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降低功率MOSFET导通电阻R_(ON)的研究进展 被引量：4
1
作者 黄淮 吴郁 亢宝位 《电力电子》 2007年第4期13-18,共6页
本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。
关键词 MOSFET 导通电阻 COOLMOSFET SUPERJUNCTION RESURE flimosfet Super 3D
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