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三阴性乳腺癌的MR FLASH-3D动态增强影像表现与表观扩散系数分析 被引量：4
1
作者 滕敏敏 邵元伟 《影像研究与医学应用》 2019年第4期3-4,共2页
目的:探讨非特殊类型三阴性乳腺癌的1.5T核磁共振FLASH-3D动态增强扫描影像学特征表现。方法:选取2016年9月—2018年7月间接受MRI强化检查并经手术及病理免疫组化证实的乳腺癌患者137例,其中TNBC 40例,非TNBC 97例,分析两组不同分子亚... 目的:探讨非特殊类型三阴性乳腺癌的1.5T核磁共振FLASH-3D动态增强扫描影像学特征表现。方法:选取2016年9月—2018年7月间接受MRI强化检查并经手术及病理免疫组化证实的乳腺癌患者137例,其中TNBC 40例,非TNBC 97例,分析两组不同分子亚型乳腺癌的核磁共振影像表现,并进行统计学分析。结果:40例三阴性乳腺癌中,37例为肿块样强化,3例为非肿块样强化。97例非三阴性乳腺癌中,81例为肿块样强化,16例为非肿块样强化。分析显示,三阴性乳腺癌与非三阴性乳腺癌在病灶形态(P <0.05)、肿块边缘(P <0.001)、内部强化特点(P <0.001)、T2WI信号(P<0.001)、ADC值(P <0.05)差别有统计学意义,而两组间表现为非肿块样强化的病变在病灶边缘、内部强化特点、T2WI信号及ADC值方面差别无统计学意义。结论:非特殊类型三阴性乳腺癌在MR上更多表现为肿块样强化,边缘光滑,环形强化、T2WI上高亮信号及ADC值较高的影像学特点。 展开更多
关键词 三阴性乳腺癌 flash-3d 表观扩散系数 非特殊类型
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基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法
2
作者 石颖 杨少华 +2 位作者 周斌 吴福根 胡湘洪 《微电子学》 北大核心 2025年第2期327-334,共8页
为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAN... 为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性,设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验,分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型,以预处理后的寿命特征数据为输入,对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比,所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%;在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明,该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命,优化闪存寿命管理策略。 展开更多
关键词 3d NANd闪存 剩余使用寿命 Transformer模型 寿命预测
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包含偏硅酸影响的3D NAND磷酸湿法刻蚀动力学
3
作者 彭子林 周蕾 +2 位作者 邓庆航 叶光华 周兴贵 《化工学报》 北大核心 2025年第2期645-653,共9页
以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面... 以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面临刻蚀选择性低、氧化物回沾等问题。针对上述3D NAND湿法刻蚀问题,结合表征和动力学实验,获得了有无偏硅酸影响的磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)动力学模型。结果显示Si_(3)N_(4)刻蚀过程是水和磷酸等含氧亲核试剂对Si原子的亲核攻击过程,磷酸刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的反应活化能分别为60.71 kJ·mol^(-1)和66.90 kJ·mol^(-1),亲核试剂破坏Si—O键所需能量高于Si—N键。包含偏硅酸影响的Si_(3)N_(4)和SiO_(2)刻蚀动力学显示偏硅酸浓度越高Si_(3)N_(4)和SiO_(2)的刻蚀速率越小,并且SiO_(2)刻蚀速率对偏硅酸浓度的变化更敏感。本工作的研究结果可为3D NAND磷酸湿法刻蚀工艺的设计优化提供一定的基础数据和理论认识。 展开更多
关键词 3d NANd闪存 湿法刻蚀 氮化硅 氧化硅 偏硅酸 化学反应 动力学 动力学模型
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3D NAND FLASH存储器辐射效应研究进展及展望
4
