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High‑Performance p‑Type Bi_(2)Te_(3)‑Based Thermoelectric Materials with a Wide Temperature Range Obtained by Direct Sb Doping
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作者 Xicheng Guan Zhiyuan Liu +8 位作者 Ni Ma Zhou Li Juan Liu Huiyan Zhang Hailing Li Qian Ba Junjie Ma Chuangui Jin Ailin Xia 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 2025年第5期849-858,共10页
Doping modification is one of the most effective ways to optimize the thermoelectric properties of Bi_(2)Te_(3)-based alloys.P-type Bi_(2−x)Sb_(x)Te_(3) thermoelectric materials have been successfully prepared by dire... Doping modification is one of the most effective ways to optimize the thermoelectric properties of Bi_(2)Te_(3)-based alloys.P-type Bi_(2−x)Sb_(x)Te_(3) thermoelectric materials have been successfully prepared by direct Sb doping method.It can be found that doping Sb into Bi_(2)Te_(3) lattice array for Bi-site replacement facilitates the generation of Sb′Te anti-site defects.This anti-site defects can increase the hole concentration and optimize electrical transport properties of Bi_(2−x)Sb_(x)Te_(3) alloys.In addition,the point defects induced by mass and stress fluctuations and the Sb impurities produced during the sintering process can enhance the multi-scale phonon scattering and reduce the lattice thermal conductivity.As a result,the Bi_(0.47)Sb_(1.63)Te_(3) sample has a maximum thermoelectric figure of merit ZT of 1.04 at 350 K.It is worth noting that the bipolar effect of Bi_(2)Te_(3)-based alloys can be weakened with the increase of Sb content.The Bi_(0.44)Sb_(1.66)Te_(3) sample has a maximum average ZT value(0.93)in the temperature range of 300–500 K,indicating that direct doping of Sb can broaden the temperature range corresponding to the optimal ZT value.This work provides an idea for developing high-performance near room temperature thermoelectric materials with a wide temperature range. 展开更多
关键词 bi2te3-based materials Sb doping Wide temperature range Thermoelectric properties
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光学浮区法生长Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶及其光谱性质研究
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作者 杨晓龙 唐慧丽 +5 位作者 张超逸 孙鹏 黄林 陈龙 徐军 刘波 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期202-211,共10页
