FTO/TiO2复合薄膜的自洁净和低辐射性能研究(英文)

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作者 滕繁 刘涌 +2 位作者 曾孟龙 宋晨路 韩高荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S3期266-270,共5页

用溶胶-凝胶法在FTO(SnO_2:F)低辐射(low-e)镀膜玻璃衬底上旋涂制备TiO_2薄膜,获得FTO/TiO_2双层结构复合薄膜,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等手段分析样品。结果表明,当TiO_2... 用溶胶-凝胶法在FTO(SnO_2:F)低辐射(low-e)镀膜玻璃衬底上旋涂制备TiO_2薄膜,获得FTO/TiO_2双层结构复合薄膜,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UV-Vis)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等手段分析样品。结果表明,当TiO_2薄膜的厚度为210nm左右时,FTO/TiO_2复合薄膜具有最佳的光催化活性。FTO/TiO_2复合薄膜与水滴的接触角随着紫外线照射时间的增加逐渐降低,表明复合薄膜在紫外线照射后具有较好的亲水性。TiO_2薄膜对FTO基底起到保护作用,热处理后的复合薄膜仍具有较好的低辐射性能。当FTO/TiO_2复合薄膜的TiO_2层厚度为210nm时,复合薄膜同时具有较好的自清洁性能和低辐射性能。 展开更多

关键词 fto/tio2复合薄膜 溶胶-凝胶法 光催化活性 亲水 自清洁 低辐射

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FTO/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池的光电性能研究

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作者 袁斌霞 蔡晓东 +4 位作者 曹盛 王道累 朱瑞 韩清鹏 吴懋亮 《功能材料与器件学报》 CAS 2020年第1期52-57,共6页

由于氧化锌和氧化亚铜的材料安全无毒、制作成本低及环境友好等特点,ZnO/Cu2O异质结电池具有很广阔的发展前景。本文首先通过旋涂法制备了ZnO薄膜,然后以真空蒸镀法和热氧化法制备了Cu2O薄膜,采用SEM表征证明所得ZnO和Cu2O薄膜平整度较... 由于氧化锌和氧化亚铜的材料安全无毒、制作成本低及环境友好等特点,ZnO/Cu2O异质结电池具有很广阔的发展前景。本文首先通过旋涂法制备了ZnO薄膜,然后以真空蒸镀法和热氧化法制备了Cu2O薄膜,采用SEM表征证明所得ZnO和Cu2O薄膜平整度较高。最后使用真空蒸镀法制备Ag电极,组装完成了FTO/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池。通过改变氧化亚铜的厚度来研究电池性能的变化规律,结果表明光电性能随着Cu2O的厚度增加而增加。为了进一步提高电池性能,加入了TiO2光吸收层,组装了FTO/TiO2/ZnO/Cu2O/Ag异质结电池。结果表明,TiO2光吸收层的加入提高了短路电流和开路电压。另外,该电池直接在空气中组装,组装工艺简单,具有推广价值。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 Cu2O薄膜 fto/ZnO/Cu2O/Ag fto/tio2/ZnO/Cu2O/Ag 异质结电池

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柱状晶形貌TiO_2膜厚对FTO/TiO_2镀膜玻璃光催化活性影响 被引量：2

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作者 滕繁 刘涌 +3 位作者 葛言凯 章瑞铄 宋晨路 韩高荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期633-637,共5页

采用溶胶凝胶法,在FTO(SnO2:F)低辐射镀膜玻璃衬底上制备了柱状晶体结构的TiO2薄膜,获得双层结构FTO/TiO2镀膜玻璃样品.研究了TiO2薄膜厚度对FTO/TiO2镀膜玻璃样品的光催化活性、低辐射性能以及透光性能的影响.结果表明,FTO/TiO2镀膜玻... 采用溶胶凝胶法,在FTO(SnO2:F)低辐射镀膜玻璃衬底上制备了柱状晶体结构的TiO2薄膜,获得双层结构FTO/TiO2镀膜玻璃样品.研究了TiO2薄膜厚度对FTO/TiO2镀膜玻璃样品的光催化活性、低辐射性能以及透光性能的影响.结果表明,FTO/TiO2镀膜玻璃样品光催化活性随着TiO2薄膜厚度的增加先升高后下降,在TiO2薄膜厚度为300 nm时光催化活性最佳;低辐射性能随着TiO2薄膜厚度的增加而下降,但TiO2薄膜厚度为300 nm时仍然具备一定的低辐射性能;透光性能与TiO2薄膜膜厚的关系不大,可见光透射比保持在72%左右;表面平均粗糙度约为1 nm,表面光滑,不易沾染油污灰尘.该镀膜玻璃在保证低辐射建筑节能和透光的前提下,兼具光催化自清洁功能,具有很好的应用前景. 展开更多

关键词 fto/tio2 溶胶凝胶 柱状晶 光催化活性 玻璃

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具有光透性的超长TiO_2纳米管阵列/FTO的制备及表征 被引量：4

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作者 肖鹏 张云怀 +1 位作者 张晓星 CAO Guo-Zhong 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期32-36,共5页

