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GaPN混晶的瞬态发光特性
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作者 高玉琳 吕毅军 +4 位作者 郑健生 ZHANG Yong MASCARENHAS A XIN H-P TU C W 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期77-82,共6页
通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下,样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1 到NN4 的衰减时间分别在 90~30n... 通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下,样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1 到NN4 的衰减时间分别在 90~30ns变化。当组分提高到x^1. 3%以上时,样品的发光呈现出一个宽带,并按单指数规律衰减,辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级,且随着N组分的增加,寿命相对减小;但在最高组分(x^3. 1% )时,其寿命仍与NN4 束缚激子的寿命相当 ( ~30ns),说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长,导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中,直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。 展开更多
关键词 gapn混晶 时间分辨谱 能量传输
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GaP/GaPN core/shell nanowire array on silicon for enhanced photoelectrochemical hydrogen production 被引量:1
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作者 Guancai Xie Saad Ullah Jan +10 位作者 Zejian Dong Yawen Dai Rajender Boddula Yuxuan Wei Chang Zhao Qi Xin Jiao-Na Wang Yinfang Du Lan Ma Beidou Guo Jian Ru Gong 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期2-8,共7页
Simultaneously improving the efficiency and stability on a large scale is significant for the development of photoelectrochemical(PEC)water splitting systems.Here,we demonstrated a novel design of GaP/GaPN core/shell ... Simultaneously improving the efficiency and stability on a large scale is significant for the development of photoelectrochemical(PEC)water splitting systems.Here,we demonstrated a novel design of GaP/GaPN core/shell nanowire(NW)decorated p-Si photocathode for improved PEC hydrogen production performance compared to that of bare p-Si photocathode.The formation of the p-n junction between p-Si and GaP NW promotes charge separation,and the lower conduction band position of GaPN relative to that of GaP further facilitates the transfer of photogenerated electrons to the electrode surface.In addition,the NW morphology both shortens the carrier collection distance and increases the specific surface area,which result in superior reaction kinetics.Moreover,introduction of N in GaP is beneficial for enhancing the light absorption as well as stability.Our efficient and facile strategy can be applied to other solar energy conversion systems as well. 展开更多
关键词 Core/shell nanowire GAP gapn Hydrogen production Si Solar water splitting Tandem structure
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GaN和GaPN混晶
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作者 一凡 《电子材料快报》 1995年第7期4-5,共2页
关键词 GAN gapn 远紫外激光材料 激光材料
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GAPN多项式函数的构造 被引量:1
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作者 庞婷婷 徐运阁 陈智军 《系统科学与数学》 CSCD 北大核心 2019年第9期1500-1512,共13页
提出了一类GAPN单项式和一类GAPN二项式,推广了以前的两类构造;还提出了一种由已知GAPN函数构造大量GAPN多项式函数的方法.文章的构造能生成扩展仿射不等价于所有已知GAPN函数的GAPN函数,此外还对GAPN函数的差分性质进行了初步探讨.
关键词 APN函数 gapn函数 扩展仿射等价 差分均匀度
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支化聚叠氮缩水甘油醚硝酸酯的制备 被引量:12
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作者 王平 郁卫飞 刘春 《含能材料》 EI CAS CSCD 2008年第4期395-397,共3页
为改善含能粘结剂及增塑剂的流变性与氧平衡,用聚环氧氯丙烷(PECH)、叠氮钠(NaN3)、氢氧化钠(NaOH)、在乙二醇(EG)引发下,100℃反应获得了支化聚叠氮缩水甘油醚(B-GAP),浓硝酸-20~0℃反应,将B-GAP转化为支化聚叠氮缩水... 为改善含能粘结剂及增塑剂的流变性与氧平衡,用聚环氧氯丙烷(PECH)、叠氮钠(NaN3)、氢氧化钠(NaOH)、在乙二醇(EG)引发下,100℃反应获得了支化聚叠氮缩水甘油醚(B-GAP),浓硝酸-20~0℃反应,将B-GAP转化为支化聚叠氮缩水甘油醚硝酸酯(B-GAPN)。研究了用反应条件控制B-GAP羟值及B-GAP与B-GAPN分子量。从B-GAP红外光谱的-OH特征峰削弱和-ONO2峰的出现,可判断合成产物为B-GAPN。 展开更多
关键词 有机化学 支化聚叠氮缩水甘油醚硝酸酯(B-gapn) 支化聚叠氮缩水甘油醚(B-GAP) 羟值
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Exciton-Phonon Coupling of NN_3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP
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作者 高玉琳 吕毅军 +4 位作者 郑健生 张勇 A.Mascarenhas 辛火平 杜武青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期889-893,共5页
Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation o... Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang Rhys’ multiphonon optical transition theory. 展开更多
关键词 gapn PHOTOLUMINESCENCE isoelectronic impurity
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GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱
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作者 高玉琳 吕毅军 +4 位作者 郑健生 张勇 A. Mascarenhas 辛火平 杜武青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期476-480,共5页
通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %~ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %~ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在... 通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %~ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %~ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在高组分 ( x≥ 1.3%)下 ,NNi 对之间相互作用形成的与 N有关的杂质带导致了 Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低 .同时 ,在 x=0 .12 %的 Ga Nx P1 - x中 ,得到了清晰的 NN3 零声子线及其声子伴线 ,从而直接证实了 NN3具有与孤立 N中心完全相似的声子伴线 . 展开更多
关键词 GaP1-xNx混晶 光致发光谱 声子伴线 等电子陷阱 带隙弯曲
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妊娠合并急性肾盂肾炎48例分析 被引量:1
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作者 韩中印 万少杰 《河南医药信息》 2001年第17期13-14,共2页
目的 :探讨妊娠期急性肾盂肾炎 (GAPN)对妊娠的影响及其治疗措施。方法 :对 4 8例GAPN进行回顾性分析。结果 :GAPN的主要致病菌为大肠杆菌 ( 65 % ) ,且 82 %的杆菌对氨苄青霉素耐药。抗菌疗程 4周者再发率 ( 10 % )明显低于 3周者 ( 3 ... 目的 :探讨妊娠期急性肾盂肾炎 (GAPN)对妊娠的影响及其治疗措施。方法 :对 4 8例GAPN进行回顾性分析。结果 :GAPN的主要致病菌为大肠杆菌 ( 65 % ) ,且 82 %的杆菌对氨苄青霉素耐药。抗菌疗程 4周者再发率 ( 10 % )明显低于 3周者 ( 3 2 % ) ,差异显著 (P <0 0 1)。 4 8例中流产 1例 ,早产 3例。结论 :GAPN多在妊娠中晚期发病 ,重者可致流产、早产。治首选头孢菌素 ,疗程以 4周为好。重视孕早期菌普查 ,积极治疗真性菌 ,有望减少GAPN的生成。 展开更多
关键词 妊娠合并症 急性肾盂肾炎 gapn 诊断 治疗
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