1 IntroductionTime-division synchronous code-division multiple access （TD-SCI）MA） is a 3G wireless communica- tion standard developed in China and adopted by ITU. It has high spectrum efficiency; it providesgood sy...1 IntroductionTime-division synchronous code-division multiple access （TD-SCI）MA） is a 3G wireless communica- tion standard developed in China and adopted by ITU. It has high spectrum efficiency; it providesgood system slability; and it lowers network construction costs. After many years of development, it is now at the stage of large-scale application.展开更多
随着通信技术升级以及5G通信应用的驱动,各种智能设备所需的滤波器数量激增,促进了滤波器市场的繁荣,但对其性能要求也越来越高,例如大带宽、高频率、高功率容量、微型化、集成化以及低成本等指标是学术界与产业界重点关注的方向,而基...随着通信技术升级以及5G通信应用的驱动,各种智能设备所需的滤波器数量激增,促进了滤波器市场的繁荣,但对其性能要求也越来越高,例如大带宽、高频率、高功率容量、微型化、集成化以及低成本等指标是学术界与产业界重点关注的方向,而基于薄膜体声波谐振器(Thin Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)技术的FBAR滤波器已成为最有前景的滤波器之一。另外,当前空腔型FBAR滤波器已取得了一定的商业成功,但是仍面临性能不足、工艺复杂、成本略高、技术受限等困境。为此,本文试图从器件理论研究与结构优化、高性能压电材料制备与优化、新型工艺开发及技术融合三方面对FBAR滤波器的相关问题与关键技术进行综述,旨在为该研究领域的学者梳理FBAR滤波器技术进阶与迭代的脉络,以期为未来研究的路径与方向提供若干启发性思考。展开更多
介绍了一种单端口,端口阻抗为50Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现。对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明。采用0.35μm Ga As工艺实现了3~8 ...介绍了一种单端口,端口阻抗为50Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现。对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明。采用0.35μm Ga As工艺实现了3~8 GHz频率范围的巴伦芯片,在FBAR滤波器芯片的中心频率处,幅度不平衡度为0.53 d B,相位不平衡度为0.55°。制备的FBAR滤波器通带频率范围为3 100~3 400 MHz,1 d B带宽约为369 MHz,在2 660 MHz和3 840 MHz处带外抑制分别为45.6 d Bc和41.3 d Bc,尺寸仅为12 mm×7 mm×2.9 mm。将实测结果与仿真结果进行了对比,两者一致性很好。展开更多
文摘1 IntroductionTime-division synchronous code-division multiple access （TD-SCI）MA） is a 3G wireless communica- tion standard developed in China and adopted by ITU. It has high spectrum efficiency; it providesgood system slability; and it lowers network construction costs. After many years of development, it is now at the stage of large-scale application.
文摘随着通信技术升级以及5G通信应用的驱动,各种智能设备所需的滤波器数量激增,促进了滤波器市场的繁荣,但对其性能要求也越来越高,例如大带宽、高频率、高功率容量、微型化、集成化以及低成本等指标是学术界与产业界重点关注的方向,而基于薄膜体声波谐振器(Thin Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)技术的FBAR滤波器已成为最有前景的滤波器之一。另外,当前空腔型FBAR滤波器已取得了一定的商业成功,但是仍面临性能不足、工艺复杂、成本略高、技术受限等困境。为此,本文试图从器件理论研究与结构优化、高性能压电材料制备与优化、新型工艺开发及技术融合三方面对FBAR滤波器的相关问题与关键技术进行综述,旨在为该研究领域的学者梳理FBAR滤波器技术进阶与迭代的脉络,以期为未来研究的路径与方向提供若干启发性思考。
文摘介绍了一种单端口,端口阻抗为50Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现。对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明。采用0.35μm Ga As工艺实现了3~8 GHz频率范围的巴伦芯片,在FBAR滤波器芯片的中心频率处,幅度不平衡度为0.53 d B,相位不平衡度为0.55°。制备的FBAR滤波器通带频率范围为3 100~3 400 MHz,1 d B带宽约为369 MHz,在2 660 MHz和3 840 MHz处带外抑制分别为45.6 d Bc和41.3 d Bc,尺寸仅为12 mm×7 mm×2.9 mm。将实测结果与仿真结果进行了对比,两者一致性很好。
