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一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型 被引量：2
1
作者 刘福东 康晋锋 +2 位作者 安辉耀 刘晓彦 韩汝琦 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期989-994,共6页
从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发,建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性,并且模型参数较少便于调节;模型结构简单、规模较小,可用于HSPICE电路模拟。模拟结... 从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发,建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性,并且模型参数较少便于调节;模型结构简单、规模较小,可用于HSPICE电路模拟。模拟结果与FEFET实验结果比较,显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化,为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。 展开更多
关键词 铁电动态随机存储器 铁电场效应晶体管 宏模型 HSPICE 模拟
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