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水氮耦合对河西灌区滴灌西瓜NH_(3)和N_(2)O排放的影响
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作者 薛亮 马忠明 +3 位作者 赵安宇 罗双龙 薛莲 Muhammad Ali RAZA 《干旱区地理》 北大核心 2025年第5期801-811,共11页
NH_(3)和N_(2)O排放是氮素气态损失的主要途径,研究膜下滴灌条件下不同水氮供应量对氮素气态损失的影响对于河西灌区西瓜生产中水氮管理方案的制定具有重要意义。试验采用裂区设计,主处理按田间持水量的80%(I80)、65%(I65)和50%(I50)设... NH_(3)和N_(2)O排放是氮素气态损失的主要途径,研究膜下滴灌条件下不同水氮供应量对氮素气态损失的影响对于河西灌区西瓜生产中水氮管理方案的制定具有重要意义。试验采用裂区设计,主处理按田间持水量的80%(I80)、65%(I65)和50%(I50)设3个灌水下限,灌水上限设为田间持水量的95%,副处理设0(N0)、100 kg·hm^(-2)(N100)、200 kg·hm^(-2)(N200)和300 kg·hm^(-2)(N300)4个施氮水平。试验采用通气法和静态箱-气相色谱法,分析了不同处理下土壤NH_(3)和N_(2)O排放动态变化以及西瓜产量和品质。结果表明:(1)土壤氮素气态排放受水氮共同影响,NH_(3)、N_(2)O排放在施用基肥后1~2 d达到高峰,持续5~7 d,累积排放量在苗期最大,分别占全生育期的33.33%和47.22%;全生育期NH_(3)、N_(2)O累积排放量分别为3.05~15.39 kg·hm^(-2)和0.51~2.00 kg·hm^(-2)。(2)提高水氮供应量均会促使NH_(3)、N_(2)O排放,氮素的作用大于灌水,I80条件下增施氮肥,NH_(3)、N_(2)O累积排放量分别增加了63.86%~285.48%和120.41%~308.82%。(3)处理I65N200的氮素利用率达到32.62%,显著高于处理I80N300,产量和可溶性固形物含量分别为70159 kg·hm^(-2)和11.39%,与处理I80N300差异不显著。综合考虑产量、品质和氮素利用率,在河西灌区西瓜膜下滴灌种植中,将土壤含水量控制在田间最大持水量的65%~95%之间,施氮量优化至200 kg·hm^(-2)时,能够保持较高的产量和品质,并有利于控制NH_(3)和N_(2)O排放。 展开更多
关键词 西瓜 滴灌 水氮耦合 NH_(3)排放 N_(2)o排放
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Y_2O_3∶Eu荧光粉表面包覆In_2O_3的研究 被引量:9
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作者 胡晓珊 秦毅红 +3 位作者 黄小卫 胡运生 王东辉 庄卫东 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期284-288,共5页
采用高温固相法合成了FED用Y2O3∶Eu红色荧光粉,为提高其导电性,采用表面成膜包覆法对其进行了In2O3包膜研究。通过XRD,Zeta电位,SEM及低压光谱分析等检测手段分析了包膜前后Y2O3∶Eu的晶体结构、电位、形貌与发光性能,探索了包膜工艺... 采用高温固相法合成了FED用Y2O3∶Eu红色荧光粉,为提高其导电性,采用表面成膜包覆法对其进行了In2O3包膜研究。通过XRD,Zeta电位,SEM及低压光谱分析等检测手段分析了包膜前后Y2O3∶Eu的晶体结构、电位、形貌与发光性能,探索了包膜工艺。结果表明:在Y2O3∶Eu表面包覆3%的In2O3能有效改善荧光粉的发光亮度,这种改善的可能原因是包覆In2O3改善了Y2O3∶Eu晶粒表面的导电性。 展开更多
关键词 FED荧光粉 Y2o3:Eu IN2o3 ZETA电位 包膜 稀土
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ZnO/In_2O_3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究 被引量:16
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作者 何霞 刘海瑞 +3 位作者 董海亮 梁建 张华 许并社 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期264-268,共5页
通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In2O3异质结是由直径约200-300 nm、... 通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In2O3异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In2O3异质结是由直径约200-300 nm、厚度约40-60 nm的六边形纳米片镶嵌着In2O3纳米小颗粒组成。对比纯ZnO、纯In2O3和该光催化材料对罗丹明B(RhB)的可见光降解效率, 发现ZnO/In2O3异质结光催化材料对RhB具有较高的光催化效率, 其原因是窄带系半导体In2O3能够有效地吸收可见光, 当ZnO与In2O3形成异质结时, In2O3能带上被可见光激发的电子会迁移到ZnO的导带上, 而光激发的空穴仍保留在In2O3价带, 这样有助于光生电子和空穴的分离, 降低其复合几率, 从而有效地提高了ZnO的光催化效率。 展开更多
