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高功率GaN基蓝光二极管激光器性能退化实验研究
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作者 谢鹏飞 张永刚 +6 位作者 王丞乾 吕文强 武德勇 郭林辉 雷军 王昭 高松信 《强激光与粒子束》 北大核心 2026年第1期1-7,共7页
高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限... 高功率GaN基蓝光二极管激光器在工业加工、铜材料焊接、3D打印和水下激光通信等技术领域有着广泛的应用前景。蓝光二极管激光芯片COS单元器件具有热阻低和尺寸小的优点,但是该器件存在可靠性较低的问题,导致其在工业化应用中受到一定限制,因此对其性能退化因素进行深入研究。基于光学显微技术、扫描电子显微表征和能谱分析手段对经过长时老化考核后器件的性能退化因素进行分析研究。实验研究和分析表明,GaN基体材料缺陷、腔面多余物沉积和光化学腐蚀是导致蓝光二极管激光芯片性能退化的主因,同时良好的气密性封装可提高二极管激光芯片的可靠性。 展开更多
关键词 高功率gan蓝光二极管激光器 性能退化 二极管激光器封装 气密封
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基于缓变复合沟道的高线性GaN HEMT仿真研究
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作者 李世权 蔡利康 +1 位作者 林罡 章军云 《电子技术应用》 2026年第1期43-47,共5页
基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器... 基于半导体工艺与器件模拟工具(TCAD)提出并仿真了一种基于缓变组分AlGaN和InGaN复合沟道的高线性GaN HEMT器件,该结构的复合沟道层形成了三维电子气和二维电子气双沟道分布,器件栅压摆幅高达4.1 V,比常规突变异质结HEMT提高2.2 V。器件跨导的二阶导数的峰值比常规器件的低大约56%,显示其优越的抑制三阶互调的能力。另外,还探究了自热效应对器件线性度的影响。所提出的器件结构在高线性应用领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 线性度 缓变沟道 栅压摆幅 gan HEMT 跨导
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AlGaN/GaN异质结欧姆接触优化与导通机理研究
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作者 王强 曹京津 +2 位作者 曲莹 范晶晶 李飞扬 《微纳电子技术》 2026年第1期87-93,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻... 氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、电子迁移率高和临界击穿电场高等优点,已经广泛应用于新型电力系统。基于Ti/Al/Ni/Au金属叠层制备了AlGNa/GaN异质结欧姆接触。通过传输线模型(TLM)测试其接触电阻率和方块电阻分别为1.01Ω·mm和304Ω/□。通过TLM结构的变温测试来研究AlGaN/GaN异质结欧姆接触的导通机理。实验结果表明,随着测试温度升高,接触电阻率仅从1.01Ω·mm增加到1.26Ω·mm,展现出良好的温度稳定性。比接触电阻率与温度的拟合曲线表明,场发射是AlGaN/GaN异质结欧姆接触电流传输的主导机制。透射电子显微镜的结果表明,在高温退火中,金属Ti扩散至AlGaN中与之发生反应并产生大量的N空位,在AlGaN势垒层中形成重掺杂,从而减小了势垒宽度,促进了欧姆接触的形成。 展开更多
关键词 ALgan/gan异质结 欧姆接触制备 传输线模型(TLM) 变温测试 导通机理
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An Iterative PRISMA Review of GAN Models for Image Processing, Medical Diagnosis, and Network Security
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作者 Uddagiri Sirisha Chanumolu Kiran Kumar +1 位作者 Sujatha Canavoy Narahari Parvathaneni Naga Srinivasu 《Computers, Materials & Continua》 2025年第2期1757-1810,共54页