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-G... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-Ga_(2)O_(3)∶6%Bi单晶,并着重研究Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的光谱性质。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)结合能量色散X射线光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)以透过光谱和荧光光谱等先进的表征技术,对样品的晶体结构、元素组成及光谱性质进行了较全面的测试与分析。实验结果揭示,由于离子半径差异大,Bi离子较难掺入β-Ga_(2)O_(3)晶格,掺入的Bi离子主要替代了GaO_(6)八面体中的Ga离子位置。与非故意掺杂β-Ga_(2)O_(3)相比,Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶在红外区域的透射率降低,载流子浓度增加;荧光发射光谱强度降低,荧光衰减时间缩短。这些发现不仅深化了对Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光谱性质的理解,而且为该材料在闪烁和辐射探测等领域的应用提供了技术启示。 展开更多
关键词 bi掺杂β-Ga_(2)O_(3) 光学浮区法 晶体生长 拉曼光谱 光谱特性 发射光谱强度 荧光衰减时间
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Bi/Bi_(2)O_(3)涂层的制备及其在锌金属负极保护中的应用
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作者 哈斯呼 邢艺博 +2 位作者 柳勇 张万红 熊毅 《河南科技大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期26-34,共9页
水系锌离子电池在电池循环过程中负极所发生的枝晶生长以及副反应等一系列问题,导致电池表现出较低的库仑效率以及较短的循环寿命。为解决上述问题,采用刮刀法在锌箔上涂覆Bi/Bi_(2)O_(3)材料,制备了一种高循环稳定性、低成本的Bi/Bi_(2... 水系锌离子电池在电池循环过程中负极所发生的枝晶生长以及副反应等一系列问题,导致电池表现出较低的库仑效率以及较短的循环寿命。为解决上述问题,采用刮刀法在锌箔上涂覆Bi/Bi_(2)O_(3)材料,制备了一种高循环稳定性、低成本的Bi/Bi_(2)O_(3)@Zn锌金属负极。在半电池测试中,Bi/Bi_(2)O_(3)@Zn负极在0.5 mA·cm^(-2)的电流密度下能够稳定循环340圈,平均库仑效率可达98.28%。组装的对称电池在电流密度为1 mA·cm^(-2)、沉积量为1 mAh·cm^(-2)的测试条件下可稳定循环740 h。此外,以钒酸铵为正极组装的全电池也表现出比纯锌负极更优异的循环性能。 展开更多
关键词 锌离子电池 bi/bi_(2)O_(3)涂层 负极保护 锌枝晶 副反应
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两元P-型梯度结构热电材料FeSi_2/Bi_2Te_3的制备与性能 被引量:2
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作者 崔教林 赵新兵 +1 位作者 朱铁军 胡淑红 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1089-1093,共5页
采用热浸焊法用纯Sn作为过渡层制备了P 型FeSi2 /Bi2 Te3 梯度结构热电材料并对其热电性能进行了测试。发现当热端温度在 5 10℃以下时 ,梯度结构热电材料的平均Seebeck系数保持恒定 ,达 2 2 0 μV/K至 2 5 0μV/K左右 ,显著高于单一均... 采用热浸焊法用纯Sn作为过渡层制备了P 型FeSi2 /Bi2 Te3 梯度结构热电材料并对其热电性能进行了测试。发现当热端温度在 5 10℃以下时 ,梯度结构热电材料的平均Seebeck系数保持恒定 ,达 2 2 0 μV/K至 2 5 0μV/K左右 ,显著高于单一均质材料 (Bi2 Te3 和 β FeSi2 )在相同温度范围内的平均Seebeck系数。梯度结构热电材料的输出功率较单种材料高 1.5至 2倍以上 ,且当材料经 190℃ ,10 0h与 2 0 0h的真空退火后 ,输出功率几乎不变。金相观察表明 ,在Sn层与两半导体界面处 ,没有明显的Sn扩散迹象 ,说明在所试验的条件下 ,用Sn作为过渡层热稳定性较好。 展开更多
关键词 热电性能 梯度结构材料 输出功率 过渡层 fesi2/bi2te3 热电材料
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p-型FeSi_2/Bi_2Te_3梯度热电材料的优值推证与界面温度优化 被引量:5
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作者 崔教林 赵新兵 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期118-121,共4页
通过对两元 p-型梯度热电材料 Fe Si2 / Bi2 Te3界面温度的建模计算与实验验证 ,在固定热冷端温区内积分得出的 Z- ΔT值与界面温度 Ti 的关系曲线为 :Z- ΔT =0 .6 72 +11.7× 10 - 4Ti - 1.31× 10 - 6 T2i - 3.4 9× 10 ... 通过对两元 p-型梯度热电材料 Fe Si2 / Bi2 Te3界面温度的建模计算与实验验证 ,在固定热冷端温区内积分得出的 Z- ΔT值与界面温度 Ti 的关系曲线为 :Z- ΔT =0 .6 72 +11.7× 10 - 4Ti - 1.31× 10 - 6 T2i - 3.4 9× 10 - 9T3i该关系可用来表征两元梯度结构的热电性能。从拟合曲线上得出该梯度结构的最佳界面温度为 2 2 0℃~ 2 30℃ ,这与实验测出两单段材料 (Fe Si2 ,Bi2 Te3)长度比为 10∶ 1左右时所形成的界面温度较为接近。通过测试不同长度比的材料输出功率 ,也发现 10∶ 1梯度材料的最大输出功率较大 ,是相同温差下单段 β- Fe Si2 材料的 2倍~ 2 .6倍。 展开更多
