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Synergistic effect of bonding heterogeneity and phonon localization in introducing excellent thermoelectric properties in layered heteroanionic NdZnSbO material
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作者 Da Wan Shuwei Tang +4 位作者 Shulin Bai Xiaodong Li Peng Ai Wanrong Guo Tuo Zheng 《Journal of Energy Chemistry》 2025年第1期259-272,共14页
Layered rare-earth metal oxides,harnessing the dual properties of oxides and two-dimensional layered materials,exhibit remarkable thermal stability and quantum confinement effects.Therefore,this work adopts the first-... Layered rare-earth metal oxides,harnessing the dual properties of oxides and two-dimensional layered materials,exhibit remarkable thermal stability and quantum confinement effects.Therefore,this work adopts the first-principles calculation combined with the Boltzmann transport theory to predict the thermoelectric properties of NdZnSbO compound.The coexistence of weak interlayer van der Waals interactions,robust intralayer ionic bonding,and partial covalent bonding leads to remarkable bonding heterogeneity,which engenders pronounced phonon scattering and imposes constraints on thermal transport along the out-of-plane direction.The weakened chemical bonds induced by the antibonding states,together with the rattling-like behavior of the Zn atom,culminate in the profound anharmonicity in the layered NdZnSbO compound.The weakening bond and heavy element contribute to the softness of phonon modes,which significantly diminishes the phonon group velocity.The redistribution-dominated four-phonon scattering process spans a large optical gap,which effectively reduces the lattice thermal conductivity.The NdZnSbO compound exhibits direct semiconductor characteristic with a bandgap of 0.73 e V by adopting the Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06)functional in combination with spin–orbit coupling(SOC)effect.The multi-valley feature of NdZnSbO compound augur favorably for band degeneracy,thus amplifying the power factor.Consequently,an optimal figure-of-merit(ZT)of 3.40 at 900 K is achieved for the n-type NdZnSbO compound.The present study delves deeply insights into the origins for the low thermal conductivity of NdZnSbO compound and proposes an optimization scheme to enhance overall thermoelectric performance. 展开更多
关键词 Heteroanionic materials Multi-valley characteristics four-phonon scattering Bonding heterogeneity Rattling-like behavior
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Thermal transport properties of 2D narrow bandgap semiconductor Ca_(3)N_(2),Ba_(3)P_(2),and Ba_(3)As_(2):Machine learning potential study
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作者 Wenlong Li Yu Liu +3 位作者 Zhendong Li Pei Zhang Xinghua Li Tao Ouyang 《Chinese Physics B》 2025年第9期404-410,共7页
By combining neuroevolution potential(NEP)with phonon Boltzmann transport theory,we systematically investigate the thermal transport properties of three two-dimensional(2D)narrow bandgap semiconductors:Ca_(3)N_(2),Ba_... By combining neuroevolution potential(NEP)with phonon Boltzmann transport theory,we systematically investigate the thermal transport properties of three two-dimensional(2D)narrow bandgap semiconductors:Ca_(3)N_(2),Ba_(3)P_(2),and Ba_(3)As_(2).The room-temperature lattice thermal conductivities(κ_(L))of Ca_(3)N_(2),Ba_(3)P_(2),and Ba_(3)As_(2)considering only three-phonon scattering are 6.60 W/m K,11.90 W/m K,and 8.88 W/m K,respectively.When taking into account the higherorder phonon(four-phonon)scattering processes,theκL of these three materials decrease to 6.12 W/m K,9.73 W/m K and6.77 W/m K,respectively.Among these systems,Ba_(3)As_(2)undergoes the most pronounced suppression with a reduction of 23.8%.This is mainly due to the greater scattering phase space which enhances the four-phonon scattering.Meanwhile,it is revealed that unlike the traditional evaluation using the P_(4)/P_(3)ratio as an indicator of the strength of four-phonon interactions,the thermal conductivity of Ba_(3)P_(2)exhibits weaker four-phonon suppression behavior compared to Ba_(3)As_(2),despite hosting a higher P_(4)/P_(3)ratio.That is to say,the strength of four-phonon scattering cannot be evaluated solely by the ratio of P_(4)/P_(3).These results presented in this work shed light on the thermal transport properties of such new 2D semiconductors with narrow bandgaps. 展开更多