作者 向爽 张国和 +2 位作者 李洋 白豪杰 贺朝会 《微电子学与计算机》 2025年第10期85-100,共16页
相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于... 相较于传统平面FLASH架构,引入垂直结构的3D NAND FLASH存储器显著提升了存储密度,有效缓解了工艺尺寸持续微缩的物理限制,在航天电子领域展现出广阔应用前景。然而,三维结构也带来了新的空间可靠性问题,使得三维堆叠器件表现出区别于平面器件的辐射响应机制。综述了3D NAND FLASH存储器辐射效应的研究现状,介绍了空间辐射环境下3D NAND FLASH的总剂量效应与单粒子效应(重离子、质子、中子)的研究进展,分析了涉及的辐射损伤机理和性能退化规律。结果表明,三维结构设计在一定程度上提高了器件的抗总剂量效应和单粒子效应能力。重点探讨了三维结构特有的辐射响应现象,包括总剂量辐射响应在垂直堆叠层结构中的“U”型非均匀变化、重离子效应中阈值电压的双次级峰分布等。最后,基于3D NAND FLASH的发展趋势,对先进NAND FLASH(尤其是面向超高堆叠层数和三维封装微模组方向发展的器件)辐射效应未来的研究方向和抗辐射加固思路进行了展望。 展开更多
关键词 3d NANd FLASH存储器 总剂量效应 单粒子效应 损伤机理
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电荷俘获型3D NAND闪存边缘字线可靠性优化方法
5
作者 谭家乐 许旭晗 +2 位作者 宣吴丽娜 张俊杰 曹炳尧 《计算机测量与控制》 2025年第6期200-205,239,共7页
3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于... 3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点,在众多领域得到广泛应用;然而,在3D NAND闪存块不完全编程时,其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异,这对数据存储的可靠性构成了严重威胁;为应对这一挑战,提出了一种适用于边缘字线的4-8 LC方法;该方法将TLC闪存的8种阈值电压状态均分为4组,组内两种状态对应的信息编码的汉明距离需为1;分组后,将与擦除态同组的另一阈值电压状态的闪存单元编程至擦除态,其余3组中处于较低阈值电压状态的闪存单元编程为同组中的另一状态;随后进行数据保留实验并读取误码信息;实验结果显示,在闪存块历经3 000次P/E循环,并在常温下数据保留一年的条件下,边缘字线的平均保留错误数量达到了内部字线的2.97倍,所提出的4-8 LC方法使边缘字线的低页和高页误码率分别降低了99.7%和99.9%,提升可靠性的效果是EP方法的1.74倍。 展开更多
关键词 3d NANd闪存 边缘字线 保留错误 4-8 LC
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3D NAND闪存多维度噪声耦合错误检测及信道建模
6
作者 李应钊 朱广平 韩国军 《广东工业大学学报》 2025年第6期86-94,共9页
高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研... 高性能、高存储密度且低功耗的3D NAND闪存已逐渐成为主流数据存储介质。然而,其可靠性受到擦写寿命有限、数据保持能力不足、读干扰以及层间差异等噪声因素的显著影响。针对这一问题,本文开展了3D NAND闪存的实际加噪测试实验,系统研究了不同噪声耦合条件下的误码率表现。通过对测试数据的深入分析,提取了对应的阈值电压分布特征,并构建了适应不同噪声条件的参考电压模型,以优化闪存的可靠性。实验结果表明,该参考电压模型可显著降低3D NAND闪存在噪声干扰下的误码率,与默认参考电压相比,误码率降低高达46%。本文提出的参考电压模型为提升3D NAND闪存在噪声环境下的存储可靠性提供了有效技术手段,有望推动其在高可靠性存储领域的广泛应用。 展开更多
关键词 3d NANd闪存 参考电压 固态硬盘技术 可靠性 闪存测试 信道建模 阈值电压分布
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MR 3D FLASH-WE结合3D SPACE技术在颅神经疾病中的应用 被引量：9
7
作者 夏好成 孔梅 +3 位作者 吕海莲 罗树彬 许道洲 张俊海 《中国医学计算机成像杂志》 CSCD 北大核心 2015年第5期505-509,共5页
目的:研究MR 3D FLASH-WE结合3D SPACE序列对颅神经疾病微血管减压术(MVD)指导价值。方法:106例经显微血管减压术治疗颅神经疾病患者。其中HFS(面肌痉挛)68例,TN(三叉神经痛)34例,GPN(舌咽神经痛)4例。术前均行常规磁共振及3D FLASH WE... 目的:研究MR 3D FLASH-WE结合3D SPACE序列对颅神经疾病微血管减压术(MVD)指导价值。方法:106例经显微血管减压术治疗颅神经疾病患者。其中HFS(面肌痉挛)68例,TN(三叉神经痛)34例,GPN(舌咽神经痛)4例。术前均行常规磁共振及3D FLASH WE、3D SPACE、3D TOF序列检查。单独并联合应用以上序列分析颅神经与血管关系,并与手术结果对照。结果:3D FLASH-WE序列对面神经及三叉神经REZ(出脑干区)段的显示明显优于3D TOF序列,对其周围血管的显示与3D TOF序列差异无统计学意义;3D FLASH-WE结合3D SPACE序列较3D TOF结合3D SPACE序列显示神经与血管关系更清晰,对神经与血管是否存在接触的情况判断更准确,但与手术比较无明显差异(P<0.05)。结论:3D FLASH-WE结合3D SPACE序列能清晰显示颅神经与血管关系,准确判断责任血管,对显微血管减压术有重要的指导意义。 展开更多