关键词 ZNo ZNo IN2o3 罗丹明B 光催化效率
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SrIn_2O_4∶Sm^(3+)红色荧光粉的发光特性 被引量:11
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作者 刘海燕 孙明生 +1 位作者 杨志平 杨艳民 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期38-41,共4页
采用燃烧法合成了SrIn2O4:Sm3+红色荧光粉并研究了其发光性质。发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别为568,606,660nm,对应Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,其中606nm的发射最强。激发光... 采用燃烧法合成了SrIn2O4:Sm3+红色荧光粉并研究了其发光性质。发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别为568,606,660nm,对应Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,其中606nm的发射最强。激发光谱包括峰值位于323,413nm的宽带,说明该荧光粉可以被近紫外-紫色发光二极管管芯激发发射红光。研究了Sm3+的掺杂浓度对样品发光强度的影响。实验结果表明SrIn2O4:Sm3+是一种可用于制作白光LED的红色荧光粉。 展开更多
关键词 LED 荧光粉 Sm3+ SrIn2o4
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纳米Fe-In_2O_3颗粒膜的结构和磁特性 被引量:7
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作者 张林 刘宜华 +2 位作者 张连生 张汝贞 黄宝歆 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期109-112,共4页
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率x(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性弛豫效应:当截止温... 采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率x(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性弛豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,探讨分析了在低温下颗粒膜发生结构变化的原因. 展开更多
关键词 纳米Fe-In2o3颗粒膜 结构 磁特性 相变
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制备工艺对AgSnO_2(8)In_2O_3(4)电接触材料组织与性能的影响 被引量:11
6
作者 王松 张吉明 +2 位作者 刘满门 谢明 陈松 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期45-49,共5页
分别采用粉末冶金法、合金粉末预氧化法和加压内氧化法制备AgSnO2(8)In2O3(4)电接触材料,研究不同制备工艺对AgSnO2In2O3电接触材料微观组织与性能的影响。结果表明:加压内氧化法制备的AgSnO2In2O3材料的组织均匀性最佳,致密度最高,显... 分别采用粉末冶金法、合金粉末预氧化法和加压内氧化法制备AgSnO2(8)In2O3(4)电接触材料,研究不同制备工艺对AgSnO2In2O3电接触材料微观组织与性能的影响。结果表明:加压内氧化法制备的AgSnO2In2O3材料的组织均匀性最佳,致密度最高,显微硬度最大;粉末冶金法制备的AgSnO2In2O3材料导电率最好;直流阻性负载条件下,加压内氧化法制备的AgSnO2In2O3材料的耐电弧侵蚀性能最佳,其触点的失重最少,触点表面侵蚀区域面积最小。 展开更多
关键词 电接触材料 AgSno2In2o3 制备工艺 加压内氧化 显微组织 性能
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基于电纺丝法的In_2O_3/CdO复合材料的制备及甲醛气敏特性 被引量:8
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作者 陈鹏鹏 王兢 +2 位作者 张春丽 郝育闻 杜海英 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1827-1836,共10页
