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GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究
被引量：
2
1
作者
徐仲英
徐强
+1 位作者
郑宝真
许继宗
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期416-421,共6页
本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出现明显的本征发光和杂质发光竞争现象;当样品界面起伏较大时,...
本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出现明显的本征发光和杂质发光竞争现象;当样品界面起伏较大时,界面缺陷可成为激子束缚中心,阻止载流子向杂质能级扩散,光谱中只表现出较宽的本征发光峰;还有一种情况是界面缺陷使杂质在界面富集,光谱中出现较强的界面杂质发光。
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关键词
gaas-gaalas
量子阱
界面特性
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职称材料
题名
GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究
被引量：
2
1
作者
徐仲英
徐强
郑宝真
许继宗
机构
中科院半导体研究所国家超晶格微结构实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期416-421,共6页
基金
国家科委超晶格课题大基金
中国科学院超晶格课题重点基金
文摘
本文用光荧光光谱和激发光谱研究了分子束外延GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面特性。在极弱激发条件下,与界面相关的光谱特性可以分为三类:当样品界面较为平整时,光谱结构上出现明显的本征发光和杂质发光竞争现象;当样品界面起伏较大时,界面缺陷可成为激子束缚中心,阻止载流子向杂质能级扩散,光谱中只表现出较宽的本征发光峰;还有一种情况是界面缺陷使杂质在界面富集,光谱中出现较强的界面杂质发光。
关键词
gaas-gaalas
量子阱
界面特性
Keywords
Quantum well
Interface behav or
Optical properties
分类号
TN304.36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs-AaAlAs多量子阱界面特性的光学研究
徐仲英
徐强
郑宝真
许继宗
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
2
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