关键词 fesi2/bi2te3 梯度热电材料 界面温度 优化 热电性能
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Yb^(3+),Bi^(3+)掺杂CaF_(2)的合作发光及量子剪裁特性
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作者 凌祝同 郭星原 +2 位作者 蒋中英 巴合提古丽·阿斯里别克 吐尔逊·艾迪力比克 《材料科学与工程学报》 北大核心 2025年第2期283-288,313,共7页
本研究采用共沉淀法制备了CaF_(2)∶1%Yb^(3+), CaF_(2)∶1%Bi^(3+),x%Yb^(3+)(x=0,1,3,10,15)粉末样品。制备样品在980 nm近红外光激发下,在460~560 nm波段显示Yb^(3+)离子的合作发光峰。当Bi^(3+)离子掺入后,除合作发光外,在650 nm附... 本研究采用共沉淀法制备了CaF_(2)∶1%Yb^(3+), CaF_(2)∶1%Bi^(3+),x%Yb^(3+)(x=0,1,3,10,15)粉末样品。制备样品在980 nm近红外光激发下,在460~560 nm波段显示Yb^(3+)离子的合作发光峰。当Bi^(3+)离子掺入后,除合作发光外,在650 nm附近出现Bi离子(^(3)P_(1)→^(1)S_(0))的发射峰,出现原因为Yb^(3+)离子对Bi^(3+)离子进行了合作敏化。在266 nm紫外光激发下,可观测到单掺Bi^(3+)离子的样品中Bi^(3+)离子(^(3)P_(1)→^(1)S_(0))在534 nm处的宽带发光。Yb^(3+)和Bi^(3+)离子共掺时,Yb^(3+)离子接受来自Bi^(3+)离子激发态的能量,在980 nm附近波段发光,实现近红外光子的量子剪裁。 展开更多
关键词 CaF_(2):Yb^(3+) bi^(3+) 合作发光 合作敏化 量子剪裁
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Bi/TiO_(2)∶Sm^(3+)复合纤维的制备及可见光催化降解抗生素洛美沙星
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作者 李跃军 曹铁平 孙大伟 《硅酸盐通报》 北大核心 2025年第5期1918-1926,共9页
以静电纺丝技术制备TiO_(2)∶Sm^(3+)纳米纤维,结合原位水热法,在葡萄糖酸钠作用下,合成Bi/TiO_(2)∶Sm^(3+)复合纤维。利用XRD和XPS表征样品的物相和组成,利用SEM和TEM观察样品的微观形貌,利用紫外-可见漫反射光谱和瞬态光电流等分析... 以静电纺丝技术制备TiO_(2)∶Sm^(3+)纳米纤维,结合原位水热法,在葡萄糖酸钠作用下,合成Bi/TiO_(2)∶Sm^(3+)复合纤维。利用XRD和XPS表征样品的物相和组成,利用SEM和TEM观察样品的微观形貌,利用紫外-可见漫反射光谱和瞬态光电流等分析样品的光电性能。结果表明,Sm^(3)+进入TiO_(2)晶格,占据Ti^(4+)的位置,造成TiO_(2)晶格膨胀,引起晶格畸变。稀土掺杂引入的晶格缺陷能够提高TiO_(2)的费米能级,增加表面能量壁垒,使光生电子和空穴在表面的复合概率降低;金属Bi通过表面等离子体共振效应,结合稀土元素丰富的能级结构和4f电子跃迁特性,对TiO_(2)进行双重修饰改性,进一步提高了TiO_(2)的光催化活性和稳定性。可见光照5 h,Bi/TiO_(2)∶Sm^(3+)复合纤维对洛美沙星的降解效果最佳,达到97.37%,分别是Sm^(3+)∶TiO_(2)和Bi/TiO_(2)的1.7和1.3倍。 展开更多
关键词 bi/TiO_(2)∶Sm^(3+)复合纤维 洛美沙星 表面等离子体共振 稀土离子掺杂 可见光催化活性
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n型Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3-y)Se_(y)基化合物的缺陷结构调控与电热输运性能 被引量:2
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作者 李睿英 罗婷婷 +6 位作者 李貌 陈硕 鄢永高 吴劲松 苏贤礼 张清杰 唐新峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期244-253,共10页
Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型... Bi_(2)Te_(3)基化合物是目前室温附近性能最好的热电材料,但其存在着大量复杂的缺陷结构,缺陷工程是调控材料热电性能的核心手段,因此理解和有效地调控缺陷形态和浓度是获得高性能Bi_(2)Te_(3)基热电材料的关键.本文系统地研究了四元n型Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(3-y)Se_(y)基化合物的缺陷演化过程及其对热电输运性能的影响规律.Sb和Se的固溶引入的带电伴生结构缺陷使得材料的载流子浓度发生了巨大变化,在Bi_(2-x)Sb_(x)Te_(2.994)Cl_(0.006)样品中,Sb的固溶降低了反位缺陷Sb_(Te)_(2)形成能,诱导产生了反位缺陷Sb_(Te)_(2),使得少数载流子空穴浓度从2.09×10^(16)cm^(-3)增加至3.99×10^(17)cm^(-3),严重劣化了电性能.在Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.994-y)Se_(y)Cl_(0.006)样品中,Se的固溶使得Se(Te)_(2)+SbBi的缺陷形成能更低,抑制了反位缺陷Sb_(Te)_(2)的产生,Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.694)Se_(0.30)Cl_(0.006)样品的少数载流子空穴浓度降至1.49×10^(16)cm^(-3),消除了其对材料热电性能的劣化效果,显著地提升了材料的功率因子,室温下达到4.49 mW/(m·K^(2)).结合Sb和Se固溶增强合金化散射降低材料的热导率,Bi_(1.8)Sb_(0.2)Te_(2.844)Se_(0.15)Cl_(0.006)样品在室温下获得最大ZT值为0.98.该研究为调控具有复杂成分的Bi_(2)Te_(3)基材料的点缺陷、载流子浓度和热电性能提供了重要的指导. 展开更多
关键词 bi2te3基化合物 缺陷工程 热电性能
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鸟巢状Bi/β-Bi_(2)O_(3)异质结的制备及其可见光催化性能 被引量:2
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作者 周慧 杜彬 +4 位作者 杨鹏斌 金党琴 肖伽励 沈明 王升文 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期549-560,共12页
在葡萄糖酸钠的辅助下用水热法制备鸟巢状含铋前驱体,研究了水热温度和反应物的浓度对其形貌和组成的影响及其生成机理。在150~400℃将前驱体煅烧制备出Bi/β-Bi_(2)O_(3)异质结分等级微纳结构。将前驱体煅烧使其分解生成Bi_(2)O_(3),... 在葡萄糖酸钠的辅助下用水热法制备鸟巢状含铋前驱体,研究了水热温度和反应物的浓度对其形貌和组成的影响及其生成机理。在150~400℃将前驱体煅烧制备出Bi/β-Bi_(2)O_(3)异质结分等级微纳结构。将前驱体煅烧使其分解生成Bi_(2)O_(3),葡萄糖酸生成的碳将Bi^(3+)原位还原为单质Bi。煅烧过程中的相变为:前驱体→Bi/β-Bi_(2)O_(3)(150~280℃)→Bi/β-Bi_(2)O_(3)/α-Bi_(2)O_(3)(300~350℃)→Bi(400℃)。以盐酸左氧氟沙星(LVFH)的降解为探针反应,研究了样品的可见光催化性能。结果表明:在280℃将前驱体煅烧制备的鸟巢状Bi/β-Bi_(2)O_(3)异质结材料具有最好的可见光催化活性,用可见光照射140 min对LVFH降解率达到97.75%。其具有较优异的光催化性能,可归因于鸟巢状分等级结构和原位生成的Bi纳米粒子的SPR效应提高了可见光的吸收并促进了光生载流子的分离。这种Bi/β-Bi_(2)O_(3)异质结光催化剂,还具有良好的可循环使用性能。 展开更多
关键词 复合材料 bi/β-bi_(2)O_(3) 可见光催化 葡萄糖酸钠 异质结 盐酸左氧氟沙星
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Interface and energy band manipulation of Bi2O3-Bi2S3 electrode enabling advanced magnesium-ion storage
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作者 Qiang Tang Yingze Song +4 位作者 Xuan Cao Cheng Yang Dong Wang Tingting Qin Wei Zhang 《Journal of Magnesium and Alloys》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第9期3543-3552,共10页
Rechargeable magnesium-ion(Mg-ion)batteries have attracted wide attention for energy storage.However,magnesium anode is still limited by the irreversible Mg plating/stripping procedure.Herein,a well-designed binary Bi... Rechargeable magnesium-ion(Mg-ion)batteries have attracted wide attention for energy storage.However,magnesium anode is still limited by the irreversible Mg plating/stripping procedure.Herein,a well-designed binary Bi_(2)O_(3)-Bi_(2)S_(3)(BO-BS)heterostructure is fulfilled by virtue of the cooperative interface and energy band engineering targeted fast Mg-ion storage.The built-in electronic field resulting from the asymmetrical electron distribution at the interface of electron-rich S center at Bi_(2)S_(3) side and