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Fe掺杂SnO2纳米晶薄膜的微观结构和性能
被引量：
2
1
作者
孙扬
刘晓芳
于荣海
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期346-350,共5页
采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO_2薄膜.沉积衬底为(100)的单晶硅,基片温度270℃,Ar为溅射气体.使用XRD,AFM和VSM研究氧分压对薄膜晶体结构和室温磁性能的影响.实验表明,氧分压为0.12Pa时,溅射得到的化学成分为Sn_(0.975)Fe_(0.025...
采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO_2薄膜.沉积衬底为(100)的单晶硅,基片温度270℃,Ar为溅射气体.使用XRD,AFM和VSM研究氧分压对薄膜晶体结构和室温磁性能的影响.实验表明,氧分压为0.12Pa时,溅射得到的化学成分为Sn_(0.975)Fe_(0.025)O_(2-δ)的薄膜样品具有明显的室温铁磁性,平均饱和原子磁矩达到1.8μ_B/Fe.通过HRTEM和EDS分析了此样品的显微结构和成分分布,实验结果表明,薄膜由粒径3～7nm的纳米晶构成,为四方金红石SnO_2相;Fe元素分布较为均匀,排除了磁性能是由第二相产生的可能;同时由于薄膜电阻率接近于绝缘体,室温磁性能不是由载流子诱导机制形成的,而与晶格内部大量缺陷的存在密切相关.
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关键词
反应磁控溅射
fe掺杂sno2
薄膜
微观结构
室温磁性能
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职称材料
Fe掺杂纳米复合Ag-SnO_2电接触材料耐电压性能
被引量：
10
2
作者
王俊勃
胡大方
+2 位作者
杨敏鸽
张燕
丁秉钧
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2007年第5期24-28,共5页
利用化学共沉淀和常压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO2和Fe掺杂Ag-SnO2触头合金,对合金触头进行了耐电压实验和SEM形貌观察。实验结果发现制备的触头合金呈现纳米第二相弥散均匀分布在Ag基体中。纳米复合电接触材料耐电压强度分布比商...
利用化学共沉淀和常压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO2和Fe掺杂Ag-SnO2触头合金,对合金触头进行了耐电压实验和SEM形貌观察。实验结果发现制备的触头合金呈现纳米第二相弥散均匀分布在Ag基体中。纳米复合电接触材料耐电压强度分布比商业用AgSnO2In2O3集中,但平均耐电压强度比商用低9.8%～29.7%。放电后,纳米复合电接触材料表面蚀坑凸凹起伏程度小,烧蚀轻微。
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关键词
化学共沉淀
常压烧结
fe掺杂sno2
纳米复合Ag-
sno
2
电接触合金
耐电压强度
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职称材料
题名
Fe掺杂SnO2纳米晶薄膜的微观结构和性能
被引量：
2
1
作者
孙扬
刘晓芳
于荣海
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期346-350,共5页
基金
国家自然科学基金(50471011)
国家杰出青年基金(50525101)
文摘
采用反应磁控溅射法制备了Fe掺杂的SnO_2薄膜.沉积衬底为(100)的单晶硅,基片温度270℃,Ar为溅射气体.使用XRD,AFM和VSM研究氧分压对薄膜晶体结构和室温磁性能的影响.实验表明,氧分压为0.12Pa时,溅射得到的化学成分为Sn_(0.975)Fe_(0.025)O_(2-δ)的薄膜样品具有明显的室温铁磁性,平均饱和原子磁矩达到1.8μ_B/Fe.通过HRTEM和EDS分析了此样品的显微结构和成分分布,实验结果表明,薄膜由粒径3～7nm的纳米晶构成,为四方金红石SnO_2相;Fe元素分布较为均匀,排除了磁性能是由第二相产生的可能;同时由于薄膜电阻率接近于绝缘体,室温磁性能不是由载流子诱导机制形成的,而与晶格内部大量缺陷的存在密切相关.
关键词
反应磁控溅射
fe掺杂sno2
薄膜
微观结构
室温磁性能
Keywords
reactive magnetron sputtering
fe
-doped
sno
2
film
microstructure
room temperature
fe
rromagnetism
分类号
O482 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Fe掺杂纳米复合Ag-SnO_2电接触材料耐电压性能
被引量：
10
2
作者
王俊勃
胡大方
杨敏鸽
张燕
丁秉钧
机构
西安工程大学机电学院
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2007年第5期24-28,共5页
基金
国家自然科学基金(50471033)
陕西省自然科学基金(2004E112)资助项目。
文摘
利用化学共沉淀和常压烧结等方法制备出纳米复合Ag-SnO2和Fe掺杂Ag-SnO2触头合金,对合金触头进行了耐电压实验和SEM形貌观察。实验结果发现制备的触头合金呈现纳米第二相弥散均匀分布在Ag基体中。纳米复合电接触材料耐电压强度分布比商业用AgSnO2In2O3集中,但平均耐电压强度比商用低9.8%～29.7%。放电后,纳米复合电接触材料表面蚀坑凸凹起伏程度小,烧蚀轻微。
关键词
化学共沉淀
常压烧结
fe掺杂sno2
纳米复合Ag-
sno
2
电接触合金
耐电压强度
Keywords
Chemical co-precipitation method, general sintering technique,
fe
-doped
sno
2
, nanocomposite Ag-
sno
2
electrical contact, dielectric strength
分类号
TM201 [一般工业技术—材料科学与工程]
TG146.3 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Fe掺杂SnO2纳米晶薄膜的微观结构和性能
孙扬
刘晓芳
于荣海
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
在线阅读
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职称材料
2
Fe掺杂纳米复合Ag-SnO_2电接触材料耐电压性能
王俊勃
胡大方
杨敏鸽
张燕
丁秉钧
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2007
10
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职称材料
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