关键词 narrow-bandgap semiconductor materials neuroevolution potential(NEP) four-phonon(4ph)scattering lattice thermal conductivity(κ_(L))
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薄膜厚度对三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元的影响
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作者 包锦 闫翠玲 闫祖威 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2015年第6期590-594,共5页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/半无限大极性二元半导体衬底构成的四层异质结系统的表面和界面声子极化激元的影响,以GaAs/A... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/半无限大极性二元半导体衬底构成的四层异质结系统的表面和界面声子极化激元的影响,以GaAs/Al0.4Ga0.6As四层异质结系统为例,获得了表面和界面声子极化激元模的频率随薄膜厚度的变化关系.结果表明:三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且当薄膜厚度发生变化时,只对位于其表面或界面处的极化激元模有影响,对其余的极化激元模几乎没有任何影响. 展开更多
关键词 表面和界面声子极化激元 四层系统 三元混晶
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透射电镜电子能量损失振动谱的研究进展 被引量:5
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作者 黄思瑜 时若晨 +5 位作者 李跃辉 武媚 李宁 杜进隆 俞大鹏 高鹏 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期213-224,共12页
近年来,透射电子显微镜在球差矫正器、单色仪等方面取得了长足的发展,使得它在材料科学和凝聚态物理等研究中发挥越来越大的作用。本文简要介绍近十年透射电子显微镜电子能量损失谱技术在声子物理研究方面的进展。目前,基于这一技术,可... 近年来,透射电子显微镜在球差矫正器、单色仪等方面取得了长足的发展,使得它在材料科学和凝聚态物理等研究中发挥越来越大的作用。本文简要介绍近十年透射电子显微镜电子能量损失谱技术在声子物理研究方面的进展。目前,基于这一技术,可以开展实空间和倒空间同时分辨的电子能量损失谱测量(简称四维电子能量损失谱,4D-EELS),在纳米尺度上绘制空间分辨声子色散分布图;能实现原子尺度上声子谱的测量,得到声子态密度的信息。此外,电子散射在能量匹配、动量匹配方面都与光子散射有很强的互补性,因此为声子极化激元的测量提供了一个新的手段。最后,本文简要展望电镜能损振动谱的研究前景。 展开更多
关键词 扫描透射电子显微镜 振动谱 原子分辨 声子色散 四维电子能量损失谱
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晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响
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作者 储媛媛 刘莹妹 +3 位作者 李生娟 徐志成 陈建新 王兴军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期791-797,共7页
通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声... 通过在3~300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1(Sb=37.9%)和S3(Sb=56.2%),获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2(Sb=47.7%)中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。 展开更多
关键词 GaAsSb/InP异质结 非谐效应 声子寿命 四声子模型
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四方折叠梁声子晶体低频带隙特性研究 被引量:2
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作者 高南沙 李沛霖 +1 位作者 周文林 侯宏 《噪声与振动控制》 CSCD 2019年第1期210-215,共6页
提出一种二维四方折叠梁声子晶体结构,通过有限元仿真分析该结构的低频带隙特性和几何参数影响,阐述多重共振耦合机理。结果表明:二维四方折叠梁局域共振型声子晶体的几何尺寸即四方折叠梁宽度的增大,可以导致带隙变窄,甚至消失。折叠... 提出一种二维四方折叠梁声子晶体结构,通过有限元仿真分析该结构的低频带隙特性和几何参数影响,阐述多重共振耦合机理。结果表明:二维四方折叠梁局域共振型声子晶体的几何尺寸即四方折叠梁宽度的增大,可以导致带隙变窄,甚至消失。折叠梁、基体材料和谐振子连接处的几何尺寸对带隙的影响具有一致性,其尺寸的增加仅可以使第一带隙向低频移动。大原胞的不同排列组合可以打开或者关闭低频带隙。设计思想丰富了声子晶体低频带隙相关理论,可为其相关结构设计提供一定的理论指导,在超低频频率范围内的多共振现象说明该声子晶体结构在低频能量回收方面有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 声学 声子晶体 四方折叠梁 低频带隙 有限元分析 多重振动耦合
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三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元 被引量:2
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作者 包锦 闫翠玲 闫祖威 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期365-371,共7页
运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了... 运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了真空/极性二元晶体薄膜/极性三元混晶薄膜/极性二元晶体衬底四层系统的表面和界面声子极化激元.以AlxGa1-xAs/GaAs和ZnxCd1-xSe/ZnSe为例,获得了表面和界面声子极化激元模的色散关系以及表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度的变化关系.结果表明,三元混晶四层异质结系统中存在七支表面和界面声子极化激元模,且这七支表面模和界面模的频率随混晶组分和薄膜厚度呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中得到了很好的体现. 展开更多
关键词 表面和界面声子极化激元 四层系统 三元混晶
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