electron-poor O center at Bi_(2)O_(3) side effectively accelerates the electrochemical reaction kinetics in the Mg-ion battery system.Moreover,the as-designed heterogenous interface also benefits to maintaining the electrode integrity.With these advantages,the BO-BS electrode displays a remarkable capacity of 150.36 mAh g^(−1) at 0.67 A g^(-1) and a superior cycling stability.This investigation would offer novel insights into the rational design of functional heterogenous electrode materials targeted the fast reaction kinetics for energy storage systems. 展开更多
关键词 Magnesium-ion battery bi2O3-bi2S3 heterostructure Interface and energy band engineering Electrochemical reaction kinetics Electrode integrity
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Bi/Cl原子比对TiO_(2)/Bi_(x)O_(y)Cl_(z)复合材料光催化性能的影响
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作者 马超鸽 房国丽 +2 位作者 田景 张刚 严祥辉 《复合材料学报》 北大核心 2025年第10期5736-5746,共11页
TiO_(2)/Bi_(x)O_(y)Cl_(z)复合材料是光催化活性最高一类半导体光催化剂。本文利用液相合成中阴离子之间的反应竞争,可控合成Bi/Cl原子比不同的TiO_(2)/Bi_(x)O_(y)Cl_(z)复合材料,进一步研究Bi/Cl比对复合材料光吸收阈值和光催化活性... TiO_(2)/Bi_(x)O_(y)Cl_(z)复合材料是光催化活性最高一类半导体光催化剂。本文利用液相合成中阴离子之间的反应竞争,可控合成Bi/Cl原子比不同的TiO_(2)/Bi_(x)O_(y)Cl_(z)复合材料,进一步研究Bi/Cl比对复合材料光吸收阈值和光催化活性的影响。研究发现,随Bi_(x)O_(y)Cl_(z)中Bi/Cl原子比升高,Bi_(x)O_(y)Cl_(z)的导带电势越正,带隙也越窄。一方面,这导致TiO_(2)/Bi_(12)O_(17)Cl_(2)异质结的光吸收阈值红移至505 nm;另一方面,形成S型TiO_(2)/Bi_(12)O_(17)Cl_(2)异质结,使光生e^(-)、h^(+)保留尽可能高的氧化还原能力。在自然光下,TiO_(2)/Bi_(12)O_(17)Cl_(2)异质结对苯酚的光降解速率k分别是TiO_(2)/BiOCl、TiO_(2)/Bi_(3)O_(4)Cl的5.30和3.24倍,辐照75 min时对苯酚的降解率~100%。但是,在罗丹明B(RhB)的降解过程中,TiO_(2)/BiOCl表现出高于TiO_(2)/Bi_(12)O_(17)Cl_(2)和TiO_(2)/Bi_(3)O_(4)Cl的光催化活性。这是由于TiO_(2)/BiOCl为Ⅱ型异质结,光催化活性物质主要是h^(+),h^(+)是RhB光降解的最主要活性物质。 展开更多
关键词 TiO_(2)/biOCl TiO_(2)/bi_(3)O_(4)Cl TiO_(2)/bi_(12)O_(17)Cl_(2) bi/Cl原子比 异质结 光催化活性
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Bi掺杂O3型NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)钠离子电池层状正极材料的制备与储钠性能 被引量:7
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作者 仇健 盛子墨 +1 位作者 马乾乾 袁涛 《有色金属材料与工程》 CAS 2024年第1期16-25,共10页
O3型NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)拥有高理论比容量且易于制备,是商业钠离子(Na+)电池的首选正极材料之一,但其循环稳定性仍面临挑战。利用Bi对NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)进行改性。研究发现,Bi的引入可以在晶粒生长过程中通过调节表面能实现... O3型NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)拥有高理论比容量且易于制备,是商业钠离子(Na+)电池的首选正极材料之一,但其循环稳定性仍面临挑战。利用Bi对NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2)进行改性。研究发现,Bi的引入可以在晶粒生长过程中通过调节表面能实现晶粒细化,并且Bi的掺杂增加了层状正极材料的晶胞参数,为Na+提供了宽的扩散通道,提高了Na+的扩散能力,优化了Na^(+)在脱嵌过程中的可逆性。改性后的NaNi_(0.495)Mn_(0.5)Bi_(0.005)O_(2)实现了在2.0~4.0 V的电势区间内0.2 C倍率下的可逆容量为138.1 mAh/g,在5 C倍率下循环100圈后容量保持率可以达到97%。 展开更多