The growing spectrum of Generative Adversarial Network (GAN) applications in medical imaging, cyber security, data augmentation, and the field of remote sensing tasks necessitate a sharp spike in the criticality of re... The growing spectrum of Generative Adversarial Network (GAN) applications in medical imaging, cyber security, data augmentation, and the field of remote sensing tasks necessitate a sharp spike in the criticality of review of Generative Adversarial Networks. Earlier reviews that targeted reviewing certain architecture of the GAN or emphasizing a specific application-oriented area have done so in a narrow spirit and lacked the systematic comparative analysis of the models’ performance metrics. Numerous reviews do not apply standardized frameworks, showing gaps in the efficiency evaluation of GANs, training stability, and suitability for specific tasks. In this work, a systemic review of GAN models using the PRISMA framework is developed in detail to fill the gap by structurally evaluating GAN architectures. A wide variety of GAN models have been discussed in this review, starting from the basic Conditional GAN, Wasserstein GAN, and Deep Convolutional GAN, and have gone down to many specialized models, such as EVAGAN, FCGAN, and SIF-GAN, for different applications across various domains like fault diagnosis, network security, medical imaging, and image segmentation. The PRISMA methodology systematically filters relevant studies by inclusion and exclusion criteria to ensure transparency and replicability in the review process. Hence, all models are assessed relative to specific performance metrics such as accuracy, stability, and computational efficiency. There are multiple benefits to using the PRISMA approach in this setup. Not only does this help in finding optimal models suitable for various applications, but it also provides an explicit framework for comparing GAN performance. In addition to this, diverse types of GAN are included to ensure a comprehensive view of the state-of-the-art techniques. This work is essential not only in terms of its result but also because it guides the direction of future research by pinpointing which types of applications require some GAN architectures, works to improve specific task model selection, and points out areas for further research on the development and application of GANs. 展开更多
关键词 gan Cgan Wgan DCgan image analysis
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基于GAN数据增强在航空旋转部件缺陷检测中的应用
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作者 夏巍 王燕山 +1 位作者 李广元 贾晨枫 《测控技术》 2026年第1期37-44,共8页
