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EpiWorks完成InP/GaAsSb HBT外延片项目
1
作者
陈裕权
《半导体信息》
2004年第1期23-23,共1页
外延片开发制造商EpiWorks成功完成了一项开发生长掺C GaAsSb的合作研究项目,其合作伙伴Epichem提供该项目用的生长先驱物,InP衬底则由InPact公司提供。该项目旨在制作适用于DHBT基区的掺C GaAsSb层.要求掺C GaAsSb层的多数载流子迁移...
外延片开发制造商EpiWorks成功完成了一项开发生长掺C GaAsSb的合作研究项目,其合作伙伴Epichem提供该项目用的生长先驱物,InP衬底则由InPact公司提供。该项目旨在制作适用于DHBT基区的掺C GaAsSb层.要求掺C GaAsSb层的多数载流子迁移率大于40cm^2/Vs,以使掺杂能级高于7×10~19/cm^3。实验也可证明,C掺杂能级超过8×101~19/cm^3。这项工艺采用了一种生产型MOCVD设备,其生产能力为8块3～4英寸晶片。采用GaAsSb基极层的DHBT已引起关注,因为该器件可用于高速数字集成电路和用于军事用途。IT条式排列的多个InP/GaAsSb DHBT可高速、高电流密度工作。
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关键词
外延片
epiworks
InP/GaAsSb
HBT
军事用途
高速数字
MOCVD
基区
载流子迁移率
电流密度
原文传递
EpiWorks进行BiFET规模生产
2
作者
孙再吉
《半导体信息》
2007年第4期7-7,共1页
关键词
BiFET
epiworks
半导体制造商
外延片
MOCVD
功率开关
公司领导层
PHEMT
技术转向
巴尼
原文传递
题名
EpiWorks完成InP/GaAsSb HBT外延片项目
1
作者
陈裕权
出处
《半导体信息》
2004年第1期23-23,共1页
文摘
外延片开发制造商EpiWorks成功完成了一项开发生长掺C GaAsSb的合作研究项目,其合作伙伴Epichem提供该项目用的生长先驱物,InP衬底则由InPact公司提供。该项目旨在制作适用于DHBT基区的掺C GaAsSb层.要求掺C GaAsSb层的多数载流子迁移率大于40cm^2/Vs,以使掺杂能级高于7×10~19/cm^3。实验也可证明,C掺杂能级超过8×101~19/cm^3。这项工艺采用了一种生产型MOCVD设备,其生产能力为8块3～4英寸晶片。采用GaAsSb基极层的DHBT已引起关注,因为该器件可用于高速数字集成电路和用于军事用途。IT条式排列的多个InP/GaAsSb DHBT可高速、高电流密度工作。
关键词
外延片
epiworks
InP/GaAsSb
HBT
军事用途
高速数字
MOCVD
基区
载流子迁移率
电流密度
分类号
F416.63 [经济管理—产业经济]
原文传递
题名
EpiWorks进行BiFET规模生产
2
作者
孙再吉
出处
《半导体信息》
2007年第4期7-7,共1页
关键词
BiFET
epiworks
半导体制造商
外延片
MOCVD
功率开关
公司领导层
PHEMT
技术转向
巴尼
分类号
F416.63 [经济管理—产业经济]
原文传递
题名
作者
出处
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被引量
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1
EpiWorks完成InP/GaAsSb HBT外延片项目
陈裕权
《半导体信息》
2004
0
原文传递
2
EpiWorks进行BiFET规模生产
孙再吉
《半导体信息》
2007
0
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