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中低合金钢的辉光放电发射光谱分析研究 被引量：23
1
作者 滕璇 李小佳 王海舟 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1-5,共5页
研究了辉光放电电流、放电电压、信号采集时间以及预溅射时间等因素对中低合金钢辉光光谱行为的影响,建立了辉光放电发射光谱法(GD-OES)同时测定中低合金钢中C,P,S,Si,Mn,Cu,Ni,Cr,Ti,Al,Co和B的方法。方法具有很好的准确度和精密度。
关键词 辉光放电发射光谱 中低合金钢 gd-oes 光谱行为 放电电压 信号采集时间 预溅射时间
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氦离子预注入对钨中氘滞留行为的影响
2
作者 金玉花 贺冉 +2 位作者 张学希 乔丽 王鹏 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期3498-3504,共7页
利用高能离子注入机和直线等离子体模拟装置将氦离子预注入钨中,再进行氘等离子体辐照。采用扫描镜(SEM)结合聚焦离子束(FIB)(SEM-FIB),透射电镜(TEM),辉光放电光谱仪(GD-OES)和热脱附谱(TDS)等分析方法,研究了高能氦离子预注入对氘等... 利用高能离子注入机和直线等离子体模拟装置将氦离子预注入钨中,再进行氘等离子体辐照。采用扫描镜(SEM)结合聚焦离子束(FIB)(SEM-FIB),透射电镜(TEM),辉光放电光谱仪(GD-OES)和热脱附谱(TDS)等分析方法,研究了高能氦离子预注入对氘等离子体再辐照后钨中氘滞留行为的影响。结果表明:氦离子预注入钨,在辐照损伤区域形成大量氦泡,钨经过氘等离子体再辐照后,表面的氘泡数量明显低于单独氘等离子体辐照的样品。从GD-OES分析中可以看到,在氦捕获位处氘滞留浓度明显升高,同时氦离子预注入增加了氘在钨中的扩散深度。结合TDS分析可知,氦离子预注入增加了氘在钨中的滞留总量,这是由于氦离子预注入后,形成的缺陷又为钨中氘的俘获提供大量新的位点,从而导致钨中的氘滞留量明显提高。 展开更多
关键词 钨 氦预注入 氘 gd-oes 滞留
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低温取向硅钢渗氮工艺对表面氧化层的影响 被引量：3
3
作者 肖水方 戴方钦 +1 位作者 郭悦 曾曦灿 《热加工工艺》 北大核心 2019年第22期137-142,共6页
采用场发射电子扫描显微镜(SEM)分析渗氮前后取向硅钢试样表层形貌,采用辉光放电光谱仪(GD-OES)分析表层元素分布。在GD-OES中用AT离子溅射试样表面,通过控制溅射时间、溅射深度使试样达到表面不同深度位置。并利用光电子能谱(XPS)分析... 采用场发射电子扫描显微镜(SEM)分析渗氮前后取向硅钢试样表层形貌,采用辉光放电光谱仪(GD-OES)分析表层元素分布。在GD-OES中用AT离子溅射试样表面,通过控制溅射时间、溅射深度使试样达到表面不同深度位置。并利用光电子能谱(XPS)分析渗氮前后不同深度元素组成及价态,采用SEM观察渗氮后不同深度形貌特征,探究渗氮过程反应机理。结果表明:渗氮前,试样表面形成约3 pm厚的氧化层,外表面由FeO和Fe2SiO4组成,中间层为球状SiO2,靠近基体一侧为带状SiO2,氧化层中还残留有少量的单质硅。渗氮过程中,NHs分解产生的出会将钢带表层部分FeO和Fe2SiO4还原成单质Fe和Si02o[N]进入钢带表面,并在浓度梯度的作用下在钢带中发生扩散,与钢带中合金元素Si等结合以Si3N4形式析出,SisNq在整个氧化层中及靠近氧化层/基体界面的铁基中都有析出,即渗氮层厚度大于氧化层厚度。 展开更多
关键词 低温取向硅钢 渗氮 氧化层 gd-oes XPS SEM
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