针对航空旋转部件缺陷样本稀缺且类别分布不均的问题,提出了一种基于“修复-生成”机制的缺陷样本生成方法。利用大规模掩膜修复(Large Mask Inpainting,LaMa)模型对原始缺陷图像进行语义补全,构建结构一致的缺陷-修复图像对,从而增强... 针对航空旋转部件缺陷样本稀缺且类别分布不均的问题,提出了一种基于“修复-生成”机制的缺陷样本生成方法。利用大规模掩膜修复(Large Mask Inpainting,LaMa)模型对原始缺陷图像进行语义补全,构建结构一致的缺陷-修复图像对,从而增强训练样本的表达一致性。同时,设计一种掩膜引导的空间-频域特征融合生成对抗网络(Mask-Guided Spatial-Frequency Feature Fusion Generative Adversarial Network,Mask-FFTGAN),提升模型对缺陷区域形态、边界和局部结构的建模能力。损失函数融合条件对抗损失和像素重建损失,实现图像真实感与结构一致性的平衡。在AeBAD-S数据集上的实验证明,该方法在局部缺陷区域生成任务中取得弗雷歇起始距离(Fréchet Inception Distance,FID)值最低为10.22、感知图像块相似度(Learned Perceptual Image Patch Similarity,LPIPS)低于0.1的性能,在缺陷检测任务中通过数据扩增实现平均精确率、召回率和F1值分别提升10.2%、8.6%和9.3%。结果表明,该方法能有效缓解样本不足的问题,提升下游检测性能,为工业领域高质量缺陷图像的生成与增强提供了一种可行方案。 展开更多
关键词 航空发动机叶片检测 小样本 生成对抗网络 数据增强
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高阈值电压的半环绕式MIS栅极P-GaNHEMT
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作者 何晓宁 贾茂 +3 位作者 李明志 侯斌 杨凌 马晓华 《半导体技术》 北大核心 2025年第4期333-338,共6页
p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属... p-GaNHEMT以阈值电压稳定、导通损耗低、开关频率高和工艺成熟等优势,成为新一代主流功率开关器件。针对其栅控能力与开态损耗优化需求,提出了一种采用半环绕式金属-绝缘体-半导体(MIS)栅结构的p-GaNHEMT。通过采用SiN介质层及栅极金属环绕p-GaN层,该器件实现了6.9 V的高阈值电压,且栅极操作范围提升至14 V。器件的输出电流由17.1 mA/mm提升至30.5 mA/mm,导通电阻则由106.4Ω·mm降低至47.6Ω·mm。基于SilvacoTCAD软件的仿真结果表明,半环绕式MIS栅极结构显著提升了沟道电流密度,有效降低了栅极下方的尖峰电场强度,从而提高了器件的击穿电压。此外,峰值跨导的误差棒显示样品的平均峰值跨导从5.8 mS/mm增至6.8 mS/mm,进一步验证了半环绕栅(GSA)技术对提升p-GaNHEMT栅极控制能力的显著效果。 展开更多
关键词 半环绕栅(GSA) 常关型 ALgan/gan HEMT p-gan栅极 电学特性
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GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换 被引量:6
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作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页
GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。... GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。 展开更多
关键词 常开gan功率开关器件 常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件 功率变换
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GaN技术发展新趋势 被引量:4
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作者 单月晖 连潞文 +1 位作者 高媛 赖凡 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第4期614-622,共9页
氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频(RF)GaN技术,在电信和国防两大主要应用增长行业,尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求,推动... 氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频(RF)GaN技术,在电信和国防两大主要应用增长行业,尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求,推动了RF GaN器件向更高频率、更大功率和更高可靠性发展。文章梳理了在该领域中GaN RF/微波HEMT、毫米波晶体管和单片微波集成电路(MMIC)、GaN器件空间应用可靠性和抗辐射加固等技术发展的脉络。在功率电子方面,对高效、绿色和智能化能源的需求拉动GaN功率电子、电源变换器向快速充电、高效和小型化方向发展。简述了应用于纯电动与混合动力电动汽车(EV/HEV)、工业制造、电信基础设施等场合的GaN功率器件的研发进展和商用情况。在数字计算特别是量子计算前沿,GaN是具有应用前景的技术之一。介绍了GaN计算和低温电子技术研究的几个亮点。总而言之,对GaN技术发展几大领域发展的最新趋势作了概括性描述,勾画出技术发展的粗略线条。 展开更多
