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旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡 被引量：1
1
作者 丁勇 赵福川 +2 位作者 毛友德 夏冠群 赵建龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1228-1230,共3页
通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2
关键词 低频振荡 沟道-衬底结 EL_(2)碰撞电离
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降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究
2
作者 杨艺 周春锋 兰天平 《天津科技》 2016年第2期19-21,共3页
GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。
关键词 GaAs单晶片 热处理 亮点缺陷 el_2
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GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响
3
作者 丁勇 赵福川 +2 位作者 毛友德 夏冠群 赵建龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期28-30,共3页
研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。
关键词 旁栅效应 漏源电压 砷化镓 MESFET
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