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Frenkel训练法改善小脑性共济失调患者的疗效观察 被引量：13
1
作者 章春园 邵国富 +1 位作者 包仕尧 温仲民 《中国临床康复》 CSCD 2003年第25期3488-3489,共2页
目的:观察Frenkel训练法对小脑性共济失调患者的康复治疗效果。方法:40例小脑性卒中患者随机分为治疗组(Frenkel训练法康复训练+常规治疗)和对照组(常规治疗),训练前后对患者协调能力采用Fugl-Meyer平衡功能评定、小脑性共济失调临床评... 目的:观察Frenkel训练法对小脑性共济失调患者的康复治疗效果。方法:40例小脑性卒中患者随机分为治疗组(Frenkel训练法康复训练+常规治疗)和对照组(常规治疗),训练前后对患者协调能力采用Fugl-Meyer平衡功能评定、小脑性共济失调临床评定,日常生活能力(ADL)运用Barthel指数评价。结果:Fugl-Meyer平衡功能评分、小脑性共济失调临床评定评分和Barthel指数评分,治疗组治疗前和治疗后分别为3.26±5.12,11.57±6.11,45.26±10.32和10.54±4.26,6.73±4.23,80.31±11.46,对照组治疗前和治疗后则分别为3.78±4.56,11.65±5.62,43.15±10.28和7.47±5.12,9.15±3.26,62.89±11.23,两组相比患者的四肢和躯干协调运动能力都有提高,ADL水平也有提高,但治疗组效果更好(P<0.05)。结论:Frenkel训练法对改善患者的小脑性共济失调有效,并能提高ADL水平。 展开更多
关键词 小脑性共济失调 frenkel训练法 平衡康复训练 疗效
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绝缘介质中载流子注入与传导的机理 被引量：7
2
作者 周力任 吴广宁 罗杨 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期102-105,155,共5页
本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流。研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的... 本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流。研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的势垒降低的高度是由肖特基效应降低的势垒高度的两倍。如果In(I/E2)-1/E特性关系始终是线性的,说明载流子是由隧穿效应注入介质中的。在高电场下,离子跳跃传导的J-E特性曲线是一条斜率为eλ/2kT的直线,并可由此斜率计算得到离子跳跃的距离。由空间电荷限制电流的J-V特性可以确定临界电压,即电流从陷阱限制值迅速跳高至无陷阱的空间电荷限制电流值的电压。 展开更多
关键词 肖特基效应 普尔-弗兰凯尔效应 隧穿效应 离子跳跃传导 空间电荷限制电流
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6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析 被引量：3
3
作者 韩茹 杨银堂 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期16-20,共5页
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的... 考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快. 展开更多
关键词 碳化硅 补偿电流源 冻析效应 普尔-弗兰克效应 体漏电流
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叶黄素聚集体吸收光谱的实验分析与理论模拟 被引量：2
4
作者 卢礼萍 李明 +2 位作者 刘桂玲 魏良淑 吴芳 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期3287-3291,共5页
分子聚集体表现出单分子所不具备的特有功能,利用吸收光谱对聚集体分子结构特性的研究是理解其电子和能量转移功能的基础。实验中利用紫外-可见分光光度计,检测了叶黄素在乙醇溶液中的单体吸收谱和在1∶1乙醇水溶液中的聚集体吸收谱。... 分子聚集体表现出单分子所不具备的特有功能,利用吸收光谱对聚集体分子结构特性的研究是理解其电子和能量转移功能的基础。实验中利用紫外-可见分光光度计,检测了叶黄素在乙醇溶液中的单体吸收谱和在1∶1乙醇水溶液中的聚集体吸收谱。并通过对叶黄素单体吸收谱的高斯分解,获得了激发态的振动能级结构参数。理论上采用时间相关函数描述的吸收谱线和Frenkel激子模型,通过模拟单分子吸收光谱,获得了叶黄素分子的激发能、特征模振动频率、Huang-Phys因子等参数。再利用这些参数进行了聚集体分子光谱的模拟,分析了叶黄素聚集体的分子结构影响光谱变化的原因。结果表明,(1)分子间的相互作用是决定吸收光谱峰位移动的主要原因,实验中叶黄素H-聚集体的吸收光谱较单体蓝移了77nm,模拟显示相互作用在2 000cm-1附近;(2)聚集体分子个数越多,聚集协作效应越大,吸收光谱半高宽变小,同时吸收峰进一步蓝移;(3)环境的无序度对吸收光谱的半高宽也存在较大的影响,无序度越大,吸收光谱半高宽越大。实验结果为进一步研究聚集体在生物系统和材料系统中的功能提供了理论依据。 展开更多
关键词 H-聚集体 frenkel激子 吸收光谱 协作效应
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杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
5