关键词 颅神经 3d SPACE 磁共振成像 3dflash-WE
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3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进
8
作者 方语萱 夏志良 +2 位作者 杨涛 周文犀 霍宗亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期368-373,共6页
随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产... 随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产物向周围结构扩散,侵蚀其周边氧化物层,导致字线漏电,影响器件的良率及可靠性.本文首先分析了在3D NAND闪存中氟攻击的微观原理,并提出了通过低压退火改善氟攻击问题的方法.接下来对平面薄膜叠层与三维填充结构进行常压与低压下的退火实验,并使用多种方法对残留氟元素的浓度与分布进行表征.实验结果表明,适当条件下的低压退火,使得钨栅中的残余氟有效地被排出,可以有效降低字线的漏电指数,提高3D NAND闪存的质量. 展开更多
关键词 3d NANd闪存 氟攻击问题 字线漏电 低压退火
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通过PO-KELM的3D NAND FLASH寿命预测方法研究
9
作者 卜柯方 李杰 秦丽 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第9期74-82,共9页
随着半导体行业的快速发展,以及各种芯片国产化的趋势越来越明显,3D NAND FLASH作为当前存储器件的重要代表,其寿命预测对于保障系统可靠性至关重要。因此,通过硬件搭建现场可编程门阵列采集平台,对3D NAND FLASH进行特性分析,在不同擦... 随着半导体行业的快速发展,以及各种芯片国产化的趋势越来越明显,3D NAND FLASH作为当前存储器件的重要代表,其寿命预测对于保障系统可靠性至关重要。因此,通过硬件搭建现场可编程门阵列采集平台,对3D NAND FLASH进行特性分析,在不同擦除/写入次数下模拟FLASH可能发生的不同误码情况,分析耐久性、数据保持特性以及读、写干扰特性的变化趋势。同时提出鹦鹉优化器改进的核极限机器学习机,由于核极限学习机参数寻优困难,鹦鹉优化器通过搜索位置提高参数寻优速度和准确度。采用将已使用的循环次数作为输出结果对FLASH进行寿命预测。实验结果表明,相比其他机器学习,采用鹦鹉优化的核极限学习机预测模型精度可以达到98.5%,在提升训练速度和准确度中具有重要的现实意义。 展开更多
关键词 3d NANd FLASH 现场可编程门阵列(FPGA) 机器学习 鹦鹉优化器(PO) 核极限学习机(KELM)
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基于P-BiCS架构的hynix 3D Nand Flash产品结构分析
10
作者 田新儒 《集成电路应用》 2024年第6期10-11,共2页
阐述随着电子产品及大数据信息存储应用需求增加,3D Nand Flash产品市场持续增长。介绍一种主流的3D Nand Flash技术架构,并分析应用P-BiCS架构的hynix 3D Nand Flash产品的结构及成分。
关键词 存储器芯片 3d Nand Flash P-BiCS架构
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基于Deform-3D的花键轴叉热锻成形工艺优化 被引量：17
11
作者 张学奇 董万鹏 +3 位作者 苏钰 孙礼宾 范越 张立艳 《锻压技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期5-9,共5页
针对花键轴叉锻件传统锻造工艺耗料多的问题,提出立式预锻、杆部热挤成形的预锻成形方法,给出了立式预锻的模具结构设计,并对热挤预锻模具进行了参数优化,解决了充填不足的问题,最终锻出低能耗、低料耗、高生产率的合格锻件。基于Deform... 针对花键轴叉锻件传统锻造工艺耗料多的问题,提出立式预锻、杆部热挤成形的预锻成形方法,给出了立式预锻的模具结构设计,并对热挤预锻模具进行了参数优化,解决了充填不足的问题,最终锻出低能耗、低料耗、高生产率的合格锻件。基于Deform-3D有限元分析软件模拟观察到花键轴叉锻件的成形过程,准确分析出缺陷形成的原因和工艺优化后锻件成形效果。通过实际生产验证了模拟结果的可靠性,在优化预锻件脱模斜度和终锻模具桥部参数后,生产效率提高至少20%,料耗节省约15%,终锻模具磨损量降低约25%,模具寿命得到明显提升。 展开更多
