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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜
被引量:
2
1
作者
左潇
魏钰
+2 位作者
陈龙威
舒兴胜
孟月东
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件...
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。
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关键词
电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积
低温
直接制备
多晶硅薄膜
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职称材料
微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究
被引量:
24
2
作者
叶超
宁兆元
+1 位作者
程珊华
康健
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期784-789,共6页
使用三氟甲烷和苯的混合气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0 11— 0 6 2之间的α C∶F薄膜 .研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响 ,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率 ,降低了薄膜的F/C比 ...
使用三氟甲烷和苯的混合气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0 11— 0 6 2之间的α C∶F薄膜 .研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响 ,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率 ,降低了薄膜的F/C比 ,也降低了薄膜中CF和CF3 基团的密度 ,而使CF2 基团的密度保持不变 .在高微波功率下可以获得主要由CF2 基团和CC结构组成的α C∶F薄膜 .薄膜的介电频率关系 (1× 10 3 — 1× 10 6Hz)和损耗频率关系 (1× 10 2 — 1× 10 5Hz)均呈指数规律减小 ,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致 .α
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关键词
氟化非晶碳薄膜
键结构
介电性质
ecrpecvd
沉积速率
成分
原文传递
题名
微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜
被引量:
2
1
作者
左潇
魏钰
陈龙威
舒兴胜
孟月东
机构
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期356-361,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(085JA16501)
文摘
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。
关键词
电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积
低温
直接制备
多晶硅薄膜
Keywords
ecrpecvd
Low temperature
Direct fabrication
Polycrystalline silicon thin film
分类号
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究
被引量:
24
2
作者
叶超
宁兆元
程珊华
康健
机构
苏州大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期784-789,共6页
文摘
使用三氟甲烷和苯的混合气体 ,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0 11— 0 6 2之间的α C∶F薄膜 .研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响 ,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率 ,降低了薄膜的F/C比 ,也降低了薄膜中CF和CF3 基团的密度 ,而使CF2 基团的密度保持不变 .在高微波功率下可以获得主要由CF2 基团和CC结构组成的α C∶F薄膜 .薄膜的介电频率关系 (1× 10 3 — 1× 10 6Hz)和损耗频率关系 (1× 10 2 — 1× 10 5Hz)均呈指数规律减小 ,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致 .α
关键词
氟化非晶碳薄膜
键结构
介电性质
ecrpecvd
沉积速率
成分
Keywords
C∶F films, ECR plasma deposition, bond configurations, dielectric properties
分类号
TN015 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜
左潇
魏钰
陈龙威
舒兴胜
孟月东
《核聚变与等离子体物理》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究
叶超
宁兆元
程珊华
康健
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
24
原文传递
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
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