用静电纺丝法制备了In(NO3)3/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纺丝前驱物,然后分别在500、600、700°C时烧结得到三种In2O3纳米纤维.通过X射线衍射(XRD)仪、热重差热分析(TG/DTA)、场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)表征结果得知,500°C时In... 用静电纺丝法制备了In(NO3)3/聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纺丝前驱物,然后分别在500、600、700°C时烧结得到三种In2O3纳米纤维.通过X射线衍射(XRD)仪、热重差热分析(TG/DTA)、场发射扫描式电子显微镜(FE-SEM)表征结果得知,500°C时In2O3的晶相已经形成,且粒径为最小,约为24nm,纳米纤维呈介孔结构.将三种烧结温度的In2O3纤维制作成气敏元件,测试对比了三种元件对甲醛气体的敏感特性,结果表明,500°C烧结得到的In2O3纳米纤维在工作温度为240°C时响应最好,对浓度为10×10-6(体积分数,φ)甲醛的响应为7.用静电纺丝法合成了CdO纳米颗粒,通过XRD、SEM表征得知CdO呈粒径约为68nm的颗粒.将In2O3和CdO以不同摩尔比(1:1,10:1,20:1)复合,对比测试了纯In2O3及三种In2O3/CdO复合材料对应的气敏元件对甲醛的气敏特性,测试结果表明当In2O3纳米纤维与CdO纳米颗粒以摩尔比10:1复合时,元件的工作温度较低(200°C),且对甲醛表现出最佳的气敏特性,对浓度为10×10-6甲醛的响应为13.6,响应/恢复时间为140s/32s.最后对不同摩尔比复合的In2O3/CdO对甲醛的气敏机理进行了初步分析. 展开更多
关键词 IN2o3 CDo 复合材料 甲醛 气敏特性
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纳米In_2O_3的微乳液合成及酒敏性能 被引量:10
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作者 詹自力 蒋登高 +2 位作者 常剑 钟可创 宋文慧 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期552-554,共3页
采用微乳液法制备超细In2O3粉体,粉体粒径为8 nm,在In2O3基体材料中掺杂Pd及金属氧化物,研制出实用性的热线型C2H5OH气敏元件,该元件功耗低(小于300 mW),选择性高,长期稳定性好。并考察了温度、湿度变化对气敏元件性能的影响,分析了元... 采用微乳液法制备超细In2O3粉体,粉体粒径为8 nm,在In2O3基体材料中掺杂Pd及金属氧化物,研制出实用性的热线型C2H5OH气敏元件,该元件功耗低(小于300 mW),选择性高,长期稳定性好。并考察了温度、湿度变化对气敏元件性能的影响,分析了元件的气敏机理。 展开更多
关键词 纳米In2o3 C2H5oH 气敏元件
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In_2O_3对Ni60激光熔覆层的影响 被引量:8
9
作者 晁明举 杨坤 +1 位作者 袁斌 梁二军 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期27-30,共4页
向Ni60合金粉末中加入适量的In2O3,选取合适的工艺参数,采用激光熔覆技术在45钢表面上获得了无裂纹的高质量熔覆层。对熔覆层显微组织进行了观察和分析,测试了熔覆层的显微硬度和摩擦磨损性能。结果表明,同未加入In2O3的Ni60激光熔覆层... 向Ni60合金粉末中加入适量的In2O3,选取合适的工艺参数,采用激光熔覆技术在45钢表面上获得了无裂纹的高质量熔覆层。对熔覆层显微组织进行了观察和分析,测试了熔覆层的显微硬度和摩擦磨损性能。结果表明,同未加入In2O3的Ni60激光熔覆层相比,加入适当比例In2O3的Ni60熔覆层,虽然硬度有所降低,但硬度分布更加均匀,且在该文摩擦条件下耐磨性提高。In2O3能够降低Ni60激光熔覆层裂纹敏感性的原因在于适量的In2O3能够抑制粗大块状硬质相的生长,改善枝晶分布,细化组织晶粒,提高涂层韧性。 展开更多
关键词 激光熔覆 裂纹 耐磨性 IN2o3
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In_2O_3八面体的碳还原法制备及其发光性能研究 被引量:5
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作者 黄在银 柴春芳 +4 位作者 谭学才 吴健 袁爱群 周泽广 刘绍刚 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第3期499-503,共5页
In2O3 octahedrons were synthesized by carbothermal reduction using In2O3 nanoparticles as the source material. The as-synthesized products were characterized by X-ray powder diffraction (XRD), energy dispersive X-ray(... In2O3 octahedrons were synthesized by carbothermal reduction using In2O3 nanoparticles as the source material. The as-synthesized products were characterized by X-ray powder diffraction (XRD), energy dispersive X-ray(EDX), scanning electron microscopy(SEM), transmission electron microscopy(TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), selected-area electron diffraction analysis(SAED) and Room-temperature photoluminescence(PL) spectroscopy. The results