采用电子束蒸发方法在透明导电玻璃FTO上沉积Ti金属薄膜,室温条件下在C2H6O2+NH4F中通过恒压阳极氧化法制备出超长TiO2纳米管阵列/FTO电极,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM),X光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)及... 采用电子束蒸发方法在透明导电玻璃FTO上沉积Ti金属薄膜,室温条件下在C2H6O2+NH4F中通过恒压阳极氧化法制备出超长TiO2纳米管阵列/FTO电极,并通过场发射扫描电子显微镜(FESEM),透射电子显微镜(TEM),X光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD)及光谱分析等方法对纳米管阵列/FTO电极进行了表征.研究表明,制备出的TiO2纳米管阵列内径43nm,管长5.4μm,经退火处理后得到长度为5μm锐钛矿相TiO2纳米管阵列/FTO透明电极,在可见光波长段的透射率为45%,在400nm波长处有一明显吸收峰. 展开更多

关键词 tio2纳米管阵列/fto电极 阳极氧化 光透性

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多孔TiO_2/FTO纳米有序阵列膜的可控生长研究 被引量：2

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作者 王成伟 马军满 +1 位作者 李燕 张其君 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第4期37-42,共6页

用脉冲激光沉积(PLD)技术在导电玻璃(FTO)衬底上沉积Ti膜,采用电化学阳极氧化方法,细致研究了FTO衬底上多孔TiO2纳米有序阵列膜的可控生长.结果表明,恰当的阳极电压对形成高度有序、孔径均匀的多孔TiO2/FTO阵列膜至关重要;通过优化的工... 用脉冲激光沉积(PLD)技术在导电玻璃(FTO)衬底上沉积Ti膜,采用电化学阳极氧化方法,细致研究了FTO衬底上多孔TiO2纳米有序阵列膜的可控生长.结果表明,恰当的阳极电压对形成高度有序、孔径均匀的多孔TiO2/FTO阵列膜至关重要;通过优化的工艺参数,借助阳极氧化过程中各阶段电流-时间(I-t)曲线的准确判断,可实现对多孔TiO2阵列膜生长过程的有效控制,制备出高质量的多孔TiO2/FTO阵列膜. 展开更多

关键词 多孔tio2/fto纳米有序阵列膜 阳极氧化 可控生长

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表面In掺杂TiO2的N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率 被引量：6

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作者 程辉 姚江宏 曹亚安 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2632-2640,共9页

采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO... 采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO(氟掺杂锡氧化物)和N719/TiO2-Inx%/FTO染料敏化薄膜电极.光电转换效率实验表明,在薄膜电极+0.5mol.L-1LiI+0.05mol.L-1I2的三甲氧基丙腈(MPN)溶液+Pt光电池体系中,N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率均高于N719/TiO2/FTO,其中N719/TiO2-In0.1%/FTO的光电转换效率比N719/TiO2/FTO提高了20%.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、漫反射吸收光谱(DRS)、荧光(PL)光谱和表面光电流作用谱确定了TiO2-Inx%样品中In3+离子的存在方式和能带结构;利用表面光电流作用谱研究了N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光致界面电荷转移过程.结果表明,In3+离子在TiO2表面形成O-In-Cln(n=1,2)物种,该物种的表面态能级位于导带下0.3eV处;在光电流产生过程中,O-In-Cln(n=1,2)表面态能级有效地抑制了光生载流子在TiO2-Inx%层的复合,促进了阳极光电流的增加,从而导致N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转化效率高于N719/TiO2/FTO,并进一步讨论了光致界面电荷转移的机理. 展开更多

关键词 tio2-Inx% O-In-Cln (n=1 2)物种 表面敏化 N719 tio2-Inx% fto 光电转换效率

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基于VO_2/TiO_2/FTO微结构的电压诱导相变存储器特性 被引量：1

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作者 陈培祖 李毅 +4 位作者 蒋蔚 徐婷婷 伍征义 张娇 刘志敏 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期387-393,共7页

相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO_2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO_2薄膜,再... 相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质。为了制备基于VO_2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO_2薄膜,再通过直流磁控溅射法制备VO_2薄膜,并在TiO_2/FTO复合薄膜上形成VO_2/TiO_2/FTO微结构,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪和半导体参数测试仪表征分析微结构的结晶和非易失性相变存储特性。结果表明,N_2和O_2的体积流量比为60∶40时,在TiO_2/FTO上可生长出晶向为<110>的高质量VO_2薄膜,在VO_2/TiO_2/FTO微结构两侧反复施加不同的脉冲电压,可观测到微结构具有非易失性相变存储特性,在67,68和69℃温度下的相变阈值电压分别为8.5,6.5和5.5 V,相比多层膜结构的相变阈值电压降低了约37%。 展开更多

关键词 VO2/tio2/fto 直流磁控溅射 相变存储器 阈值电压 电致相变

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TiO_2\FTO镀膜玻璃色饱和度的数值模拟

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作者 朱岳江 刘涌 +1 位作者 宋晨路 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期110-113,131,共5页

