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PCVD低水峰光纤的制备与性能
被引量：
1
1
作者
韩庆荣
谢康
+1 位作者
张树强
罗杰
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2006年第5期56-58,共3页
介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗。光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能...
介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗。光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能优越的双层涂覆层,使PCVD低水峰光纤各项性能指标全面达到或优于最严格的ITU-TG.652.C/D和IEC60793-2-50B.1.3光纤标准要求。
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关键词
P
c
V
d
低水峰光纤
P
c
V
d
工艺
ITU-T
g.652.c/d
IE
c
6079
3-2-50
B.1.3
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
PCVD低水峰光纤的制备与性能
被引量：
1
1
作者
韩庆荣
谢康
张树强
罗杰
机构
武汉理工大学材料学院
长飞光纤光缆有限公司研发部
出处
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2006年第5期56-58,共3页
文摘
介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组成、结构及性能,在生产普通单模光纤的基础上,通过优化PCVD工艺,成功抑制了普通单模光纤在1383nm由于羟基(OH)吸收造成的水峰损耗。光纤中功能梯度的芯层和光学包层、高纯均匀的机械包层和性能优越的双层涂覆层,使PCVD低水峰光纤各项性能指标全面达到或优于最严格的ITU-TG.652.C/D和IEC60793-2-50B.1.3光纤标准要求。
关键词
P
c
V
d
低水峰光纤
P
c
V
d
工艺
ITU-T
g.652.c/d
IE
c
6079
3-2-50
B.1.3
Keywords
P
c
V
d
low water peak fiber
P
c
V
d
base
d
pro
c
ess
ITU-T
g
.652
（
c
an
d
d
）
IE
c
60793-2-50 B. 1.3
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
PCVD低水峰光纤的制备与性能
韩庆荣
谢康
张树强
罗杰
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2006
1
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