show that the products are single-crystalline In2O3 octahedrons, the length of the octahedrons is in the range of 400~3 000 nm; the PL patterns display two peaks located at 447nm and 555 nm upon excitation at 380 nm, and the other two peaks located at 444 nm and 550 nm upon excitation at 325 nm; the excitation pattern shows two peaks located at 274 nm and 371 nm, respectively. The growth mechanism of the In2O3 octahedrons is discussed, and the high supersaturation ratio is considered as the key factor. 展开更多
关键词 IN2o3 八面体 碳还原 光致发光
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表面活性剂-水热法一步制备纳米In_2O_3气敏材料 被引量:9
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作者 娄向东 李培 +2 位作者 王晓兵 秦楠 王学峰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1327-1331,共5页
以聚乙二醇600(PEG-600)为表面活性剂,用水热法一步制备了In2O3粉体,通过XRD、SEM、TEM等手段对粉体的物相、形貌、粒度等进行表征,结果表明产物的形貌为棒状,平均长度约150nm,直径约20nm,分布均匀。采用静态配气法测定材料的气敏性能,... 以聚乙二醇600(PEG-600)为表面活性剂,用水热法一步制备了In2O3粉体,通过XRD、SEM、TEM等手段对粉体的物相、形貌、粒度等进行表征,结果表明产物的形貌为棒状,平均长度约150nm,直径约20nm,分布均匀。采用静态配气法测定材料的气敏性能,发现以In2O3为基体的气敏元件在125℃的工作温度下对10ppmNO2气体的灵敏度高达32.2,并且具有选择性好、响应-恢复时间短等特性。 展开更多
关键词 IN2o3 表面活性剂 水热法 气敏性质
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In_2O_3与CuO掺杂TiO_2纳米纤维光催化脱汞的研究 被引量:5
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作者 袁媛 张军营 +3 位作者 赵永椿 刘芳芳 樊国祥 郑楚光 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2405-2408,共4页
采用静电纺丝法制备In_2O_3和CuO掺杂TiO_2的纳米纤维,使用纤维进行模拟燃煤烟气光催化脱汞的研究.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对纤维的晶体结构和形貌进行了表征.实验考察了TiO_2、TiO_2-In_2... 采用静电纺丝法制备In_2O_3和CuO掺杂TiO_2的纳米纤维,使用纤维进行模拟燃煤烟气光催化脱汞的研究.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对纤维的晶体结构和形貌进行了表征.实验考察了TiO_2、TiO_2-In_2O_3和TiO_2-CuO分别在无光、可见光和紫外光下的脱汞效率,以及In_2O_3和CuO的最佳掺杂量,并分析了纤维光催化脱汞的机理.结果表明当In_2O_3的质量含量为10%时,TiO_2-In_2O_3在紫外光下的脱汞率有了很大提高,可达到93%,其原因是In_xTi_1-_xO_2/In_2O_3复合结构的形成.当CuO的质量含量为10%时,TiO_2-CuO在可见光下的脱汞效率有了较大提高,电子的跃迁是TiO_2-CuO在可见光下催化活性提高的主要原因. 展开更多
关键词 Tio2-In2o3 Tio2-Cuo 静电纺丝 光催化 脱汞
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Ce掺杂In_2O_3纳米纤维的制备及其三乙胺气敏性能(英文) 被引量:8
13
作者 王金兴 于连香 +3 位作者 王浩铭 阮圣平 李佳静 吴凤清 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第11期3101-3105,共5页
用简单有效的静电纺丝法制备了Ce掺杂的In2O3纳米纤维材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和扫描电子显微镜(SEM)对合成样品的晶体结构和形貌进行了表征.结果显示,此纤维材料的平均直径约为90... 用简单有效的静电纺丝法制备了Ce掺杂的In2O3纳米纤维材料.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和扫描电子显微镜(SEM)对合成样品的晶体结构和形貌进行了表征.结果显示,此纤维材料的平均直径约为90nm,长度达到几十个微米.气敏性能测试结果表明,4%(w)Ce掺杂的In2O3纳米纤维对三乙胺的灵敏度最高,该气敏元件对3μL·L-1三乙胺的灵敏度达到2.6,响应时间为5s,恢复时间约为6s,且具有较好的选择性. 展开更多