关键词 gan 射频gan gan功率器件 数字电子的gan gan量子计算
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BSGAN-GP:类别均衡驱动的半监督图像识别模型 被引量:1
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作者 胡静 张汝敏 连炳全 《中国图象图形学报》 北大核心 2025年第1期95-109,共15页
目的已有的深度学习图像识别模型严重依赖于大量专业人员手工标记的数据,这些专业图像标签信息难以获取,人工标记代价昂贵。实际场景中的数据集大多具有不平衡性,正负样本偏差严重导致模型在拟合时常偏向多数类,对少数类的识别精度不足... 目的已有的深度学习图像识别模型严重依赖于大量专业人员手工标记的数据,这些专业图像标签信息难以获取,人工标记代价昂贵。实际场景中的数据集大多具有不平衡性,正负样本偏差严重导致模型在拟合时常偏向多数类,对少数类的识别精度不足。这严重阻碍了深度学习在实际图像识别中的广泛应用。方法结合半监督生成式对抗网络(semi-supervised generative adversarial netowrk)提出了一种新的平衡模型架构BSGAN-GP(balancing semi-supervised generative adversarial network-gradient penalty),使得半监督生成式对抗网络的鉴别器可以公平地判别每一个类。其中,提出的类别均衡随机选择算法(class balancing random selection,CBRS)可以解决图像样本类别不均导致少数类识别准确度低的问题。将真实数据中有标签数据按类别随机选择,使得输入的有标签数据每个类别都有相同的数量,然后将训练后参数固定的生成器NetG生成每个类同等数量的假样本输入鉴别器,更新鉴别器NetD保证了鉴别器可以公平地判别所有类;同时BSGAN-GP在鉴别器损失函数中添加了一个额外的梯度惩罚项,使得模型训练更稳定。结果实验在3个主流数据集上与9种图像识别方法(包含6种半监督方法和3种全监督方法)进行了比较。为了证明对少数类的识别准确度提升,制定了3个数据集的不平衡版本。在Fashion-MNIST数据集中,相比于基线模型,总体准确率提高了3.281%,少数类识别率提升了7.14%;在MNIST数据集中,相比于基线模型,对应的4个少数类识别率提升了2.68%~7.40%;在SVHN(street view house number)数据集中,相比于基线模型,总体准确率提高了3.515%。同时也在3个数据集中进行了合成图像质量对比以验证CBRS算法的有效性,其少数类合成图像质量以及数量的提升证明了其效果。消融实验评估了所提出模块CBRS与引进模块在网络中的重要性。结论本文所提出的BSGAN-GP模型能够实现更公平的图像识别以及更高质量的合成图像结果。实验结果开放源代码地址为https://github.com/zrm0616/BSGAN-GP.git。 展开更多
关键词 深度学习 半监督学习(SSL) 生成式对抗网络(gan) 不平衡性图像识别 梯度惩罚
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高压硅基p-GaN栅结构GaN HEMT器件阈值电压稳定性研究
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作者 潘传奇 王登贵 +4 位作者 周建军 王金 章军云 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 2025年第3期11-15,共5页
基于硅基p-GaN/Al GaN/Ga N异质结材料,研制了一款横向结构的高压增强型Ga N高电子迁移率晶体管(GaN high electron mobility transistor,GaN HEMT)器件。采用自对准栅刻蚀与双层介质钝化实现了良好的阈值电压稳定性,并结合多场板峰值... 基于硅基p-GaN/Al GaN/Ga N异质结材料,研制了一款横向结构的高压增强型Ga N高电子迁移率晶体管(GaN high electron mobility transistor,GaN HEMT)器件。采用自对准栅刻蚀与双层介质钝化实现了良好的阈值电压稳定性,并结合多场板峰值抑制技术提升了器件的击穿特性。该器件的阈值电压为1.35 V(VGS=VDS,I_(DS)=1μA/mm),比导通电阻为2.95 mΩ·cm^(2)(VGS=6 V),击穿电压超过1800 V(VGS=0 V,I_(DS)=1μA/mm)。研究了栅极和漏极偏压应力对阈值电压稳定性的影响,在8 V栅极偏压下,阈值电压负移约10%;在1200 V漏极偏压下,阈值电压正移小于20%。上述结果表明,基于硅衬底的p-GaN栅结构Al GaN/GaN HEMT在1200V电压等级应用中展现出巨大的潜力。 展开更多
关键词 高压 ALgan/gan p-gan 阈值电压 稳定性
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增强型Si基GaN HEMT的p-GaN栅特性改善研究
