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F_(16)CuPc作为阳极缓冲层对有机太阳能电池性能的显著改善
被引量:
8
1
作者
刘亚东
苏子生
+2 位作者
庄陶钧
初蓓
李文连
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1176-1180,共5页
采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效...
采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效率。以上两个作用有效提高了器件的载流子收集效率,降低了器件的串联电阻和光生载流子复合几率,从而提高了器件的短路电流和填充因子。同时,F16CuPc的引入使器件的内建电场增大,提高了器件的开路电压。
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关键词
阳极缓冲层
CUPC
f16cupc
结晶度
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职称材料
F_(16)CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善
2
作者
关敏
曹国华
+1 位作者
李林森
曾一平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期386-389,共4页
实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2000cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄...
实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2000cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄膜,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。
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关键词
空穴注入
十六氟代酞菁铜
有机电致发光器件
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职称材料
题名
F_(16)CuPc作为阳极缓冲层对有机太阳能电池性能的显著改善
被引量:
8
1
作者
刘亚东
苏子生
庄陶钧
初蓓
李文连
机构
中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院研究生院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期1176-1180,共5页
基金
国家自然科学基金(60877027
61076047
11004187)资助项目
文摘
采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效率。以上两个作用有效提高了器件的载流子收集效率,降低了器件的串联电阻和光生载流子复合几率,从而提高了器件的短路电流和填充因子。同时,F16CuPc的引入使器件的内建电场增大,提高了器件的开路电压。
关键词
阳极缓冲层
CUPC
f16cupc
结晶度
Keywords
anode buffer layer
CuPc
F16 CuPc
crystallinity
分类号
O631.23 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
F_(16)CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善
2
作者
关敏
曹国华
李林森
曾一平
机构
中国科学院半导体研究所材料中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期386-389,共4页
基金
国家自然科学基金(60876043)
文摘
实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2000cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄膜,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。
关键词
空穴注入
十六氟代酞菁铜
有机电致发光器件
Keywords
hole injection
f16cupc
organic light-emitting diode(OLED)
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
F_(16)CuPc作为阳极缓冲层对有机太阳能电池性能的显著改善
刘亚东
苏子生
庄陶钧
初蓓
李文连
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
8
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职称材料
2
F_(16)CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善
关敏
曹国华
李林森
曾一平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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