关键词 静电纺丝法 Ce掺杂In2o3 纳米纤维 三乙胺 气体传感器
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In_2O_3∶Ho^(3+),Yb^(3+)纳米晶的制备与上转换发光 被引量:4
14
作者 邹少瑜 肖全兰 +3 位作者 邓小玲 彭文芳 刘关喜 孟建新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期655-659,共5页
以乙二醇为溶剂,采用低温溶剂热法制备了Ho3+/Yb3+共掺杂In2O3纳米晶。利用X射线晶体衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对粒子的结构和形貌进行表征,结果表明,合成的样品为纯的立方相In2O3,颗粒尺寸约为30 nm。通过上转换发光(UCL)光谱研... 以乙二醇为溶剂,采用低温溶剂热法制备了Ho3+/Yb3+共掺杂In2O3纳米晶。利用X射线晶体衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对粒子的结构和形貌进行表征,结果表明,合成的样品为纯的立方相In2O3,颗粒尺寸约为30 nm。通过上转换发光(UCL)光谱研究了粒子的上转换发光性质,在980 nm半导体激光激发下,In2O3∶Ho3+,Yb3+纳米晶发射出强的绿色和弱的红色上转换发光,分别归属于Ho3+离子(5F4,5S2)→5I8和5F5→5I8跃迁。研究了不同Ho3+和Yb3+离子掺杂浓度对上转换发光性能的影响,确定了Ho3+和Yb3+最佳掺杂摩尔分数分别为3%和4%。双对数曲线显示,绿光和红光的发射过程均为双光子吸收过程。对样品的上转换发光机制进行了初步讨论。 展开更多
关键词 Ho3+/Yb3+ IN2o3 溶剂热法 上转换
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In_2O_3基甲醛传感器的研制 被引量:11
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作者 刘如征 全宝富 +2 位作者 刘凤敏 陈丽华 刘敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期15-17,共3页
以sol-gel法制备的In2O3纳米材料为基体,采用La2O3作为掺杂剂,研制出甲醛传感器。结果表明:La2O3的掺杂可以明显提高元件对甲醛的灵敏度,在工作温度为145℃,(甲醛)为10×10–6时,元件表现出4倍的灵敏度,通过4A分子筛的修饰提高了... 以sol-gel法制备的In2O3纳米材料为基体,采用La2O3作为掺杂剂,研制出甲醛传感器。结果表明:La2O3的掺杂可以明显提高元件对甲醛的灵敏度,在工作温度为145℃,(甲醛)为10×10–6时,元件表现出4倍的灵敏度,通过4A分子筛的修饰提高了元件的选择性。在为期90d的追踪实验中发现元件的灵敏度变化小于10%,元件在(甲醛)为50×10–6时,响应、恢复时间分别为8s和30s。 展开更多
关键词 电子技术 甲醛传感器 IN2o3 sol—gel 灵敏度
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溶胶-凝胶法制备纳米In_2O_3粉末 被引量:6
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作者 潘庆谊 程知萱 +1 位作者 张剑平 王廷富 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期3-6,共4页
以InCl3 ·4H2 O为原料 ,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2 O3 。利用XRD ,TEM ,TG-DTA等测试手段对纳米级In2 O3 的晶粒生长过程进行了研究。计算表明 :随着煅烧温度的升高 ,平均晶粒度增大 ,而平均晶格畸变率则随着平均... 以InCl3 ·4H2 O为原料 ,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2 O3 。利用XRD ,TEM ,TG-DTA等测试手段对纳米级In2 O3 的晶粒生长过程进行了研究。计算表明 :随着煅烧温度的升高 ,平均晶粒度增大 ,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少。表明粒子越小 ,晶格畸变率越大 ,晶粒发育越不完整。应用相变理论计算得温度低于 5 0 0℃煅烧 1h ,晶粒生长活化能为 4.75kJ·mol-1,高于6 0 0℃时 ,晶粒生长活化能为 6 6 .40kJ·mol-1。TEM分析表明 :加入适量形貌控制剂 ,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 制备 纳米粉体 IN2o3 InCl3·4H2o 晶粒生长 气敏传感元件
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In_2TiO_5/In_2O_3异质结构的制备及光催化性能 被引量:5
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作者 张钦库 姚秉华 +2 位作者 鲁盼 庞波 熊敏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1794-1800,共7页