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作者 鲍诚 王登贵 +3 位作者 任春江 周建军 倪志远 章军云 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期16-21,共6页
阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅... 阈值电压和栅极漏电是评价增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件性能的重要参数。热应力和电应力变化会加剧器件栅极附近的电子隧穿效应,促使热电子与器件缺陷相互作用形成界面态,进而导致栅极漏电增大和阈值电压漂移,长时间工作会引起栅极特性退化,阻碍了GaN电力电子器件的大规模工程化应用。本文基于101.6 mm(4英寸)GaN器件工艺平台研制了一款增强型Si基p-GaN栅结构GaN HEMT器件,引入了双层源场板和源接地孔结构设计,并研究了该结构对器件栅极漏电与阈值电压的影响。引入上述结构的器件低温(-50℃)下阈值电压相比高温(155℃)时变化了0.4 V,200 V漏极电应力测试后器件阈值电压相比测试前变化了0.24 V,漏极电压变化时阈值电压变化量为0.2 V,变化量均低于未引入该结构的器件。此外,栅极电压为5 V时,研制的400μm器件栅极漏电为1.4μA,在热应力与电应力测试后的变化量约0.1μA。测试结果表明研制的增强型p-GaN栅结构GaN HEMT能够在复杂环境下安全工作。 展开更多
关键词 gan HEMT P-gan 阈值电压 栅极漏电 热应力 电应力
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基于OD_SeGAN的断奶前仔猪实例分割方法
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作者 李鹏 沈明霞 +4 位作者 刘龙申 陈金鑫 薛鸿翔 衡熙 孙玉文 《农业机械学报》 北大核心 2025年第5期482-491,共10页
在猪只智慧养殖中,猪只实例分割方法是实现猪只自动化检测的关键技术之一,但在实际分割场景中,存在猪只遮挡粘连等现象,易导致分割困难。针对产房中仔猪分割困难问题,本文提出一种基于YOLO v5s和GAN(Generative adversarial network)的... 在猪只智慧养殖中,猪只实例分割方法是实现猪只自动化检测的关键技术之一,但在实际分割场景中,存在猪只遮挡粘连等现象,易导致分割困难。针对产房中仔猪分割困难问题,本文提出一种基于YOLO v5s和GAN(Generative adversarial network)的实例分割模型OD_SeGAN。该方法通过目标检测算法YOLO v5s提取出仔猪目标,并输入至语义分割算法GAN实现分割,并使用空洞卷积替换GAN中的普通卷积,扩大网络感受野;其次,使用挤压-激励注意力机制模块,增强模型对仔猪全局特征的学习能力,提高模型的分割精度。实验结果表明,OD_SeGAN在测试集上IoU为88.6%,分别比YOLO v5s_Seg、Cascade_Mask_RCNN、Mask_RCNN、SOLO、Yolact高3.4、3.3、4.1、9.7、8.1个百分点。将OD_SeGAN应用于仔猪窝均质量估测任务中,测得仔猪窝均质量和仔猪像素点数之间皮尔逊相关系数为0.956。OD_SeGAN在实际生产场景中具有良好的仔猪分割性能,可为仔猪窝均质量估测等后续研究提供技术基础。 展开更多
关键词 仔猪 实例分割 注意力机制 gan 窝均质量
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硅基GaN功率器件与驱动集成设计
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作者 严张哲 周建军 孔月婵 《电子技术应用》 2025年第5期15-20,共6页
为满足高频电源模块的应用需求,设计了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驱动电路和300 V功率管,有效减少分立式封装所带来的寄生电感,集成化设计能够提升芯片抗噪声能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工艺平台进行制备,采用E/D模集成电路设计... 为满足高频电源模块的应用需求,设计了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驱动电路和300 V功率管,有效减少分立式封装所带来的寄生电感,集成化设计能够提升芯片抗噪声能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工艺平台进行制备,采用E/D模集成电路设计。该芯片的驱动电路在2 MHz开关频率下输出信号上升时间为4.3 ns、下降时间为3.4 ns,芯片的功率管在300 V下能够稳定工作。 展开更多
关键词 gan 功率IC 单通道 gan-on-Si E/D模
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Li、Au掺杂对GaN/ZnO异质结光解水制氢性能的调控
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作者 温俊青 王若琦 张建民 《无机化学学报》 北大核心 2025年第5期923-938,共16页
