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(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究 被引量：3
1
作者 俞波 李建军 +6 位作者 盖红星 牛南辉 邢艳辉 邓军 韩军 廉鹏 沈光地 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期181-183,共3页
对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。... 对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。 展开更多
关键词 金属有机化合物汽相淀积 ALgainp gainp
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Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响 被引量：1
2
作者 李述体 范广涵 +4 位作者 周天明 王浩 孙慧卿 郑树文 郭志友 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期375-378,共4页
采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5... 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5In0 .5P/Ga0 .5In0 .5P多量子阱的发光强度。相对于未故意掺杂的样品 ,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了 13倍 ,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了 2 8倍。外延片的X射线双晶衍射测试表明 。 展开更多
关键词 ALgainp Algainp/gainp多量子阱 X射线双晶衍射 Si掺杂 光致发光
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退火对AlGaInP/GaInP多量子阱LED外延片性能的影响
3
作者 李述体 范广涵 +4 位作者 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期510-514,共5页
采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。研究表明退火对外延片性能有重要影响。与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaIn... 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。研究表明退火对外延片性能有重要影响。与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3。但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导。在460～700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化。但退火温度为780℃时,AlGaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍。 展开更多
关键词 Mgainp Algainp/gainp多量子阱 金属有机化学气相沉积 电化学电容电压分析 光致发光
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实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
4
作者 熊飞克 郭良 +3 位作者 马骁宇 杨志鸿 王树堂 陈良惠 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第11期1-3,共3页
用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０... 用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。 展开更多
关键词 半导体 激光器 量子阱 gainp ALgainp
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国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应 被引量：6
5
作者 王荣 刘运宏 +1 位作者 孙旭芳 崔新宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1599-1602,共4页
运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应... 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Isc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池. 展开更多
关键词 gainp/GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 光谱响应
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一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性 被引量：5
6
作者 牛振红 郭旗 +3 位作者 任迪远 刘刚 高嵩 肖志斌 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期37-39,共3页
对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功... 对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功率为辐照前的80．4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。 展开更多
关键词 多结太阳电池 gainp/GaAs/Ge 电子辐照 辐照效应 光谱响应
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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术研究进展 被引量：7
7
作者 王祖军 王兴鸿 +7 位作者 晏石兴 唐宁 崔新宇 张琦 石梦奇 黄港 聂栩 赖善坤 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期490-504,共15页
文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应... 文章首先重点介绍了国内外开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子、质子及其他辐射粒子或射线辐照实验的研究进展,然后从辐照损伤效应的仿真模拟研究、抗辐射加固技术、损伤预估方法等方面综述了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应及加固技术的研究进展,最后梳理了当前GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应研究中亟待解决的关键技术问题,为深入开展GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池辐照损伤效应实验方法标准制定、损伤机理分析、在轨寿命预估及抗辐射加固技术研究提供了理论指导和实验技术支持。 展开更多
关键词 gainp/GaAs/Ge三结太阳电池 辐照损伤 位移效应 抗辐射加固 电子辐照 质子辐照
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A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析 被引量：3
8
作者 陈贵楚 范广涵 +1 位作者 陈练辉 刘鲁 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期595-598,共4页
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光... 鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。 展开更多
关键词 A1gainp四元系材料 双异质结发光二极管 DH—LED AL组分 铝镓铟磷材料
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MOCVD的GaInP薄膜生长可视化研究 被引量：1
9
作者 胡贵华 胡小梅 +3 位作者 朱文华 俞涛 苏玉鹏 王海东 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第23期7498-7502,共5页
运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaInP薄膜过程进行了模拟;将模拟的结果与虚拟现实(VR)系统开发的软件开发包Open Inventor接口,实现了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长过程的可视化仿真。模拟仿真结果准确直... 运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长GaInP薄膜过程进行了模拟;将模拟的结果与虚拟现实(VR)系统开发的软件开发包Open Inventor接口,实现了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长过程的可视化仿真。模拟仿真结果准确直观地展示了MOCVD反应室内GaInP薄膜生长的过程,揭示了扩散时间和衬底温度对GaInP薄膜形貌的影响规律;可视化结果为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据。 展开更多
关键词 动力学蒙特卡罗方法 金属有机化学气相沉积 虚拟现实系统 gainp薄膜形貌 工艺参数
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AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱 被引量：1
10
作者 陈练辉 范广涵 +1 位作者 孟耀勇 刘桂强 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期859-862,共4页
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则... 利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现AlP-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量。 展开更多
