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题名EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜研究
被引量：1
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作者
赵晓锋
温殿忠
王天琦
任华
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机构
黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室
黑龙江大学集成电路重点实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1430-1433,共4页
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基金
黑龙江大学青年科学基金项目资助(200514)
黑龙江大学集成电路重点实验室项目资助
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文摘
研究了〈100〉单晶硅在EPW腐蚀液中制作近似圆形硅膜,在EPW腐蚀液中因〈100〉单晶硅腐蚀速率各向异性,在圆形掩膜下很难实现圆形单晶硅膜.基于EPW腐蚀液中〈100〉单晶硅存在严重凸角削角,采用带锯齿(9个、20个、36个)结构的齿轮掩膜图形腐蚀制作近似圆形硅膜,通过采用SEM观察,随腐蚀时间增加,圆形掩膜EPW腐蚀后硅膜为近似方形,而带有36个锯齿结构的齿轮掩膜腐蚀后硅膜近似圆形.结果表明,利用掩膜锯齿结构在EPW腐蚀液中存在凸角削角现象,能够实现近似圆形硅膜的制作.
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关键词
epw腐蚀液
圆形硅膜
凸角削角
各向异性腐蚀
MEMS
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Keywords
epw etchant
circular silicon membrane
convex corner and short corner
anisotropic etching
MEMS
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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