关键词 花键轴叉 热锻成形 充填不足 模具磨损 飞边 dEFORM-3d
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3D非扫描成像激光雷达距离精度的Cramer-Rao下限 被引量：4
12
作者 赵文 韩绍坤 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期501-505,511,共6页
利用参数估计的方法进行了3D非扫描成像激光雷达距离精度的研究,根据数理统计的理论,分析了距离估计方差的Cramer-Rao下限(CRLB),推导出了3D非扫描成像激光雷达距离估计方差的CRLB计算公式.利用Monte Carlo仿真结果证明了推导的距离估... 利用参数估计的方法进行了3D非扫描成像激光雷达距离精度的研究,根据数理统计的理论,分析了距离估计方差的Cramer-Rao下限(CRLB),推导出了3D非扫描成像激光雷达距离估计方差的CRLB计算公式.利用Monte Carlo仿真结果证明了推导的距离估计方差的CRLB具有有效性.通过推导的距离估计方差的CRLB,对3D非扫描成像激光雷达的距离精度影响因素进行了分析,结果表明,减小脉宽、增加脉冲强度、提高采样速率、降低系统噪声、增加探测器量子效率都可以有效提高目标距离精度. 展开更多
关键词 Cramer-Rao下限 3d 非扫描成像 激光雷达 距离精度
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磁共振3D flash增强扫描技术在小听神经肿瘤中的应用分析 被引量：2
13
作者 张大波 侯刚强 +3 位作者 谢井文 姜梅 张刚 张刚平 《中国CT和MRI杂志》 2018年第4期10-12,共3页
目的探讨磁共振3D flash增强扫描技术在小听神经肿瘤中的诊断价值。方法回顾分析2014年2月至2017年10月期间收治的16例经手术及病理证实的小听神经瘤患者,分析比较磁共振常规增强扫描及3D flash增强扫描两种成像技术在小听神经肿瘤中的... 目的探讨磁共振3D flash增强扫描技术在小听神经肿瘤中的诊断价值。方法回顾分析2014年2月至2017年10月期间收治的16例经手术及病理证实的小听神经瘤患者,分析比较磁共振常规增强扫描及3D flash增强扫描两种成像技术在小听神经肿瘤中的诊断应用中的优缺点。结果两种扫描方案所得肿瘤的体积及轮廓无差别;两序列增强图像信噪比(SNR)及对比噪声比(CNR)比较有统计学意义(P<0.05)。结论磁共振3D flash增强扫描技术在小听神经肿瘤的诊断中具有重要价值,值得广泛应用。 展开更多
关键词 磁共振成像 3dflash 增强扫描 听神经瘤
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基于DEFORM3D的曲轴热锻工艺优化 被引量：2
14
作者 于秋华 刘淑梅 刘雅辉 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第11期132-134,137,共4页
利用UG软件建立了轿车发动机曲轴的实体模型,并进行了相应的模具设计。利用DEFORM 3D软件进行曲轴成形过程的数值模拟。通过改变上模的下压量,得到了不同的飞边厚度。在比较分析了不同飞边厚度的折叠后,发现飞边厚度6 mm比较合适,这能... 利用UG软件建立了轿车发动机曲轴的实体模型,并进行了相应的模具设计。利用DEFORM 3D软件进行曲轴成形过程的数值模拟。通过改变上模的下压量,得到了不同的飞边厚度。在比较分析了不同飞边厚度的折叠后,发现飞边厚度6 mm比较合适,这能为曲轴的设计以及实际生产提供参考。 展开更多
关键词 曲轴 dEFORM 3d 数值模拟 飞边厚度 折叠角
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基于Flash的Web 3D开发方法研究 被引量：4
15
作者 徐佩锋 《价值工程》 2010年第32期179-180,共2页
本文介绍了Web 3D的背景,Papervision3D引擎的实现原理和特点,并从实践的角度给出一种将Papervision3D引擎和Adobe Flex 4项目进行整合的实现方法。
关键词 WEB3d FLASH Papervision 3d FLEX 整合
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Swift 3D与Flash联用制作与修饰三维化学粒子模型
16
作者 孙方民 许英 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2005年第3期92-95,共4页
介绍了F lash与Sw ift 3D的基本特点与联用关系.以甲烷分子为例,探讨用Sw ift 3D制作3D分子模型单元,并将其导入F lash中进行修饰,以实现动态化学粒子模型的空间三维多角度展示.
