采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而...采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。展开更多
对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带...对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比 。展开更多
GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor.High resolution X ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectro metry (SIMS...GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor.High resolution X ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectro metry (SIMS) are combined in determining the nitrogen contents in the samples.Room temperature photoluminescence (RTPL) measurement is also used in characterizing.The influence of different Ga precursors on GaNAs quality is investigated.Samples grown with triethylgallium (TEGa) have better qualities and less impurity contamination than those with trimethylgallium (TMGa).Nitrogen content of 5 688% is achieved with TEGa.The peak wavelength in RTPL measurement is measured to be 1278 5nm.展开更多
文摘采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。高分辨率X射线衍射(HRXRD)测量结果显示,当周期厚度从6 nm增加到20 nm时,超晶格的结晶质量明显改善。然而,当周期厚度继续增加时,超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化,获得了具有低温光致发光现象的高含N量Ga NAs/In Ga As超晶格,吸收带边位于1 e V附近。使用10个周期的Ga NAs/In Ga As超晶格(10 nm/10 nm)和Ga As组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 m A/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。
文摘对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比 。
文摘GaNAs alloy is grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylhydrazine (DMHy) as the nitrogen precursor.High resolution X ray diffraction (HRXRD) and secondary ion mass spectro metry (SIMS) are combined in determining the nitrogen contents in the samples.Room temperature photoluminescence (RTPL) measurement is also used in characterizing.The influence of different Ga precursors on GaNAs quality is investigated.Samples grown with triethylgallium (TEGa) have better qualities and less impurity contamination than those with trimethylgallium (TMGa).Nitrogen content of 5 688% is achieved with TEGa.The peak wavelength in RTPL measurement is measured to be 1278 5nm.
