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基于忆阻器的SRAM存储单元设计 被引量：1
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作者 徐红梅 李浩申 刘苡萌 《延边大学学报（自然科学版）》 CAS 2022年第3期222-228,共7页
为了突破冯·诺依曼架构瓶颈,实现存算一体的存储功能,利用D锁存器设计了一种忆阻器存储单元.该忆阻器存储单元由忆阻器基本逻辑与门、或门和MeMOS电路组成.PSpice仿真显示,该忆阻器存储单元不仅可以实现非易失性存储功能,而且具有... 为了突破冯·诺依曼架构瓶颈,实现存算一体的存储功能,利用D锁存器设计了一种忆阻器存储单元.该忆阻器存储单元由忆阻器基本逻辑与门、或门和MeMOS电路组成.PSpice仿真显示,该忆阻器存储单元不仅可以实现非易失性存储功能,而且具有体积小、功耗低、结构简单等优点,可为实现非易失性存储单元提供良好参考. 展开更多
关键词 忆阻器 SRAM存储单元 gdi逻辑电路 D锁存器
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