范围内,在[-100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明:当APS源偏转电压在120~140V及50~90V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为nO~90V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50~140V的范围内时,制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100V时,HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2nm及5.79nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小。 展开更多
关键词 薄膜 离子束辅助 反应沉积 偏转电压 hfo2 光学损耗
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 11 下一页 到第
使用帮助 返回顶部