关键词 钠离子电池 层状氧化物正极 O3-NaNi_(0.5)Mn_(0.5)O_(2) bi掺杂
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Bi_2Te_3基热电材料的研究现状及发展 被引量:9
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作者 侯贤华 胡社军 +3 位作者 汝强 赵灵智 余洪文 李伟善 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期111-114,118,共5页
热电材料是能将热能和电能直接相互转化的功能材料,它的出现为解决能源紧缺和环境污染提供了广阔的应用前景。从理论和实验两个方面对Bi2Te3基热电材料近年来国内外的研究现状及发展进行了简要介绍和评述,并指出了今后的发展方向。在理... 热电材料是能将热能和电能直接相互转化的功能材料,它的出现为解决能源紧缺和环境污染提供了广阔的应用前景。从理论和实验两个方面对Bi2Te3基热电材料近年来国内外的研究现状及发展进行了简要介绍和评述,并指出了今后的发展方向。在理论上主要基于能带理论、半导体超晶格以及密度泛函理论去寻求影响该材料的相关因子,在实验上主要采用分子束外延、激光脉冲沉积、合金化和水热合成法等方法制备该热电材料。 展开更多
关键词 热电材料 bi2te3 SEEBECK系数 电导率 热导率
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Bi_2Te_3纳米颗粒和纳米线的溶剂热合成及组织特征 被引量:7
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作者 吉晓华 赵新兵 +2 位作者 张艳华 卢波辉 倪华良 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1456-1460,共5页
分别以吡啶、无水乙醇为反应介质,以NaBH4为还原剂,采用溶剂热合成方法,在150℃下反应24h制备了平均晶粒尺寸为1520nm的Bi2Te3纳米粒子。采用相同的合成方法,以去离子水为反应介质,合成了直径为3080nm,长径比大于100的Bi2Te3纳米线。XRD... 分别以吡啶、无水乙醇为反应介质,以NaBH4为还原剂,采用溶剂热合成方法,在150℃下反应24h制备了平均晶粒尺寸为1520nm的Bi2Te3纳米粒子。采用相同的合成方法,以去离子水为反应介质,合成了直径为3080nm,长径比大于100的Bi2Te3纳米线。XRD和TEM分析表明,随着溶剂介电常数和极性增加,所生成产物的物相纯度、结晶度增高,晶粒尺寸增大。 展开更多
关键词 bi2te3 溶剂热合成 纳米颗粒 纳米线
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离子束溅射制备Bi2Te3热电薄膜 被引量:5
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作者 范平 郑壮豪 +2 位作者 梁广兴 张东平 蔡兴民 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2011年第1期84-88,共5页
采用离子束溅射技术,溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶,制备Bi2Te3热电薄膜,所制备的薄膜Bi∶Te原子比接近2∶3.X射线衍射测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同,在(015)晶面上择优选向明显,存在少量的Bi和[Bi,Te]杂质... 采用离子束溅射技术,溅射不同面积比例的Bi/Te二元复合靶,制备Bi2Te3热电薄膜,所制备的薄膜Bi∶Te原子比接近2∶3.X射线衍射测量结果显示,薄膜的主要衍射峰与Bi2Te3标准衍射峰相同,在(015)晶面上择优选向明显,存在少量的Bi和[Bi,Te]杂质峰.霍尔系数测试及Seebeck系数测量结果表明,薄膜都为n型半导体薄膜,电导率量级为105Sm-1,电学性能良好.在不同条件下制备的薄膜Seebeck系数最大值为-168μVK-1,最小值为-32μVK-1.其中,Bi∶Te原子比为0.69,退火温度为300℃的薄膜功率因子最大,达1.1×10-3Wm-1K-2. 展开更多
关键词 凝聚态物理 离子束溅射 bi2te3薄膜 热电材料 晶体结构 电学性能 热处理
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电化学组装一维纳米线阵列p型Bi_2Te_3温差电材料 被引量:5
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作者 王为 贾法龙 +3 位作者 黄庆华 张伟玲 郭鹤桐 申玉田 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期517-522,共6页
对p型Bi_2Te_3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi_2Te_3纳米线阵列温差电材... 对p型Bi_2Te_3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi_2Te_3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,P型Bi_2Te_3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料。 展开更多
