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CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计 被引量：4
1
作者 杜鸣 郝跃 朱志炜 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1619-1622,共4页
采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致... 采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致的栅氧化层损伤的微观机制. 展开更多
关键词 ESD gg-nmos 人体放电模式 栅耦合
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亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计 被引量：1
2
作者 黄九洲 夏炎 《电子器件》 CAS 2007年第2期423-425,共3页
针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实验结果显示其性能达到了人体放电模式的2级标准(HBM:3000V),机... 针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实验结果显示其性能达到了人体放电模式的2级标准(HBM:3000V),机器模式3级标准(MM:400V). 展开更多
关键词 ESD gg-nmos 栅耦合 HBM MM
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