作者 王巍 代作海 +3 位作者 王晓磊 唐政维 徐洋 王平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第9期67-69,73,共4页
研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进... 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。 展开更多
关键词 金属-绝缘体-碳化硅 杂质离化 泊松方程 Pool-frenkel效应 气体传感器
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带温度补偿的6H-SiC PMOS模拟与分析
6
作者 韩茹 杨银堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期7-12,共6页
提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈... 提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H-SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温度效应等效为相应的补偿电流源,并计入界面态电荷高斯分布模型及体内Poole-Frenkel效应。模拟结果表明,阈值电压是引起高温条件下输出电流变化的主要因素,同时随着温度的升高,由于体内缺陷的存在导致体漏电流所占比例不断增大,逐渐成为Ids的重要组成部分。 展开更多
关键词 碳化硅 补偿电流源 体漏电流 普尔-弗兰克效应
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500kV断路器均压电容器10kV介损异常现象的研究与探讨 被引量：11
7
作者 姚聪伟 李盈 +4 位作者 庞小峰 吕鸿 王增彬 靳宇晖 蔡玲珑 《电力电容器与无功补偿》 2021年第6期101-109,共9页
双断口断路器通常在两个断口分别并联均压电容器,以减小杂散电容引起的断口分压不均,保证两个断口承担相同的电压,并限制断口恢复电压陡度,提高断路器的工作可靠性。在均压电容器预防性试验中,发现部分全膜绝缘和膜纸复合绝缘均压电容... 双断口断路器通常在两个断口分别并联均压电容器,以减小杂散电容引起的断口分压不均,保证两个断口承担相同的电压,并限制断口恢复电压陡度,提高断路器的工作可靠性。在均压电容器预防性试验中,发现部分全膜绝缘和膜纸复合绝缘均压电容器出现10kV介损超标或增长较快的现象。对5台缺陷电容器进行了高电压介损、耐压和局部放电等试验,以及绝缘油理化分析和解体等工作,判断绝缘油理化性能劣化和心子击穿是均压电容器10 kV介损超标或增长较快的直接原因,认为高电压介损试验不能作为均压电容器是否具备继续运行条件的唯一标准。基于上述工作,对均压电容器的预防性试验工作提出了建议。 展开更多
关键词 500 kV断路器 均压电容器 介损试验 GARTON效应 frenkel效应 击穿电压
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12烷基硫醇自组装膜膜电阻与过电位的关系 被引量：2
8
作者 崔晓莉 庄继华 江志裕 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期339-343,共5页
应用交流阻抗技术研究了 12烷基硫醇自组装膜 (SAM)修饰金电极在 2mmol/LFe(CN) 3 -6/Fe(CN) 4 -6溶液中的电化学行为 .无“针孔”缺陷的SAM修饰电极对溶液中电对的电子转移具有良好的阻碍作用 ,在所测定的外加直流电位下 ,12烷基硫醇... 应用交流阻抗技术研究了 12烷基硫醇自组装膜 (SAM)修饰金电极在 2mmol/LFe(CN) 3 -6/Fe(CN) 4 -6溶液中的电化学行为 .无“针孔”缺陷的SAM修饰电极对溶液中电对的电子转移具有良好的阻碍作用 ,在所测定的外加直流电位下 ,12烷基硫醇自组装膜修饰金电极在Fe(CN) 3 -6/Fe(CN) 4 -6溶液中的电化学交流阻抗谱均表现为半圆形式 .指出了自组装膜修饰电极在Fe(CN) 3 -6/Fe(CN) 4 -6溶液中的行为实质上主要反映了膜自身的电阻特征 .发现表观电阻ln(1/R2 )与 η1/ 2 之间具有良好的线性关系 ,应用有机超薄绝缘膜的Poole Frenkel效应对此进行了解释 . 展开更多
关键词 12烷基硫醇 膜电阻 过电位 自组装单分子层膜 修饰电极 Poole-frenkel效应 交流阻抗技术 电化学
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LT-GaAs飞秒光电导之电场响应特性 被引量：3
9
作者 邓莉 刘叶新 +4 位作者 寿倩 吴添洪 赖天树 文锦辉 林位株 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3010-3013,共4页
利用飞秒光电导自相关技术研究了LT GaAs飞秒光电导开关时间随外加偏置电场的变化规律 .实验结果显示当外加偏置电场从 0 5× 1 0 4 V cm上升到 9 5× 1 0 4 V cm时 ,光电导开关时间开始在 2 0 0fs附近缓慢变化再迅速增加到 75... 利用飞秒光电导自相关技术研究了LT GaAs飞秒光电导开关时间随外加偏置电场的变化规律 .实验结果显示当外加偏置电场从 0 5× 1 0 4 V cm上升到 9 5× 1 0 4 V cm时 ,光电导开关时间开始在 2 0 0fs附近缓慢变化再迅速增加到 75 0fs.这是由于随着外加电场增加 ,Frenkel Poole效应导致的EL2缺陷中心库仑吸引势垒降低和电场增强的碰撞电离效应显著增强 ,导致载流子俘获截面减小 。 展开更多
关键词 光电导自相关技术 载流子俘获时间 frenkel-Poole效应 电子碰撞电离效应 光电导开关
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