以提高GaN/ZnO异质结光解水制氢性能为目标,采用第一性原理方法研究了Li和Au元素掺杂GaN/ZnO异质结的电子结构、光学性质和光催化性能。电子结构计算表明GaN/ZnO异质结为直接带隙半导体,异质结类型为Z型,带隙为1.41 eV,能有效促进载流... 以提高GaN/ZnO异质结光解水制氢性能为目标,采用第一性原理方法研究了Li和Au元素掺杂GaN/ZnO异质结的电子结构、光学性质和光催化性能。电子结构计算表明GaN/ZnO异质结为直接带隙半导体,异质结类型为Z型,带隙为1.41 eV,能有效促进载流子分离。Li、Au掺杂后的各结构中除Li替位Zn结构外,均具有磁性。光学性质分析的结果表明,掺杂Li、Au元素可以提高体系的吸收系数,其中Li替位Zn后异质结具有较大的光吸收系数,同时具有较大的功函数(7.37 eV)和界面电势差(2.55 V),表明其可见光利用率较高,界面结构稳定且具有较大的内建电场,可以更有效地促进电子与空穴的迁移从而减小电子-空穴对的结合。Bader电荷分析表明掺杂元素Li和Au均失去电子。电子从GaN层向ZnO层转移,在界面处形成了一个有效的内电场。Li替位Zn和Au同时替位近位的Ga和Zn所对应的2种结构的层与层之间转移的电子较多,说明其界面电势差较大且拥有较高的光生载流子迁移速率。光解水制氢性能分析表明,ZnO薄膜、GaN/ZnO异质结、Li替位Ga以及Li同时替位远位的Ga和Zn四种体系在pH=0时,满足光解水制氢的条件。GaN薄膜、ZnO薄膜和Li同时替位远位的Ga和Zn三种体系在pH=7时满足光解水制氢的条件。 展开更多
关键词 第一性原理方法 gan/ZnO异质结 电子结构 磁特性 光解水制氢
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一种基于GAN的肺部CT图像的超分辨率方法
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作者 杨树媛 颜安 +1 位作者 柯春燕 朱静 《计算机与数字工程》 2025年第7期1993-1998,2003,共7页
CT图像在成像的过程中,受到医学设备的成像分辨率、图像获取时间、患者所能承受的放射剂量等各种因素的限制,获得的图像分辨率有限,而在临床上,高分辨率的CT图像对于医生对病情的诊断、分析和治疗有着重要的意义。针对低分辨率的肺部CT... CT图像在成像的过程中,受到医学设备的成像分辨率、图像获取时间、患者所能承受的放射剂量等各种因素的限制,获得的图像分辨率有限,而在临床上,高分辨率的CT图像对于医生对病情的诊断、分析和治疗有着重要的意义。针对低分辨率的肺部CT图像,提出了一种基于GAN(生成式对抗网络)的超分辨率重建方法,该方法设计了一种多尺度的残差结构来充分提取低分图像的各级别特征,包括全局和局部特征,充分多的特征能够有助于更好地重建超分结果;该残差结构中只保留了卷积操作,去除了归一化层Batch Normalization,在提升网络性能的同时改善了超分结果过于平滑的问题;同时引入了Charbonnier Loss作为损失函数的一部分,提升了网络的性能。实验结果表明,所提算法的PSNR和SSIM值都高于其他几种算法,生成的超分图像更加逼真。 展开更多
关键词 CT图像 gan 超分辨率 Charbonnier Loss
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基于GaN功率器件的星载高功率T/R组件加速寿命试验方法
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作者 武小坡 肖连辉 +1 位作者 李阳斌 吴家锋 《航天器环境工程》 2025年第2期214-220,共7页
针对GaN器件在宇航应用中可靠性数据匮乏的问题,开展地面加速寿命试验研究。通过对GaN器件的失效模式和高温退化机理分析,结合阿伦尼乌斯模型,计算得出该型器件的加速寿命试验激活能和加速系数,进而确定了科学合理的试验温度和试验时间... 针对GaN器件在宇航应用中可靠性数据匮乏的问题,开展地面加速寿命试验研究。通过对GaN器件的失效模式和高温退化机理分析,结合阿伦尼乌斯模型,计算得出该型器件的加速寿命试验激活能和加速系数,进而确定了科学合理的试验温度和试验时间。针对某基于GaN器件的星载T/R组件,设计了一种加速寿命试验方法。按照该方法将该T/R组件置于真空罐中进行480 h的加速寿命试验,结果表明,T/R组件的各项电性指标和功能全程均保持正常稳定,有效验证了T/R组件(及其中GaN器件)的长期可靠性,为后续同类星载大功率T/R组件的可靠性评估提供了指导和借鉴。 展开更多
关键词 星载高功率T/R组件 gan功率器件 加速寿命试验 可靠性评估
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基于GAN网络图像语义指导的取证修复图像模型
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作者 王金伟 张子荷 +1 位作者 罗向阳 马宾 《信息安全学报》 2025年第5期92-106,共15页
