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基于多电压域芯片的静电防护架构及其电路设计
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作者 周剑飞 关忠旭 +2 位作者 包呼日查 李林男 赵毅 《汽车实用技术》 2025年第15期80-84,共5页
在高压域和低压域功能模块共存的产品中,静电放电防护架构需要得到更加全面的考虑,做好各种可能路径的静电泄放尤为重要。该文章基于绝缘体上硅(SOI)工艺下的一款芯片的实际设计方案,对多电压域共存情况的静电防护做出了设计架构的阐述... 在高压域和低压域功能模块共存的产品中,静电放电防护架构需要得到更加全面的考虑,做好各种可能路径的静电泄放尤为重要。该文章基于绝缘体上硅(SOI)工艺下的一款芯片的实际设计方案,对多电压域共存情况的静电防护做出了设计架构的阐述,详细介绍各模块防护电路泄放路径及传输线脉冲(TLP)发生器参数配置,实际样品通过了需求的静电测试标准。这对类似开发需求背景下的新产品研发具有重要的参考意义。 展开更多
关键词 低压域 高压域 静电放电防护 GGNMOS gdpmos 滞回特性电路
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