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闪速存储器的研究与进展
被引量：
6
1
作者
于宗光
何耀宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期1-7,共7页
介绍了闪速存储器的发展历史，分析了闪速存储器单元及电路的工作原理，并就“与非”结构闪速存储器进行探讨，最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码／电路和深亚微米（０．２５μｍ）闪速存储器技术。
关键词
闪速存储器
EPROM
E^2PROM
结构
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职称材料
题名
闪速存储器的研究与进展
被引量：
6
1
作者
于宗光
何耀宇
机构
华晶电子集团中央研究所
电子十三所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期1-7,共7页
文摘
介绍了闪速存储器的发展历史，分析了闪速存储器单元及电路的工作原理，并就“与非”结构闪速存储器进行探讨，最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码／电路和深亚微米（０．２５μｍ）闪速存储器技术。
关键词
闪速存储器
EPROM
E^2PROM
结构
Keywords
flash memorytechnologyprogress
分类号
TP333.803 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
闪速存储器的研究与进展
于宗光
何耀宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
6
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