大数据时代的到来使得网络上图像数据信息越来越丰富,篡改图像也越来越多,为了区分篡改图和原图,图像篡改检测方法层出不穷。虽然篡改检测可以定位图像的篡改区域,但是仍无法了解原图的图像以及原图所表达的语义信息。为了解决上述问题... 大数据时代的到来使得网络上图像数据信息越来越丰富,篡改图像也越来越多,为了区分篡改图和原图,图像篡改检测方法层出不穷。虽然篡改检测可以定位图像的篡改区域,但是仍无法了解原图的图像以及原图所表达的语义信息。为了解决上述问题,本文提出了一种基于生成对抗网络(Generative adversarial network,GAN)图像语义指导的取证修复图像模型。首次在篡改环境下,针对于copy-move和拼接篡改这两种篡改手段进行图像修复。该模型利用GAN网络对抗式进行训练,最终得到训练好的生成器进行图像取证修复工作。模型利用图像语义识别模块,提供原图像的语义特征,对篡改环境下的图像修复进行指导和约束,这样使得修复图像遵循原始图像的语义,且生成器不会过度对图像进行美化,从而达到还原真实图像的目的。该模型在GAN网络中,将生成器修复的图像进行对应位置掩模拼接后再放入判别器,使得图像真实像素区域较多,这样可以训练出更加严格的判别器,最终使得生成器生成的图片更加真实。模型在语义识别模块和生成器特征拼接前设置了遗忘门,使得模型根据自己的需要选择适当的语义指导强度,使得修复图像更加真实。我们在三个数据集上的大量实验证明了所提模型在像素级修复图片方面的可行性和有效性。 展开更多
关键词 gan 取证修复 图像语义识别 图像篡改 语义指导
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基于改进GAN生成器的虚拟视点空洞填充
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作者 武伟 韩明昊 《长春工业大学学报》 2025年第3期233-239,共7页
提出一种基于改进GAN生成器的虚拟视点空洞填充算法。算法数据集为预处理的虚拟视图集合,该数据集采用3D-Warping技术生成填补前的图像和虚拟视点图的空洞掩膜。通过改进的GAN生成器将虚拟视图的多维特征进行提取,采用结构相似度损失优... 提出一种基于改进GAN生成器的虚拟视点空洞填充算法。算法数据集为预处理的虚拟视图集合,该数据集采用3D-Warping技术生成填补前的图像和虚拟视点图的空洞掩膜。通过改进的GAN生成器将虚拟视图的多维特征进行提取,采用结构相似度损失优化网络来处理生成的空洞区域。利用结果模型对空洞图进行填充。实验结果表明,该算法在虚拟视点图填充后能够保持原空洞区域的锐利边缘,视觉感知效果较好,填充后图像质量提升。与Criminisi算法和GAN算法相比,该算法的PSNR和SSIM值较高,证明其在空洞填充方面的有效性。因此,该算法能够有效地填充虚拟视点图中所产生的空洞问题。 展开更多
关键词 虚拟视点 特征提取 结构相似度 空洞填充 gan
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基于Unet与预训练StyleGAN结合的图像修复算法
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作者 贾世杰 金思辰 《大连交通大学学报》 2025年第6期132-137,共6页
为了解决大面积掩码时修复结果与原图语义差异大、纹理恢复粗糙的问题,提出一种结合Unet修复方法和GAN反演修复方法的图像修复方案。首先,将Unet编码器输出的风格向量输入预训练StyleGAN,解决潜码干扰问题;其次,在频域上加权融合Unet解... 为了解决大面积掩码时修复结果与原图语义差异大、纹理恢复粗糙的问题,提出一种结合Unet修复方法和GAN反演修复方法的图像修复方案。首先,将Unet编码器输出的风格向量输入预训练StyleGAN,解决潜码干扰问题;其次,在频域上加权融合Unet解码器与StyleGAN的特征图,避免频段冲突;最后,引入傅里叶频域损失,确保图像高频频谱的一致性。试验结果表明,该方法在CelebA-HQ数据集上优于现有方法(如LAMA),在FID、SSIM、PSNR指标上分别提升6.6%、0.5%和4.9%;在70%掩码条件下,分别提升8.9%、1%和6.8%,有效提高了大面积掩码修复的语义一致性和细节恢复精度。 展开更多
关键词 图像修复 生成对抗网络 gan反演 小波变换 特征融合
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基于GaN肖特基二极管的大功率微波限幅技术研究 被引量:3
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作者 霍树栋 张正兴 +3 位作者 郑梦晗 党魁 张进成 郝跃 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期1-11,共11页
随着高功率微波技术的发展,超宽带、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大,使用高功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式。对高功率微波的防护主要分为前门防护和后门防护,限幅器作为前门防护的重要微波器件也... 随着高功率微波技术的发展,超宽带、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大,使用高功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式。对高功率微波的防护主要分为前门防护和后门防护,限幅器作为前门防护的重要微波器件也面临越来越高的要求。本文首先介绍了GaN材料及肖特基二极管的器件特点和性能优势,然后论文介绍了以半导体器件为基础的限幅器原理及电路结构,并对以GaN肖特基二极管为基础的新一代大功率微波限幅技术研究进展进行论述。 展开更多
关键词 高功率微波技术 gan二极管 大功率限幅器 自检波架构
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