以酞酸丁酯和硝酸铟为起始物,甘氨酸为燃料,脱脂纤维为模板,采用自蔓延燃烧法制备了In2Ti O5/In2O3异质结构半导体光催化剂.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量色散谱仪、热重-差热分析仪、紫外-可见漫反射光谱仪和氮气吸附-... 以酞酸丁酯和硝酸铟为起始物,甘氨酸为燃料,脱脂纤维为模板,采用自蔓延燃烧法制备了In2Ti O5/In2O3异质结构半导体光催化剂.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量色散谱仪、热重-差热分析仪、紫外-可见漫反射光谱仪和氮气吸附-脱附仪等对样品进行了表征.以罗丹明B(Rh B)为目标降解物,考察了催化剂的光催化性能.结果表明,在In/Ti摩尔比为2∶1、焙烧温度为800℃、焙烧时间为2 h条件下制备的介孔In2Ti O5/In2O3光催化材料在高压汞灯(125 W)辐照下,120 min可使10 mg/L Rh B的脱色率达到92.1%,降解过程服从一级动力学模型.在相同的光催化条件下,In2Ti O5/In2O3的光催化性能明显优于In2Ti O5,且In2Ti O5/In2O3光催化剂还具有一定的可见光催化活性. 展开更多
关键词 In2Tio5/In2o3异质结构 自蔓延燃烧合成 光催化 降解
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MoO_(3)-Cu_(2)O/CN三相复合光催化剂的制备及其降解四环素性能 被引量:2
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作者 崔春丽 郝振华 +2 位作者 舒永春 徐继香 王磊 《复合材料学报》 北大核心 2025年第3期1361-1374,共14页
本文通过水热法先在g-C_(3)N_(4)(CN)上原位生长MoO_(3),继而在其表面电沉积Cu_(2)O构建了MoO_(3)-Cu_(2)O/CN三相复合光催化剂。采用XRD、SEM、TEM、XPS和FTIR等手段对催化剂进行表征,证明了复合光催化剂的成功制备。以四环素为目标污... 本文通过水热法先在g-C_(3)N_(4)(CN)上原位生长MoO_(3),继而在其表面电沉积Cu_(2)O构建了MoO_(3)-Cu_(2)O/CN三相复合光催化剂。采用XRD、SEM、TEM、XPS和FTIR等手段对催化剂进行表征,证明了复合光催化剂的成功制备。以四环素为目标污染物,探究了所制备光催化剂对四环素的降解效果及光催化剂的作用机制。结果表明,在可见光下,1.5 MoO_(3)-Cu_(2)O-100/CN复合材料对四环素的降解效果最佳,150 min时降解率为97.75%,分别是CN(45.28%)和1.5 MoO_(3)/CN(63.24%)的2.2和1.5倍。采用自由基捕获实验及电子顺磁共振光谱(EPR)对机制进行了探究,证实了羟基自由基(·OH)和超氧自由基(·O_(2)^(-))是光催化过程的主要活性物质。综合各项测试计算CN、MoO_(3)和Cu_(2)O的价带和导带位置,表明三相复合光催化剂形成了双Z型异质结。同时光催化活性的提高主要归因于双Z机制的构建,拓宽了可见光吸收范围,保留了氧化还原能力较高的空穴电子,降低了光生电子与空穴的复合率。稳定性实验结果表明制备的催化剂在经过4次循环后,对四环素的降解率仍达到90%以上,具有优异的稳定性,可循环使用。 展开更多
关键词 Moo_(3)-Cu_(2)o/CN 双Z机制 四环素 降解 光催化
原文传递
基于In_2O_3膜HSGFET型功函数O_3传感器的研究 被引量:2
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作者 牛文成 俞梅 +5 位作者 周雅光 张福海 李华伟 贾云芳 那兴波 罗伟栋 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期19-22,共4页
本文以 In2 O3 及其混合物为敏感材料 ,采用悬浮栅结构和功函数方法 ,研究出可在室温下工作的 HSGFET型功函数 O3 传感器 ,并给出传感器对 O3
关键词 In2o3 HSGFET型 功函数 o3传感器
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单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线 被引量:5
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作者 沈小平 赵慧 武世奎 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS 北大核心 2007年第3期216-219,共4页
以乙酰丙酮合铟[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550℃)下成功制得了In2O3纳米线.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线... 以乙酰丙酮合铟[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550℃)下成功制得了In2O3纳米线.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80 nm,长度达十几微米,其生长服从气-液-固机理.光致发光研究发现,In2O3纳米线在483 nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在. 展开更多
关键词 纳米线 IN2o3 化学气相沉积 制备
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