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GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化
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作者 赵普琴 杨锡震 薛洪涛 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期114-118,共5页
在已报道的ｐ－ｎ２－ｎ１结的势垒分布计算的基础上，对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形，计入了ｎ２区产生的压降。考虑到ＧａＰ：ＮＬＥＤ发光区主要在ｐ区，注入效率γ＝ｊｎ/（ｊｎ＋ｊｐ），ｊｎ和ｊｐ分别为电子电流... 在已报道的ｐ－ｎ２－ｎ１结的势垒分布计算的基础上，对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形，计入了ｎ２区产生的压降。考虑到ＧａＰ：ＮＬＥＤ发光区主要在ｐ区，注入效率γ＝ｊｎ/（ｊｎ＋ｊｐ），ｊｎ和ｊｐ分别为电子电流和空穴电流。ｐ区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散；ｎ２区内外加正向偏压时电场不能忽略，空穴又被ｎ２－ｎ１结势垒阻挡（设被完全阻挡），则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程，由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明：当ｎ２值在１０１５～１０１６ｃｍ－３范围内时，注入效率较高，与实验结果基本相符。 展开更多
关键词 gap:nled 结构参数 优化 载流子 浓度 计算 发光二极管
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