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Ga_2Te_3的^(129m)Te穆斯堡尔谱 被引量：1
1
作者 莫党 张桂林 +1 位作者 L.Niesen H.de Waard 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期110-114,共5页
测量了Ga_2Te_3化合物的^(129m)Te穆斯堡尔谱。考虑了化合物的晶体结构特征等因素,用两组四极分裂谱线(2Q)来对所测得的穆斯堡尔谱进行分析,得出两类Te位置的电场梯度张量的分量值。将本结果与对GaAs单晶注入离子Te的^(129m)Te穆斯堡尔... 测量了Ga_2Te_3化合物的^(129m)Te穆斯堡尔谱。考虑了化合物的晶体结构特征等因素,用两组四极分裂谱线(2Q)来对所测得的穆斯堡尔谱进行分析,得出两类Te位置的电场梯度张量的分量值。将本结果与对GaAs单晶注入离子Te的^(129m)Te穆斯堡尔谱的数据相对比,讨论了GaAs中Te原子偏离代位型的来因。 展开更多
关键词 ga2te3 穆斯堡尔谱 四极分裂
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含硫宽禁带Ga_2Te_3基热电半导体的声电输运特性
2
作者 刘海云 刘湘涟 +2 位作者 田定琪 杜正良 崔教林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期265-271,共7页
目前对宽禁带半导体热电材料的研究开始升温,原因是本征情况下宽禁带半导体往往具有低的热导率和高的Seebeck系数.Ga2Te3是一类带有缺陷的宽禁带半导体,其在临界温度±K和±K处会参与共析转变和包晶反应,因此会产生反应热.本次... 目前对宽禁带半导体热电材料的研究开始升温,原因是本征情况下宽禁带半导体往往具有低的热导率和高的Seebeck系数.Ga2Te3是一类带有缺陷的宽禁带半导体,其在临界温度±K和±K处会参与共析转变和包晶反应,因此会产生反应热.本次工作采用少量的S元素等电子替换Ga2Te3中的Te元素,观察到在临界温度附近热焓的变化,但没有相变发生.受热焓变化的影响这类材料在临界温度附近出现了较活跃的声电输运行为,具体表现为热容和Seebeck系数(α)明显增大及热扩散系数(热导率)和电导率下降.例,对于x.的材料,其α值从596 K时的376.3(μV·K-1)迅速增大到695 K时的608.2(μV·K-1),然后又随温度升高到764 K时迅速降低到213.8(μV·K-1).在596 K到812 K范围,Seebeck系数和电导率几乎随温度均呈Z字形变化.这些输运行为的变化揭示了在Ga2Te3基半导体中声子和载流子的临界散射特点,这种临界散射特征对以后的继续研究具有重要的参考价值. 展开更多
关键词 热电材料 宽禁带 ga2te3 临界声电输运
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SPS法制备的赝二元合金(Ga_2Te_3)_x-(Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3)_(1-x)(x=0～0.2)电学性能
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作者 薛海峰 崔教林 修伟杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1653-1656,共4页
采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能。结果表明,在318K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的... 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能。结果表明,在318K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降。从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍。 展开更多
关键词 赝二元合金(ga2te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x 放电等离子烧结(SPS) 电学性能
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