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低Te等离子体应用于finFET FEOL刻蚀的挑战
1
作者 Qingyun Yang Lee Chen 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期255-258,共4页
本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSATM)。低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的。在刻蚀高深宽比结构中,该等离子源显示提高了刻蚀性能,减少了微负载效应和ARDE效应,有助于缓解在先进finFET FEO... 本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSATM)。低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的。在刻蚀高深宽比结构中,该等离子源显示提高了刻蚀性能,减少了微负载效应和ARDE效应,有助于缓解在先进finFET FEOL刻蚀应用中挑战。 展开更多
关键词 TE FINFET feol 等离子体应用 离子源 负载效应 淀积 半导体工业 低温等离子体 缝隙天线 电子温度
原文传递
去除硅片背面金属污染的方法研究 被引量：3
2
作者 陈菊英 《集成电路应用》 2016年第7期25-28,共4页
电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以至于洁净表面的制备已成为超亚微米的关键技术。人们普遍对外来污染、硅片的正面污染非常警觉。在生产线上FEOL区间,一些来自上工序的硅片背面污染,会对... 电路的集成度日益提高,单元图形的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以至于洁净表面的制备已成为超亚微米的关键技术。人们普遍对外来污染、硅片的正面污染非常警觉。在生产线上FEOL区间,一些来自上工序的硅片背面污染,会对下工序产生实际的二级污染的影响。寻找实际生产中会对下工序产生背面二级污染影响的源头,并对去除生产线硅片背面金属污染的方法进行了研究,并提出一种行之有效的去除背面金属污染的方法。 展开更多
关键词 金属污染 硅片清洗 ICP-MS feol BEOL
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