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石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究
1
作者 樊星 郭伟玲 +4 位作者 熊访竹 董毅博 王乐 符亚菲 孙捷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期3085-3089,共5页
石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间6... 石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH_4和H_2的分压比分别为1.59%和3.17%,该条件下得到具有明显2D峰的多层石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低。该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 直接生长 gan-lED
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Gb/s倒装蓝光LED在高速可见光通信中的应用研究
2
作者 周政 龙晓燕 +2 位作者 孙小广 李加定 李健 《现代电子技术》 北大核心 2025年第9期62-66,共5页
为了研制能应用在可见光通信中的高速发光二极管(LED),设计了两种结面积为200μm×800μm和200μm×1000μm的商用蓝光GaN-LED芯片。通过在芯片中设计微孔阵列结构并将其倒装封装在陶瓷基板上。实验采用64位正交幅度调制(QAM)... 为了研制能应用在可见光通信中的高速发光二极管(LED),设计了两种结面积为200μm×800μm和200μm×1000μm的商用蓝光GaN-LED芯片。通过在芯片中设计微孔阵列结构并将其倒装封装在陶瓷基板上。实验采用64位正交幅度调制(QAM)和正交频分复用(OFDM)调制技术。实验结果表明,在驱动电流为190 mA时,两组LED输出的光功率分别为192.7mW和178.7mW,-3 dB调制带宽值最大分别为49.9 MHz和58.8 MHz,比相同偏置电流下的商用OSRAM?LED的调制带宽分别提高了5.3倍和4.3倍。当传输距离为1 m时,在低于通信误码率阈值3.8×10^(-3)时具有2Gb/s通信传输速率。LED芯片中微孔结构有效降低了载流子的复合辐射寿命,提升了LED的调制性能。倒装封装提升了LED的光萃取,改善了微米级LED光功率输出过低的缺点。 展开更多
关键词 gan-lED 可见光通信 倒装封装 正交频分复用 传输速率 误码率
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高频驱动GaN-LED的频率响应特性研究
3
作者 郑俊杰 郭家玮 +2 位作者 李文豪 吴朝兴 郭太良 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第1期57-62,共6页
高刷新率显示器对氮化镓基发光二极管(GaN-LED)驱动频率提出更高的要求,因此研究GaN-LED的频率响应特性具有重要意义。研究了方波交流电压驱动下GaN-LED发光强度的频率响应特性。结果表明,LED的发光强度波形与电压波形存在固定的迟滞时... 高刷新率显示器对氮化镓基发光二极管(GaN-LED)驱动频率提出更高的要求,因此研究GaN-LED的频率响应特性具有重要意义。研究了方波交流电压驱动下GaN-LED发光强度的频率响应特性。结果表明,LED的发光强度波形与电压波形存在固定的迟滞时间(约27 ns),且该迟滞时间不随驱动频率改变。在所施加的交流驱动频率范围内(100 kHz~50 MHz),发光强度呈现四个不同的区域:即随着频率的升高,LED发光强度先保持稳定,随后下降,再次上升,最后衰减直至停止工作。文中阐述了形成四个区域的原因。该研究有望为基于LED的超高帧速率显示器件驱动设计提供依据。 展开更多
关键词 gan-lED 频率响应特性 发光强度 载流子迁移
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