关键词 p型温差电材料 bi2te3 电化学组装 纳米线阵列
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Bi_2Te_3热电薄膜的电化学原子层外延制备 被引量:7
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作者 侯杰 杨君友 +1 位作者 朱文 郜鲜辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1054-1056,共3页
采用电化学原子层外延法(ECALE)在Au电极上成功地制备了Bi2Te3化合物热电薄膜。通过循环伏安扫描研究Te和Bi在Au衬底上的电化学特性,使用自动沉积系统交替欠电位沉积Te、Bi原子层200个循环获得沉积物。XRD、EDX和FESEM测试结果表明循环... 采用电化学原子层外延法(ECALE)在Au电极上成功地制备了Bi2Te3化合物热电薄膜。通过循环伏安扫描研究Te和Bi在Au衬底上的电化学特性,使用自动沉积系统交替欠电位沉积Te、Bi原子层200个循环获得沉积物。XRD、EDX和FESEM测试结果表明循环沉积200层后得到的沉积物Bi和Te的化学计量比为2∶3,且是Bi2Te3薄膜化合物,而非单质Bi和Te的简单混合;薄膜均匀、致密、平整且可重复性好,以(015)为最优取向外延生长的。 展开更多
关键词 电化学原子层外延 欠电位 bi2te3 热电材料 薄膜
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磁控溅射法制备Bi_2Te_3热电薄膜的研究 被引量:5
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作者 周欢欢 檀柏梅 +3 位作者 张建新 牛新环 王如 潘国峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期126-129,134,共5页
Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用... Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数。薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV.K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速。Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52%时,功率因子最大,为1.765×10-4W.K-2.m-1。 展开更多
关键词 热电材料 bi2te3薄膜 磁控溅射 退火 热电性能
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热压法制备Bi_2Te_3基热电材料的组织与性能 被引量:11
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作者 卢波辉 赵新兵 +1 位作者 倪华良 吉晓华 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2004年第3期13-16,共4页
采用真空单轴热压(HUP)方法制备了Bi_2Te_3基热电材料。结果表明,HUP试样的密度在原始区熔材料的97%以上。所有HUP试样的剪切强度都在21MPa以上,与区熔Bi_2Te_3基材料(001)解理面的强度相比,提高4倍左右。电学性能测试发现,HUP试样的... 采用真空单轴热压(HUP)方法制备了Bi_2Te_3基热电材料。结果表明,HUP试样的密度在原始区熔材料的97%以上。所有HUP试样的剪切强度都在21MPa以上,与区熔Bi_2Te_3基材料(001)解理面的强度相比,提高4倍左右。电学性能测试发现,HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化。实验发现,相对于区熔试样,p型HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而n型HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动。 展开更多
关键词 真空单轴热压 基热电材料 bi2te3 组织 性能 半导体材料
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块体Bi_2Te_3基热电材料性能优化及最新进展 被引量:4
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作者 樊希安 杨君友 +2 位作者 陈柔刚 朱文 鲍思前 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1162-1166,共5页
在分析块体Bi2Te3基热电材料性能优化设计思路的基础上,重点探讨了成分优化、结构优化、合成优化及成型优化中提高块体Bi2Te3基热电材料性能的方法。提出了一套值得探讨的优化设计方案,展望了Bi2Te3基热电材料在温差发电和半导体制冷领... 在分析块体Bi2Te3基热电材料性能优化设计思路的基础上,重点探讨了成分优化、结构优化、合成优化及成型优化中提高块体Bi2Te3基热电材料性能的方法。提出了一套值得探讨的优化设计方案,展望了Bi2Te3基热电材料在温差发电和半导体制冷领域颇具潜力的应用前景。 展开更多
关键词 bi2te3 热电材料 热挤压 等离子活化烧结 优化设计
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