关键词 FLASH SWIFT 3d 动画制作
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PV3D在FLASH课件制作中的应用
17
作者 秦伟 张劲松 《电脑知识与技术》 2016年第10期181-183,共3页
中学化学教学中利用信息技术手段展示微观世界的物质和各种反应过程具有得天独厚的优势.文章以《化学键与化学反应》为例,通过运用PV3D引擎结合FALSH软件实现教学设计中的各种展示与反应过程实现交互性强的教学课件制作.望从课程教学设... 中学化学教学中利用信息技术手段展示微观世界的物质和各种反应过程具有得天独厚的优势.文章以《化学键与化学反应》为例,通过运用PV3D引擎结合FALSH软件实现教学设计中的各种展示与反应过程实现交互性强的教学课件制作.望从课程教学设计、课件设计、PV3D结合flash运用及实现给一线教师制作类似的计算机辅助教学课件提供参考. 展开更多
关键词 FLASH课件 3d引擎
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3D NAND Flash 的片上控制逻辑电路设计 被引量：7
18
作者 王美兰 王颀 +3 位作者 陈振家 刘志 张桔萍 霍宗亮 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第6期31-34,39,共5页
本文设计并实现了基于MCU的控制逻辑电路,并在仿真环境下进行了功能验证,用Design Compiler完成逻辑综合.结果表明,MCU工作正常,所占面积为0.35 mm^2,在33 MHz的工作频率下动态功耗为7.52 mW,符合设计目标.与传统的控制逻辑电路相比,基... 本文设计并实现了基于MCU的控制逻辑电路,并在仿真环境下进行了功能验证,用Design Compiler完成逻辑综合.结果表明,MCU工作正常,所占面积为0.35 mm^2,在33 MHz的工作频率下动态功耗为7.52 mW,符合设计目标.与传统的控制逻辑电路相比,基于MCU的控制逻辑电路具有更高的可修改灵活性,极大降低了升级产品的流片成本,缩短控制逻辑电路设计更新周期约50%. 展开更多
关键词 3d NANd FLASH 控制逻辑电路 MCU 设计灵活性
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Flash 3D GIS客户端技术研究与实践 被引量：1
19
作者 袁林道 曾明 +2 位作者 韩少杰 惠彩霞 金建波 《测绘与空间地理信息》 2013年第S1期59-62,66,共5页
随着三维GIS技术的不断创新,与其相关的行业应用、尤其是客户端应用得到飞速发展。目前,市场上提供的各种三维GIS开发平台大多是基于C/C++/语言,存在着学习门槛高,项目周期长和开发成本高等诸多问题。如何构建轻量级三维GIS客户端,帮助... 随着三维GIS技术的不断创新,与其相关的行业应用、尤其是客户端应用得到飞速发展。目前,市场上提供的各种三维GIS开发平台大多是基于C/C++/语言,存在着学习门槛高,项目周期长和开发成本高等诸多问题。如何构建轻量级三维GIS客户端,帮助用户快速搭建界面美观、交互良好的三维应用将是一个急需解决的问题。本文通过对Flash三维技术的研究,结合Flash三维技术特性和客户端GIS各自的特点,探讨如何构建基于Flash的三维GIS客户端开发平台:内容包括实现3D模式的地图显示和浏览,模型的加载和优化,GIS服务对接和数据展示,以及粒子系统、三维符号、光照和室内视角转换等其他辅助功能,最后介绍此三维GIS开发平台在某些可以预见领域的用途和带来的价值。 展开更多
关键词 三维GIS FLASH 3d 坐标系统 粒子系统
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基于Flash 3D的在线虚拟漫游系统设计与实现 被引量：7
20
作者 刘民 万江平 《计算机时代》 2014年第5期36-38,41,共4页
对目前虚拟漫游系统的瓶颈进行分析,提出并实现了一个基于Flash 3D的、优化了的在线虚拟旅游系统。系统对三维场景文件包括模型文件、材质文件及其构建步骤进行优化,并在实现了对多种媒体元素支持的基础上,设计了独创的热点系统,实现对... 对目前虚拟漫游系统的瓶颈进行分析,提出并实现了一个基于Flash 3D的、优化了的在线虚拟旅游系统。系统对三维场景文件包括模型文件、材质文件及其构建步骤进行优化,并在实现了对多种媒体元素支持的基础上,设计了独创的热点系统,实现对三维场景按需进行加载和展示,以及游客在场景中的互动漫游。系统测试结果表明,该设计方案优化效果显著,系统性能得到了极大的提升。 展开更多
关键词 在线虚拟漫游 三维场景优化 热点 互动漫游 FLASH 3d
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