关键词 光电子学 Algainp/gainp MQW 拉曼光谱 耦合电子(空穴)气-纵光学声子模
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GaInP薄膜KMC生长并行计算模拟与可视化研究 被引量：2
11
作者 胡小梅 胡贵华 +1 位作者 朱文华 俞涛 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期306-311,共6页
以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式... 以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式和通信优化策略进行负载平衡并降低通信开销,实现了真实沉积条件下基于大规模粒子的薄膜生长仿真,解决了单机计算能力的不足,缩短了仿真计算时间。模拟结果与试验一致性较好,为优化MOCVD生长GaInP薄膜的工艺参数提供理论依据,对于使用MOCVD生长高质量薄膜材料的太阳电池具有现实意义。 展开更多
关键词 动力学蒙特卡罗方法 金属有机化学气相沉积 gainp薄膜形貌 并行计算
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用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料 被引量：3
12
作者 黄子乾 李肖 +1 位作者 潘彬 张岚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-435,共3页
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高... 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。 展开更多
关键词 金属有机化合物气相淀积 gainp/GaAs双结叠层太阳电池 隧穿结 掺杂技术
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GaInP材料生长及其性质研究 被引量：1
13
作者 董建荣 刘祥林 +3 位作者 陆大成 汪度 王晓晖 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期88-92,共5页
用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３... 用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关． 展开更多
关键词 gainp MOCVD生长 外延层 半导体材料
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Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响 被引量：1
14
作者 林委之 李建军 +5 位作者 于晓东 邓军 廉鹏 韩军 邢艳辉 沈光地 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期202-204,共3页
用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-M... 用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析。发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响。 展开更多
关键词 红光LED 金属有机物化学气相沉积 A1gainp Ⅴ/Ⅲ比
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0．28-2．80MeV质子辐射对空间实用GaInP／GaAs／Ge多结太阳电池性能的影响 被引量：2
15
作者 刘运宏 孙旭芳 王荣 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期47-49,共3页
用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,... 用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数I_(sc),V_(oc),p_(max)和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。 展开更多
关键词 gainp/GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 光谱响应
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GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
16
作者 陈练辉 范广涵 +2 位作者 陈贵楚 吴文光 李华兵 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第3期60-63,共4页
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
关键词 gainp/(AlxGa1-x)InP 多量子阱 光荧光特性 发光二极管 半导体 光荧光谱 发光锋
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GaInP材料生长及其性质研究
17
作者 董建荣 刘祥林 +3 位作者 陆大成 汪度 王晓晖 王占国 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期9-11,共3页
用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度... 用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ｐ（ｘ＝０．４７６～０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光（ＰＬ）测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ￣２／Ｖ．ｓ（浓度为１．４×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３））。载流子浓度随生长温度升高，随Ⅴ／Ⅲ比的增大而降低，并提出Ｐ空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源，１７ＫＰＬ谱中，Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ（Ｔｇ＝６５０℃，Ⅴ／Ⅲ＝７０）的峰能为１．８２８ｅＶ，半峰宽为１９ｍｅＶ。另外，在１．８４９ｅＶ处还有一较弱的峰，ＧａＩｎＰ峰能和其计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关。 展开更多
关键词 MOCVD 光致发光 gainp
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GaInP应力补偿层在InAs/GaAs量子点中的初步应用
18
作者 白红艳 肖祥江 +2 位作者 涂洁磊 赵沛坤 陈创业 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期29-32,共4页
利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜（AFM）对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质... 利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜（AFM）对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量：（1）面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;（2）缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;（3）量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1～3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好. 展开更多
关键词 INAS量子点 gainp应力补偿层 厚度 组分
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名义上无序的GaInP合金的发光瞬态过程研究
19
作者 吕毅军 高玉琳 +3 位作者 郑健生 蔡志岗 桑海宇 曾学然 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期186-189,共4页
报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰... 报道了名义上无序GaxIn1 xP(x =0 .5 2 )合金的发光瞬态过程 ,对样品在 77K和 30 0K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析表明 ,这块名义上无序的合金也存在很微弱的有序度 .在 77K的高激发强度下 ,衰退过程符合单指数衰退规律 ,在低激发强度下 ,符合双指数衰退规律 ;而在 30 0K下 ,衰退过程都符合双指数衰退规律 .在 展开更多
关键词 有序度 无序 Ⅲ-V族半导体 gainp合金 发光瞬态过程 激发强度 衰退过程
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n-GaInP_2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析
20
作者 纪伟伟 张超 +1 位作者 张德亮 乔在祥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2804-2809,共6页
热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载... 热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道。本文首先对比GaInP2/Ge异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能。然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、I-V测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4cm2全面积电池效率最终达到5.18%(AM1.5,25℃)。根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径。 展开更多
关键词 热光伏 Ge gainp2 异质结 J-V特性
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