本文以具有较高折射率的材料——二氧化钛(TiO2)替代自身折射率较低的材料——SiCOx作为氟掺杂氧化锡(FTO)镀膜玻璃中间层薄膜,通过数值模拟计算的方法主要研究了TiO2\FTO镀膜玻璃的表面色饱和度控制表现,并与传统的SiCOx\FTO镀膜玻璃... 本文以具有较高折射率的材料——二氧化钛(TiO2)替代自身折射率较低的材料——SiCOx作为氟掺杂氧化锡(FTO)镀膜玻璃中间层薄膜,通过数值模拟计算的方法主要研究了TiO2\FTO镀膜玻璃的表面色饱和度控制表现,并与传统的SiCOx\FTO镀膜玻璃就色饱和度控制表现进行了对比,结果发现TiO2\FTO镀膜玻璃具有更加优异的表面色饱和度控制表现,适合进行实际应用推广。 展开更多

关键词 色饱和度 tio2 fto镀膜玻璃 折射率

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基于FTO的TiO_2纳米管阵列可控制备

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作者 冯舒婷 章天金 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2015年第5期502-505,共4页

采用直流磁控溅射法在透明导电玻璃FTO上制备了表面平整、致密度高的Ti膜,经过在含氟化物电解液中的阳极氧化过程后得到了垂直于FTO的高度有序的Ti O2纳米管阵列.通过调节阳极氧化反应过程中的电压、温度参数,得到了一系列具有不同孔径... 采用直流磁控溅射法在透明导电玻璃FTO上制备了表面平整、致密度高的Ti膜,经过在含氟化物电解液中的阳极氧化过程后得到了垂直于FTO的高度有序的Ti O2纳米管阵列.通过调节阳极氧化反应过程中的电压、温度参数,得到了一系列具有不同孔径、壁厚、长径比、管密度的TiO2纳米管阵列,从扫描电镜(SEM)的结果中可以得出,Ti O2纳米管的各项管参数与反应条件电压、温度呈线性关系.其中,氧化电压对纳米管管径起主要影响作用,管内径由49.3 nm至75.3 nm连续可调,而温度对纳米管壁厚起明显作用,管壁厚度从11.6 nm变化到38.1 nm.由此得到的多尺寸TiO2纳米管阵列对前入式光照的光伏器件的应用具有重大意义. 展开更多

关键词 tio2纳米管 可控制备 fto

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TiO2纳米棒阵列薄膜的制备及其光催化还原Cr(Ⅵ) 被引量：3

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作者 王滨松 夏华 +1 位作者 郑晟良 肖林飞 《环境化学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期150-155,共6页

采用水热法在导电玻璃(FTO)上合成具有一维结构的TiO2纳米棒阵列薄膜.用扫描电子显微镜,广角X-射线粉末衍射,紫外可见分光光谱等手段对薄膜进行了表征,研究了不同浓度钛酸四丁酯和水热反应时间对FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜形貌的影响及FTO-... 采用水热法在导电玻璃(FTO)上合成具有一维结构的TiO2纳米棒阵列薄膜.用扫描电子显微镜,广角X-射线粉末衍射,紫外可见分光光谱等手段对薄膜进行了表征,研究了不同浓度钛酸四丁酯和水热反应时间对FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜形貌的影响及FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜光催化还原Cr(Ⅵ)的反应性能.结果表明,当钛酸四丁酯浓度为0.05 mol·L-1和水热反应时间为20 h时制备的FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜形貌最优,一维FTO-TiO2纳米棒阵列薄膜光催化还原Cr(Ⅵ)的性能优于商业化二氧化钛P25制备的薄膜. 展开更多

关键词 fto-tio2纳米棒 阵列 薄膜 光催化 还原 Cr(Ⅵ)

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TiO_2致密层的制备及对染料敏化太阳能电池性能的研究

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作者 杨雁博 冯亚青 +2 位作者 彭啸 孟舒献 张宝 《化学工业与工程》 CAS CSCD 2016年第4期85-90,共6页

采用旋涂法在导电玻璃上制备TiO2致密层来抑制电子的复合。采用以月桂胺盐酸盐作为形貌控制剂的溶胶凝胶法制备粒径810 nm的TiO2致密层颗粒。引入该TiO2致密层的染料敏化太阳能电池的短路电流密度(Jsc)提高了15.1%,光电转化效率（η）... 采用旋涂法在导电玻璃上制备TiO2致密层来抑制电子的复合。采用以月桂胺盐酸盐作为形貌控制剂的溶胶凝胶法制备粒径810 nm的TiO2致密层颗粒。引入该TiO2致密层的染料敏化太阳能电池的短路电流密度(Jsc)提高了15.1%,光电转化效率（η）提高了25.6%,开路电压(Voc)没有明显的变化。短路电流密度的大幅度提升说明该TiO2致密层可以有效抑制导电玻璃上电子与电解液中氧化还原电对的电子复合。 展开更多

关键词 DSSC tio2致密层 导电玻璃/tio2电极界面 复合

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