GaAsMESFET小讯号等效电路参数提取 被引量：1

1

作者 陈显萼 聂春雷 孙玲玲 《微波学报》 CSCD 北大核心 1994年第1期23-30,共8页

讨论了一种提取GaAsMESFET小讯号等效电路参数的方法,本方法可直接决定外部和本征小讯号参数.所得到的等效电路的S参数计算值与测量值基本吻合.

关键词 小讯号等效电路 参数提取 gaasmesfet

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GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展 被引量：1

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作者 李亚丽 杨瑞霞 +1 位作者 李晓光 陈宏江 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第6期35-40,共6页

栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中包括改变器件结构,采用新型材料和钝化等方法.

关键词 功率gaasmesfet 击穿电压 低温砷化镓 镓铟磷 钝化

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自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型

3

作者 王静 邓先灿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期15-18,共4页

分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。

关键词 gaasmesfet 大信号模型 自升温效应 砷化镓

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偏压应力下0.1μm自对准栅GaAsMESFET的阈值电压偏移和超高速IC的相关退化

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《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第6期49-49,共1页

关键词 偏压应力 自对准栅 gaasmesfet 掺杂 阈值电压偏移 IC 相关退化

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GaAsMESFET漏极雪崩击穿

5

作者 y. Wada 赵旭霞 《半导体情报》 1989年第6期32-37,31,共7页

采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs表面耗尽层的简单模型。本文论证了栅偏置与击穿电压的关系,说明了表面耗尽层、漏到栅间距和漏接触下n^+... 采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs表面耗尽层的简单模型。本文论证了栅偏置与击穿电压的关系,说明了表面耗尽层、漏到栅间距和漏接触下n^+层对击穿电压的影响,现已弄清表面耗尽层对栅偏置与击穿电压关系有明显的影响。根据半绝缘衬底的电导率调制解释了击穿机理。 展开更多

关键词 gaasmesfet 雪崩击穿 击穿电压

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离子注入条件对GaAsMESFET性能的影响

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作者 R. Anholt 杨文钊 《半导体情报》 1989年第6期25-31,共7页

本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进GaAsMEsFET枝术的综合工艺和器件模型中。研究了注入能量对跨导的影响,注入分布和杂质对低栅偏置跨导的... 本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进GaAsMEsFET枝术的综合工艺和器件模型中。研究了注入能量对跨导的影响,注入分布和杂质对低栅偏置跨导的影响和退火期间杂质扩散,包封层厚度和栅槽深度对阈值电压均匀性的影响,以及采用Si_3N_4和SiO_2包封注入,受撞原子对阈值电压的影响。 展开更多

关键词 离子注入 gaasmesfet 性能

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GaAsMESFET 模型参数自动提取方法的研究

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作者 赵雅兴 王天海 戴居丰 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1997年第3期331-336,共6页

提出了一种基于ＰＳＰＩＣＥ４．０２通用电路模拟程序与优化技术相结合提取ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ模型参数的方法．根据实测的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小信号Ｓ参数与大信号Ｓ参数，利用约束优化技术提取模型等效电路元件参数，并利用该... 提出了一种基于ＰＳＰＩＣＥ４．０２通用电路模拟程序与优化技术相结合提取ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ模型参数的方法．根据实测的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小信号Ｓ参数与大信号Ｓ参数，利用约束优化技术提取模型等效电路元件参数，并利用该电路模型参数设计制作了３．７ＧＨｚ～４．２ＧＨｚ和５．２ＧＨｚ～５．８ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ放大器。 展开更多

关键词 PSPICE 模型参数 砷化镓 自动提取法 MESFET

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东芝推出新型GaAsMESFET单刀双掷开关

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作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第6期24-25,共2页

东芝公司推出一种新的小型低断面GaAsMESFET、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述GaAsMESFET MMIC 1 GHz下插损0.35 dB(2 GHz下0.40 dB),1 GHz和2 GHz下隔离24 dB。其功率... 东芝公司推出一种新的小型低断面GaAsMESFET、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述GaAsMESFET MMIC 1 GHz下插损0.35 dB(2 GHz下0.40 dB),1 GHz和2 GHz下隔离24 dB。其功率性能优良,25 GHz下1 dB压缩功率(P1 dB)为17 dBm,对于极小型低断面封装而言,上述功率性能是非常之好了。 展开更多

关键词 单刀双掷开关 gaasmesfet 功率性能 低断面 无线局域网 开关工作 东芝公司 天线开关 多波段 插损

原文传递

氮气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒性能的改善 被引量：3

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作者 张利春 高玉芝 +2 位作者 宁宝俊 张录 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期615-622,共8页

本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒... 本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaAs肖特基势垒特性:势垒高度增高,势垒电容减小和二极管反向击穿电压增大。这种新工艺对于GaAs肖特基势垒特性改善和GaAs MESFETs性能提高是一个非常有用的技术。 展开更多

关键词 gaasmesfet 肖特基势垒 负偏压溅射

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硫钝化GaAs MESFET的机理研究 被引量：3

10

作者 邢东 李效白 刘立浩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期61-64,共4页

研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。

关键词 硫钝化 gaasmesfet 击穿电压 负电荷表面态

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功率GaAs MESFET小信号模型参数的提取(英文)

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作者 吴龙胜 刘佑宝 《计算物理》 CSCD 北大核心 2002年第2期127-131,共5页

采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解MESFET小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热FET状态的本征元件值 ,S参数的计算值与实验值... 采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解MESFET小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热FET状态的本征元件值 ,S参数的计算值与实验值吻合得很好 ,S1 1 的相对误差为 0 0 9% ,S1 2 为 1 1% ,S2 1 为 0 0 8% ,S2 2 为 2 2 6 % .该方法收敛快 ,精度高并且效率高 。 展开更多

关键词 CAD 功率gaasmesfet小信号模型 砷化镓 小信号等效电路模型 FET本征元件 目标函数 参数提取 微波器件 模拟软件

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WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性 被引量：1

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作者 张利春 高玉芝 +3 位作者 宁宝俊 方克微 汪锁发 柴淑敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第7期556-560,共5页

本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1... 本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。 展开更多

关键词 氮化钨 砷化镓 肖特基势垒 溅射

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大功率GaAs MESFET精确I_(ds)模型 被引量：4

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作者 顾聪 刘佑宝 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期60-62,共3页

提出一种适用于漏电流 2 .0A以上的大功率GaAsMESFET沟道电流Ids的改进型模型 ,新模型综合了Materka模型和Statz模型的优点 ,改进模型与管芯测量值拟合精度高于常用模型。

关键词 大功率gaasmesfet IDS模型 大信号模型

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2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——GaAs MESFET中性能不稳定性（如栅滞后和纠结现象）

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《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第4期61-61,共1页

关键词 gaasmesfet 不稳定性 栅滞后 纠结 物理机理

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